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7 p, 654.3 KB Unravelling and controlling hidden imprint fields in ferroelectric capacitors / Liu, Fanmao (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fina Martínez, Ignasi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bertacco, Riccardo (Politecnico di Milano) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Ferroelectric materials have a spontaneous polarization that can point along energetically equivalent, opposite directions. However, when ferroelectric layers are sandwiched between different metallic electrodes, asymmetric electrostatic boundary conditions may induce the appearance of an electric field (imprint field, E imp) that breaks the degeneracy of the polarization directions, favouring one of them. [...]
2016 - 10.1038/srep25028
Scientific Reports, Vol. 6 (April 2016) , art. 25028  

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180 p, 10.1 MB Photoresponse of ferroelectric BaTiO₃ thin films / Liu, Fanmao, autor. ; Fontcuberta i Griñó, Josep, supervisor acadèmic. ; Fina Martínez, Ignasi, supervisor acadèmic. ; Sort Viñas, Jordi, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física.
BaTiO3 es un material de óxido ferroeléctrico sin plomo. BaTiO3 películas delgadas han sido ampliamente estudiados para aplicaciones de memoria debido a su efecto de memoria de carga resultante de su naturaleza ferroeléctrica. [...]
BaTiO3 is a lead-free ferroelectric oxide material. BaTiO3 thin films have been widely studied for memory applications due to its charge memory effect resulting from its ferroelectric nature. Nowadays, the scientific community has renewed its interest on BaTiO3, because it holds characteristics that is interesting for rapidly developing areas such as photovoltaics, photoelectric sensing and photocatalysis. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  

Vea también: autores con nombres similares
1 Liu, Fanmao,
2 Liu, Fei
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