Resultats globals: 8 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 7 registres trobats
Documents de recerca, 1 registres trobats
Articles 7 registres trobats  
1.
7 p, 481.4 KB Experimental time evolution study of the HfO2-based IMPLY gate operation / Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Escudero, Manel (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rubio, Antonio 1954- (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In the last years, memristor devices have been proposed as key elements to develop a new paradigm to implement logic gates. In particular, the memristor-based material implication (IMPLY) gate has been presented as a potential powerful basis for logic applications. [...]
2018 - 10.1109/TED.2017.2778315
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 65, issue 2 (Feb. 2018) , p. 404-410  
2.
9 p, 783.3 KB Experimental verification of memristor-based material implication NAND operation / Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Escudero, Manel (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rubio, Antonio 1954- (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Memristors are being considered as promising devices for highly dense memory systems as well as the potential basis of new computational paradigms. In this scenario, and in relation with data processing, one of the more specific and differential logic functions is the material implication logic also named as IMPLY logic. [...]
2019 - 10.1109/TETC.2017.2760929
IEEE Transactions on Emerging Topics in Computing, Vol. 7, issue 4 (Oct.-Dec. 2019) , p. 545-552  
3.
18 p, 5.3 MB Self-organizing neural networks based on OxRAM devices under a fully unsupervised training scheme / Pedro, Marta (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Maestro Izquierdo, Marcos (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A fully-unsupervised learning algorithm for reaching self-organization in neuromorphic architectures is provided in this work. We experimentally demonstrate spike-timing dependent plasticity (STDP) in Oxide-based Resistive Random Access Memory (OxRAM) devices, and propose a set of waveforms in order to induce symmetric conductivity changes. [...]
2019 - 10.3390/ma12213482
Materials, Vol. 12, Issue 21 (November 2019) , art. 3482  
4.
17 p, 1.4 MB New high resolution random telegraph noise (RTN) characterization method for resistive RAM / Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; González, M.B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Random Telegraph Noise (RTN) is one of the main reliability problems of resistive switching-based memories. To understand the physics behind RTN, a complete and accurate RTN characterization is required. [...]
2016 - 10.1016/j.sse.2015.08.010
Solid-state electronics, Vol. 115, Part B (January 2016) , p. 140-145  
5.
5 p, 2.7 MB Current-limiting and ultrafast system for the characterization of resistive random access memories / Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
2016 - 10.1063/1.4954973
Review of scientific instruments, Vol. 87, Issue 6 (June 2016) , p. 64705  
6.
4 p, 1.6 MB Non-homogeneuos conduction of conductive filaments in Ni/HfO2/Si resistive switching structures observed with CAFM / Claramunt, S. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wu, Qian (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; González, M.B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Conductive filaments (CFs) in Ni/HfO₂/Si resistive switching structures are analysed at the nanoscale by means of Conductive Atomic Force Microscopy (CAFM). Differences in the CF conductivity are measured depending on the resistive state of the device. [...]
2015 - 10.1016/j.mee.2015.04.112
Microelectronic engineering, Vol. 147 (November 2015) , p. 335-338  
7.
4 p, 1.1 MB Analysis of set and reset mechanisms in Ni/HfO2-based RRAM with fast ramped voltages / Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Gonzalez, M. B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The resistive switching phenomenon is analyzed using a purposely developed setup which allows fast ramped voltages and measurements in the time domain. Taking advantage of these capabilities, the Set and Reset processes in Ni/HfO2 structures have been studied for a large range of voltage ramp speeds. [...]
2015 - 10.1016/j.mee.2015.04.057
Microelectronic engineering, Vol. 147 (Nov. 2015) , p. 176-179  

Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
184 p, 3.5 MB Analysis of the resistive switching phenomenon in MOS devices for memory and logic applications / Maestro Izquierdo, Marcos ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En general, la continua evolución de la tecnología ha llevado a afrontar nuevos retos emergentes. En cuanto al campo de la electrónica, uno de los más relevantes ha sido la ley de Moore que postula que "el número de transistores en un circuito integrado se duplica aproximadamente cada dos años". [...]
In general, the continuous evolution, and improvement, of the technology has led to face new emerging challenges. Regarding the electronic field, one of the most relevant has been the Moore's law which postulates "the number of transistors in a dense integrated circuit doubles approximately every two years". [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.