1.
|
|
Determination of the time constant distribution of a defect-centric time-dependent variability model for Sub-100-nm FETs
/
Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
The origin of some time-dependent variability phenomena in FET technologies has been attributed to the charge carrier trapping/detrapping activity of individual defects present in devices. Although some models have been presented to describe these phenomena from the so-called defect-centric perspective, limited attention has been paid to the complex process that goes from the experimental data of the phenomena up to the final construction of the model and all its components, specifically the one that pertains to the time constant distribution. [...]
2022 - 10.1109/TED.2022.3198383
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 69, issue 10 (Oct. 2022) , p. 5424-5429
|
|
2.
|
|
CMOS inverter performance degradation and its correlation with BTI, HCI and OFF state MOSFETs aging
/
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nasarre Campo, Carles (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Garsot, N. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, CMOS inverters are subjected to electrical stress emulating a complete operation cycle and the shifts in the performance parameters (i. e. , peak current and inversion voltage) evaluated. [...]
2022 - 10.1016/j.sse.2022.108264
Solid-state electronics, Vol. 191 (May 2022) , art. 108264
|
|
3.
|
|
On the impact of the biasing history on the characterization of random telegraph noise
/
Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
Random telegraph noise (RTN) is a time-dependent variability phenomenon that has gained increased attention during the last years, especially in deeply scaled technologies. In particular, there is a wide variety of works presenting different techniques designed to analyze current traces in scaled FET devices displaying RTN, and others focused on modeling the phenomenon using the parameters extracted through such techniques. [...]
2022 - 10.1109/TIM.2022.3166195
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, Vol. 71 (2022) , art. 2003410
|
|
4.
|
|
Impact of OFF-State, HCI and BTI degradation in FDSOI Ω-gate NW-FETs
/
Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Miranda, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Bernal, D. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the degradation of N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs caused by OFF-State stress under different conditions has been experimentally studied and compared with the effects of positive/negative BTI and HCI aging. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108625
Solid-state electronics, Vol. 203 (May 2023) , art. 108625
|
|
5.
|
|
Comparison of OFF-State, HCI and BTI degradation in FDSOI Ω-gate NW-FETs
/
Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Miranda, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Bernal, D. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the degradation of N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs caused by OFF-State stress under different conditions has been experimentally studied and compared with the effects of positive/negative BTI and HCI aging. [...]
2022 - 10.1016/j.sse.2022.108324
Solid-state electronics, Vol. 194 (Aug. 2022) , art. 108324
|
|
6.
|
|
7.
|
|
Random Telegraph Noise and Bias Temperature Instabilities statistical characterization of Ω-gate FDSOI devices at low voltages
/
Pedreira Rincon, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Amat Bertran, Esteve (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Random Telegraph Noise (RTN) and Bias Temperature Instabilities (BTI) are two mechanisms that can significantly reduce the performance and reliability of integrated circuits. In scaled devices, both phenomena are stochastic, so that a statistical analysis is required to accurately evaluate their impact on a particular technology. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108735
Solid-state electronics, Vol. 209 (November 2023) , art. 108735
|
|
8.
|
|
9.
|
5 p, 521.8 KB |
Unified RTN and BTI statistical compact modeling from a defect-centric perspective
/
Pedreira Rincon, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In nowadays deeply scaled CMOS technologies, time-dependent variability effects have become important concerns for analog and digital circuit design. Transistor parameter shifts caused by Bias Temperature Instability and Random Telegraph Noise phenomena can lead to deviations of the circuit performance or even to its fatal failure. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108112
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , p. 108112
|
|
10.
|
12 p, 988.7 KB |
Modeling of the degradation of CMOS inverters under pulsed stress conditions from 'on-the-fly' measurements
/
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Ramos, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, an 'on-the-fly' measurement technique for the monitoring of CMOS inverters performance degradation is presented. This technique allows the characterization of the circuit degradation simultaneously with the applications of the stress. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108094
Solid-state electronics, Vol. 184 (October 2021) , art. 108094
|
|