Página principal > Resultados de la búsqueda: Lanza, Mario
  Consejos para la búsqueda
Búsqueda avanzada
Buscar colecciones:
Ordenar por: Mostrar resultados: Formato de visualización:
Resultados globales: 11 registros encontrados en 0.02 segundos.
Artículos, Encontrados 6 registros
Materiales académicos, Encontrados 5 registros
Artículos Encontrados 6 registros  
1.
7 p, 1.0 MB Revealing the improved stability of amorphous boron-nitride upon carbon doping / Kaya, Onurcan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Colombo, Luigi (The University of Texas at Dallas. Department of Materials Science and Engineering) ; Antidormi, Aleandro (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Lanza, Mario (King Abdullah University of Science and Technology. Department of Material Science and Engineering) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We report on a large improvement of the thermal stability and mechanical properties of amorphous boron-nitride upon carbon doping. By generating versatile force fields using first-principles and machine learning simulations, we investigate the structural properties of amorphous boron-nitride with varying contents of carbon (from a few percent to 40 at%). [...]
2022 - 10.1039/d2nh00520d
Nanoscale horizons, Vol. 8, Issue 3 (March 2022) , p. 361-367  
Registro completo - Creative Commons
2.
9 p, 644.4 KB Polycrystallization effects on the nanoscale electrical properties of high-k dielectrics / Lanza, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this study, atomic force microscopy-related techniques have been used to investigate, at the nanoscale, how the polycrystallization of an Al₂O₃-based gate stack, after a thermal annealing process, affects the variability of its electrical properties. [...]
2011 - 10.1186/1556-276X-6-108
Nanoscale Research Letters, Vol. 6 (January 2011) , art. 108  
Registro completo - Creative Commons
3.
6 p, 4.0 MB Resistive switching in hafnium dioxide layers : local phenomenon at grain Boundaries / Lanza, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica)) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Overcoming challenges associated with implementation of resistive random access memory technology for non-volatile information storage requires identifying the material characteristics responsible for resistive switching. [...]
2012 - 10.1063/1.4765342
Applied physics letters, Vol. 101 (2012) , p. 193502-1/193502-5  
Registro completo -
4.
5 p, 993.1 KB Grain boundaries as preferential sites for Resistive Switching in the HfO2 RRAM structures / Lanza, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zhang, K. (Peking University. Department of Electronics) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Shen, Z. Y. (Peking University. Department of Electronics) ; Liu, L. F. (Peking University. Institute of Microelectronics) ; Kang, J. F. (Peking University. Institute of Microelectronics) ; Gilmer, D. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica)) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica))
Resistive switching (RS) phenomenon in the HfO2 dielectric has been indirectly observed at device level in previous studies using metal-insulator-metal structures, but its origin remains unclear. In this work, using the enhanced conductive atomic force microscope (ECAFM), we have been able to obtain in situ direct observation of RS with nanometric resolution. [...]
2012 - 10.1063/1.3697648
Applied physics letters, Vol. 100, Issue 12 (March 2012) , p. 123508-1-123508-4  
Registro completo -
5.
5 p, 1.9 MB Gate current analysis of AlGaN/GaN on silicon heterojunction transistors at the nanoscale / Fontserè Recuenco, Abel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Perez-Tomas, Amador (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Placidi, Marcel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Aguiló Llobet, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics) ; Baron, N. (Centre National de la Recherche Scientifique (França)) ; Chenot, S. (Centre National de la Recherche Scientifique (França)) ; Cordier, Y. (Centre National de la Recherche Scientifique (França)) ; Moreno, J. C. (Centre National de la Recherche Scientifique (França)) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lanza, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The gate leakage current of AlGaN/GaN (on silicon)high electron mobility transistor(HEMT) is investigated at the micro and nanoscale. The gate current dependence (25-310 °C) on the temperature is used to identify the potential conduction mechanisms, as trap assisted tunneling or field emission. [...]
2012 - 10.1063/1.4748115
Applied physics letters, Vol. 101, Issue 9 (August 2012) , p. 093505/1-093505/4  
Registro completo -
6.
4 p, 1003.7 KB Degradation of polycrystalline HfO2-based gate dielectrics under nanoscale electrical stress / Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lanza, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zhang, K. (Peking University. Department of Electronics) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Benstetter, Guenther (University of Applied Sciences Deggendorf. Electrical Engineering Department) ; Shen, Z. Y. (Peking University. Department of Electronics) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica))
The evolution of the electrical properties of HfO2/SiO2/Si dielectric stacks under electrical stress has been investigated using atomic force microscope-based techniques. The current through the grain boundaries (GBs), which is found to be higher than thorough the grains, is correlated to a higher density of positively charged defects at the GBs. [...]
2011 - 10.1063/1.3637633
Applied physics letters, Vol. 99, Issue 10 (September 2011) , p. 103510/1-103510/3  
Registro completo -

Materiales académicos Encontrados 5 registros  
1.
2 p, 22.5 KB Instrumentació [28220] / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lanza, Mario ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
2010-11
Enginyer de Materials [473]  
Registro completo - Creative Commons
2.
8 p, 138.0 KB Fonaments físics de la informàtica [27024] / Álvarez, Amador ; Albareda, Guillermo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ayala, Nuria ; Aznar Ballesta, Francisco ; Lanza, Mario ; Morata Cariñena, Marta ; Paredes, Ferran ; Vélez, Adolfo ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Universitària d'Informàtica
2009-10
Enginyer Tècnic en Informàtica de Sistemes [463]  
Registro completo - Creative Commons
3.
7 p, 160.8 KB Fonaments físics de la informàtica [27024] / Álvarez, Amador ; Albareda, Guillermo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ayala, Nuria ; Aznar Ballesta, Francisco ; Lanza, Mario ; Morata Cariñena, Marta ; Paredes, Ferran ; Vélez, Adolfo ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Universitària d'Informàtica
2008-09
Enginyer Tècnic en Informàtica de Sistemes [463]  
Registro completo - Creative Commons
4.
6 p, 52.8 KB Fonaments físics de la informàtica [27024] / Álvarez, Amador ; Albareda, Guillermo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Amat Bertran, Esteve ; Aznar Ballesta, Francisco ; Paredes, Ferran ; Oriols, Xavier ; Morata Cariñena, Marta ; Lanza, Mario ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Universitària d'Informàtica
2007-08
Enginyer Tècnic en Informàtica de Sistemes [463]  
Registro completo - Creative Commons
5.
2 p, 74.0 KB Laboratori d'electrònica I [28194] / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aguilera Martínez, Lídia (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Morata Cariñena, Marta ; Paredes, Ferran ; Figueras Costa, Eduardo ; Lanza, Mario ; Boix Gargallo, Juan ; Torres Canals, Francesc ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
2006-07
Enginyer Tècnic de Telecomunicacions - Sistemes Electrònics [475]  
Registro completo - Creative Commons

Vea también: autores con nombres similares
2 Lanza, M.
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.
Depósito Digital de Documentos de la UAB :: Buscar :: Enviar :: Personalizar :: Ayuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantenido por ddd.bib@uab.cat  :: Metadatos sujetos a:
Colaboramos