Resultats globals: 3 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 3 registres trobats
Articles 3 registres trobats  
1.
12 p, 1.9 MB Orientation symmetry breaking in self-assembled Ce1- : XGdxO2- y nanowires derived from chemical solutions / Queraltó López, Albert (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; De La Mata, Maria (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martínez, Lidia (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid) ; Magén, César (Universidad de Zaragoza. Instituto de Nanociencia de Aragón) ; Gibert, Marta (Université de Genève. Département de Physique de la Matière Quantique) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Hühne, Ruben (Institut für Metallische Werkstoffe) ; Obradors, Xavier (Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC)) ; Puig i Molina, Mª Teresa (Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC))
Understanding the growth mechanisms of nanostructures obtained from chemical solutions, a high-throughput production methodology, is essential to correlate precisely the growth conditions with the nanostructures' morphology, dimensions and orientation. [...]
2016 - 10.1039/c6ra23717g
RSC Advances, Vol. 6, issue 99 (2016) , p. 97226-97236  
2.
8 p, 9.3 MB Position-controlled growth of GaN nanowires and nanotubes on diamond by molecular beam epitaxy / Schuster, Fabian (Walter Schottky Institut, Physics Department, Technische Universität München) ; Hetzl, Martin (Technische Universität München. Walter Schottky Institute) ; Weiszer, Saskia (Technische Universität München. Walter Schottky Institute) ; Garrido, José A. (Technische Universität München. Walter Schottky Institute) ; De La Mata, Maria (Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC)) ; Magén, César (Universidad de Zaragoza. Instituto de Nanociencia de Aragón) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Stutzmann, Martin (Technische Universität München. Walter Schottky Institute) ; ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró
In this work the position-controlled growth of GaN nanowires (NWs) on diamond by means of molecular beam epitaxy is investigated. In terms of growth, diamond can be seen as a model substrate, providing information of systematic relevance also for other substrates. [...]
2015 - 10.1021/nl504446r
Nano letters, Vol. 15, issue 3 (Nov. 2015) , p. 1773-1779  
3.
32 p, 3.3 MB Twin-induced InSb nanosails : a convenient high mobility quantum system / Mata Fernández, María de la (Institut Catalá de Nanociència i Nanotecnologia) ; Leturcq, Renaud (Institut d’Electronique, de Microélectronique, et de Nanotechnologie) ; Plissard, Sébastien R. (Centre national de la recherche scientifique. Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes) ; Rolland, Chloé (Institut d’Electronique, de Microélectronique, et de Nanotechnologie) ; Magén, César (Instituto de Nanociencia de Aragon. Laboratorio de Microscopías Avanzadas) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Caroff, Philippe (Institut d’Electronique, de Microélectronique, et de Nanotechnologie)
Ultra narrow bandgap III-V semiconductor nanomaterials provide a unique platform for realizing advanced nanoelectronics, thermoelectrics, infrared photodetection, and quantum transport physics. In this work we employ molecular beam epitaxy to synthesize novel nanosheet-like InSb nanostructures exhibiting superior electronic performance. [...]
2016 - 10.1021/acs.nanolett.5b05125
Nano letters, Vol. 16, issue 2 (Oct. 2016) , p. 825-833  

Vegeu també: autors amb noms similars
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.