Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Martin Martinez, Javier
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 83 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 33 registres trobats
Documents de recerca, 9 registres trobats
Materials acadèmics, 41 registres trobats
Articles 33 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
Unified RTN and BTI statistical compact modeling from a defect-centric perspective / Pedreira Rincon, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In nowadays deeply scaled CMOS technologies, time-dependent variability effects have become important concerns for analog and digital circuit design. Transistor parameter shifts caused by Bias Temperature Instability and Random Telegraph Noise phenomena can lead to deviations of the circuit performance or even to its fatal failure. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108112
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , p. 108112  
Registre complet - Creative Commons
2.
Modeling of the degradation of CMOS inverters under pulsed stress conditions from 'on-the-fly' measurements / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ramos, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, an 'on-the-fly' measurement technique for the monitoring of CMOS inverters performance degradation is presented. This technique allows the characterization of the circuit degradation simultaneously with the applications of the stress. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108094
Solid-state electronics, Vol. 184 (October 2021) , art. 108094  
Registre complet - Creative Commons
3.
Statistical threshold voltage shifts caused by BTI and HCI at nominal and accelerated conditions / Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In nowadays deeply scaled CMOS technologies, time-zero and time-dependent variability effects have become important concerns for analog and digital circuit design. For instance, transistor parameter shifts caused by Bias Temperature Instability and Hot-Carrier Injection phenomena can lead to progressive deviations of the circuit performance or even to its catastrophic failure. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108037
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , art. 108037  
Registre complet - Creative Commons
4.
8 p, 850.2 KB An unsupervised and probabilistic approach to Pavlov's dog experiment with OxRAM devices / Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pedro, Marta (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
In this work, a potential basis for implementing unsupervised associative learning in two or more memristors within neuromorphic architectures is proposed. The experimental demonstration is carried out by means of emulating the Pavlov's dog classical conditioning experiment with two OxRAM devices, in which the dependence of the probability of association on test parameters, such as the pulse amplitude, is studied.
2019 - 10.1016/j.mee.2019.111024
Microelectronic engineering, Vol. 215 (July 2019) , art. 111024  
Registre complet - Creative Commons
5.
6 p, 6.4 MB SPICE modeling of cycle-to-cycle variability in RRAM devices / Salvador Aguilera, Emili (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, we investigated how to include uncorrelated cycle-to-cycle (C2C) variability in the LTSpice quasi-static memdiode model for RRAM devices. Variability in the I-V curves is first addressed through an in-depth study of the experimental data using the fitdistrplus package for the R language. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108040
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , art. 108040  
Registre complet - Creative Commons
6.
8 p, 4.1 MB A flexible characterization methodology of RRAM : application to the modeling of the conductivity changes as synaptic weight updates / Pedro, Marta (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, an automatic and flexible measurement setup, which allows a massive electrical characterization of single RRAM devices with pulsed voltages, is presented. The evaluation of the G-V maps under single-pulse test-schemes is introduced as an example of application of the proposed methodology, in particular for neuromorphic engineering, where the fine analog control of the synaptic device conductivity state is required, by inducing small changes in each learning iteration. [...]
2019 - 10.1016/j.sse.2019.03.035
Solid-state electronics, Vol. 159 (Sep. 2019) , p. 57-62  
Registre complet - Creative Commons
7.
8 p, 4.1 MB A smart noise- and RTN-removal method for parameter extraction of CMOS aging compact models / Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In modern nanometer-scale CMOS technologies, time-zero and time-dependent variability (TDV) effects, the latter coming from aging mechanisms like Bias Temperature Instability (BTI), Hot Carrier Injection (HCI) or Random Telegraph Noise (RTN), have re-emerged as a serious threat affecting the performance of analog and digital integrated circuits. [...]
2019 - 10.1016/j.sse.2019.03.045
Solid-state electronics, Vol. 159 (Sep. 2019) , p. 99-105  
Registre complet - Creative Commons
8.
5 p, 403.8 KB Workfunction fluctuations in polycrystalline TiN observed with KPFM and their impact on MOSFETs variability / Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Seoane, Natalia (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia-Loureiro, Antonio (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A more realistic approach to evaluate the impact of polycrystalline metal gates on the MOSFET variability is presented. 2D experimental workfunction maps of a polycrystalline TiN layer were obtained by Kelvin Probe Force Microscopy with a nanometer resolution. [...]
2019 - 10.1063/1.5090855
Applied physics letters, Vol. 114, issue 9 (March 2019) , art. 93502  
Registre complet -
9.
7 p, 481.4 KB Experimental time evolution study of the HfO2-based IMPLY gate operation / Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Escudero, Manel (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rubio, Antonio 1954- (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In the last years, memristor devices have been proposed as key elements to develop a new paradigm to implement logic gates. In particular, the memristor-based material implication (IMPLY) gate has been presented as a potential powerful basis for logic applications. [...]
2018 - 10.1109/TED.2017.2778315
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 65, issue 2 (Feb. 2018) , p. 404-410  
Registre complet -
10.
15 p, 3.3 MB A versatile CMOS transistor array IC for the statistical characterization of time-zero variability, RTN, BTI, and HCI / Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Statistical characterization of CMOS transistor variability phenomena in modern nanometer technologies is key for accurate end-of-life prediction. This paper presents a novel CMOS transistor array chip to statistically characterize the effects of several critical variability sources, such as time-zero variability (TZV), random telegraph noise (RTN), bias temperature instability (BTI), and hot-carrier injection (HCI). [...]
2019 - 10.1109/JSSC.2018.2881923
IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 54, issue 2 (Feb. 2019) , p. 476-488  
Registre complet -

Articles : 33 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Documents de recerca 9 registres trobats  
1.
55 p, 1.4 MB Red neuronal clasificadora de trazas RTN para la generación de números aleatorios / Marín Plaza, Manel ; Martin Martinez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
En este trabajo se describe la metodología necesaria para el diseño y desarrollo de una Red Neuronal (a partir de ahora RN) capaz de clasificar trazas de Random Telegraph Noise (a partir de ahora RTN) según la incertidumbre en la repetibilidad de símbolos binarios consecutivos. [...]
2021
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
Registre complet - Creative Commons
2.
193 p, 5.4 MB A versatile framework for the statistical characterization of CMOS time-zero and time-dependent variability with array-based ICs / Diaz-Fortuny, Javier ; Martin Martinez, Javier, dir. ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Desde la invención en 1960 del transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET por sus siglas en inglés), la industria de semiconductores no ha cesado en la creación de nuevas invenciones para reducir las dimensiones de los transistores de la escala micrométrica (< 10-μm) a las dimensiones actuales de 7-14-nm, o incluso para la creación del nuevo nódulo tecnológico de 5-nm, cuya fabricación está prevista para 2020-2021, con el objetivo de fabricar dispositivos más fiables y circuitos más avanzados, con miles de millones de transistores por chip. [...]
Since the invention in 1960 of the Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET), the CMOS semiconductor industry has invariably invented new feats to progressively reduce the minimum gate length, from the micrometer scale (< 10-μm) to the nowadays 7-14-nm gate lengths or the new 5-nm technology node predicted to be manufactured in 2020-2021, all with the aim of fabricating more reliable devices and even more advanced circuits and systems, with billions of transistors per chip. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
Registre complet - Creative Commons
3.
121 p, 5.1 MB Implementation of unsupervised learning mechanisms on OxRAM devices for neuromorphic computing applications / Pedró Puig, Marta ; Martin Martinez, Javier, dir. ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La present tesi recull els resultats de la recerca orientada a aportar una metodologia de caracterització elèctrica, modelat i simulació per a dispositius de commutació resistiva, quan es consideren aplicacions de computació neuromòrfica basades en aprenentatge no-supervisat, àmpliament demandades en l'actualitat com a solució de baix consum a les següents problemàtiques: per una banda, la limitació de la velocitat en la transferència de dades entre les unitats de memoria i processament que té lloc en les arquitectures de computador convencional (von Neumann). [...]
The present thesis compiles the results of the research oriented to provide a methodology for the electrical characterization, modeling and simulation of resistive switching devices, taking into consideration neuromorphic applications based on unsupervised learning This is widely demanded today as a low-consumption solution to the following issues: on the one hand, the speed limitations that take place in data transfer between the memory and processing units that takes place in conventional computer architectures. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
Registre complet - Creative Commons
4.
175 p, 10.4 MB Analysis of impact of nanoscale defects on variability in MOS structures / Couso, Carlos ; Porti i Pujal, Marc, dir. ; Martín Martinez, Javier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En los últimos años, la información y su análisis se han convertido en la piedra angular del crecimiento de nuestra sociedad, permitiendo la economía compartida, la globalización de productos y conocimientos, etc. [...]
Over the last years, the information and its analysis have become in the corner stone of growth of our society allowing the sharing economy, globalization of products and knowledge, block-chain technology etc. [...]
[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
Registre complet - Creative Commons
5.
157 p, 7.5 MB Caracterización de la variabilidad dependiente del tiempo de MOSFETs ultraescalados para su modelado compacto / Moras Albero, Miquel ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. ; Martin Martinez, Javier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El transistor MOSFET es uno de los dispositivos más utilizados en multitud de aplicaciones electrónicas gracias a sus excelentes características de funcionamiento, su bajo consumo y su gran capacidad de miniaturización. [...]
MOSFET transistor is one of the most used device many applications thanks to its excellent operation characteristics, low power consumption and high miniaturization capability. The microelectronic technology progress has allowed reducing the MOSFET dimensions, which has led to improve the performance of integrated circuits (IC). [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
Registre complet - Creative Commons
6.
131 p, 7.4 MB Variabilitat depenent del temps per BTI i portadors calents en MOSFETS ultraescalats / Ayala Cintas, Núria ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Durant el treball de tesi s'ha permès ampliar una línia d'investigació al grup de recerca REDEC (Reliability of Electron Device and Circuits) del Departament d'Enginyeria Electrònica de la Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), dedicada a la fiabilitat del transistors MOSFET nanoelectrònics. [...]
This thesis was carried out within one of the several lines of investigation of the REDEC (Reliability of Electron Device and Circuits) from Department of Electronic Engineering, located at the Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), which marks its research activities. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
Registre complet -
7.
154 p, 4.1 MB Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Para lograr el estudio de la ruptura dieléctrica, y concretamente la caracterización y observación del fenómeno de su reversibilidad, se ha realizado una elevada cantidad de medidas que ha generado un volumen muy grande de datos que procesar y analizar, ha sido necesario el análisis estadístico de algunos de los parámetros y eventos que caracterizan el fenómeno, lo que requiere reproducir el fenómeno un gran número de veces, tanto en un mismo dispositivo como en diferentes, y en diversas condiciones de trabajo y/o con procedimientos de medida distintos. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
Registre complet -
8.
89 p, 1.1 MB Desarrollo de un simulador para el estudio de la ruptura dieléctrica en circuitos CMOS / Vileta Incausa, José Carlos ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
2011  
Registre complet - Creative Commons
9.
92 p, 2.3 MB Control de instrumentos mediante el bus GPIB programado con MATLAB / Amores Rubio, Eduardo ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
El proyecto que se expone a continuación está dedicado al control de instrumentos mediante el bus de instrumentación GPIB programado con el software Matlab. Está dividido en dos partes. La primera, será llevada a cabo en el laboratorio de docencia y el objetivo será controlar el osciloscopio y el generador de funciones. [...]
El projecte que s'exposa a continuació està dedicat al control d'instruments mitjançant el bus d'instrumentació GPIB programat amb el software Matlab. Està dividit en tres parts. La primera, es durà a terme en el laboratori de docència i l'objectiu serà controlar l'oscil·loscopi i el generador de funcions. [...]
The project that follows is dedicated to the control of instruments with the GPIB instrumentation bus programmed with Matlab software. It's divided into two parts. The first will be made in the teaching laboratory and the objective is to control the oscilloscope and function generator. [...]
2010  
Registre complet - Creative Commons

Materials acadèmics 41 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
6 p, 107.1 KB Treball de Fi de Grau [106540] / Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu de l'assignatura de Treball Fi de Grau (TFG) és que l'alumne realitzi un treball individual que li permeti aplicar i integrar els coneixements i competències adquirides al llarg dels seus estudis de Grau. [...]
The objective of the Final Degree Project (TFG) is to carry out individual work that allows the student to apply and integrate the knowledge and skills acquired throughout the undergraduate studies. The result must be an original work that will be evaluated in public defense in front of a commitee of three teachers of the School.
El objetivo de la asignatura de Trabajo Fin de Grado (TFG) es que el alumno realice un trabajo individual que le permita aplicar e integrar los conocimientos y competencias adquiridas a lo largo de sus estudios de Grado. [...]
2023-24
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
2.
3 p, 97.3 KB Pràctiques Externes [106539] / Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu de les Pràctiques Externes és posar en contacte als alumnes amb el món professional, de manera que puguin aplicar i complementar les competències adquirides al llarg dels seus estudis de Grau mitjançant una activitat formativa supervisada per l'Escola i realitzada a una empresa o institució externa. [...]
The objective of the External Practices is to put students in touch with the professional world, so that they can apply and complement the competences acquired throughout their Degree studies through a training activity supervised by the School and carried out in a company or external institution This training activity allows students to acquire a practical vision of the world of work and professional practice, thus facilitating their employability.
El objetivo de las Prácticas Externas es poner en contacto a los alumnos con el mundo profesional, de manera que puedan aplicar y complementar las competencias adquiridas a lo largo de sus estudios de Grado mediante una actividad formativa supervisada por la Escuela y realizada a una empresa o institución externa. [...]
2023-24
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
3.
4 p, 101.0 KB Sistemes d'Instrumentació Intel·ligents [102724] / Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu principal de l'assignatura és entendre com l'ús de la intel·ligència artificial pot millorar els sistemes d'instrumentació que l'alumne ja coneix de les assignatures d'instrumentació I i II.
The main objective of the subject is to understand how the use of artificial intelligence can improve the instrumentation systems that the student already knows about the instrumentation subjects I and II.
El objetivo principal de la asignatura es entender cómo el uso de la inteligencia artificial puede mejorar los sistemas de instrumentación que el alumno ya conoce de las asignaturas de instrumentación I y II.
2023-24
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
4.
5 p, 109.2 KB Fonaments de Senyals i Sistemes [102690] / Rodriguez Martinez, Rosana ; Martin Martinez, Javier ; Lopez Vicario, Jose ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Introduir l'alumne en l'anàlisi i caracterització de senyals i sistemes, posant èmfasi en els sistemes lineals. Conèixer la transfomada de Laplace i les seves propietats. Saber aplicar la transformada de Laplace a l'anàlisi de circuits. [...]
Introduce the student to the analysis and characterization of signals and systems, with emphasis on linear systems. Learn the Laplace transform and its properties. Learn how to apply the Laplace transform to circuit analysis. [...]
Introducir al alumno en el análisis y caracterización de señales y sistemas, poniendo énfasis en los sistemas lineales. Conocer la transfomada de Laplace y sus propiedades. Saber aplicar la transformada de Laplace al análisis de circuitos. [...]
2023-24
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Tecnologies de la Informació) i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1207]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
5.
5 p, 106.1 KB Treball de Fi de Grau [106540] / Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu de l'assignatura de Treball Fi de Grau (TFG) és que l'alumne realitzi un treball individual que li permeti aplicar i integrar els coneixements i competències adquirides al llarg dels seus estudis de Grau. [...]
The objective of the Final Degree Project (TFG) is to carry out individual work that allows the student to apply and integrate the knowledge and skills acquired throughout the undergraduate studies. The result must be an original work that will be evaluated in public defense in front of a commitee of three teachers of the School.
El objetivo de la asignatura de Trabajo Fin de Grado (TFG) es que el alumno realice un trabajo individual que le permita aplicar e integrar los conocimientos y competencias adquiridas a lo largo de sus estudios de Grado. [...]
2022-23
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
6.
3 p, 97.0 KB Pràctiques Externes [106539] / Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu de les Pràctiques Externes és posar en contacte als alumnes amb el món professional, de manera que puguin aplicar i complementar les competències adquirides al llarg dels seus estudis de Grau mitjançant una activitat formativa supervisada per l'Escola i realitzada a una empresa o institució externa. [...]
The objective of the External Practices is to put students in touch with the professional world, so that they can apply and complement the competences acquired throughout their Degree studies through a training activity supervised by the School and carried out in a company or external institution This training activity allows students to acquire a practical vision of the world of work and professional practice, thus facilitating their employability.
El objetivo de las Prácticas Externas es poner en contacto a los alumnos con el mundo profesional, de manera que puedan aplicar y complementar las competencias adquiridas a lo largo de sus estudios de Grado mediante una actividad formativa supervisada por la Escuela y realizada a una empresa o institución externa. [...]
2022-23
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
7.
4 p, 100.7 KB Sistemes d'Instrumentació Intel·ligents [102724] / Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu principal de l'assignatura és entendre com l'ús de la intel·ligència artificial pot millorar els sistemes d'instrumentació que l'alumne ja coneix de les assignatures d'instrumentació I i II.
The main objective of the subject is to understand how the use of artificial intelligence can improve the instrumentation systems that the student already knows about the instrumentation subjects I and II.
El objetivo principal de la asignatura es entender cómo el uso de la inteligencia artificial puede mejorar los sistemas de instrumentación que el alumno ya conoce de las asignaturas de instrumentación I y II.
2022-23
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
8.
5 p, 109.2 KB Fonaments de Senyals i Sistemes [102690] / Rodríguez Martínez, Rosana ; Martin Martinez, Javier ; Lopez Vicario, Jose ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Introduir l'alumne en l'anàlisi i caracterització de senyals i sistemes, posant èmfasi en els sistemes lineals. Conèixer la transfomada de Laplace i les seves propietats. Saber aplicar la transformada de Laplace a l'anàlisi de circuits. [...]
Introduce the student to the analysis and characterization of signals and systems, with emphasis on linear systems. Learn the Laplace transform and its properties. Learn how to apply the Laplace transform to circuit analysis. [...]
Introducir al alumno en el análisis y caracterización de señales y sistemas, poniendo énfasis en los sistemas lineales. Conocer la transfomada de Laplace y sus propiedades. Saber aplicar la transformada de Laplace al análisis de circuitos. [...]
2022-23
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Tecnologies de la Informació) i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1207]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
9.
5 p, 106.2 KB Treball de Fi de Grau [106540] / Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu de l'assignatura de Treball Fi de Grau (TFG) és que l'alumne realitzi un treball individual que li permeti aplicar i integrar els coneixements i competències adquirides al llarg dels seus estudis de Grau. [...]
The objective of the Final Degree Project (TFG) is to carry out individual work that allows the student to apply and integrate the knowledge and skills acquired throughout the undergraduate studies. The result must be an original work that will be evaluated in public defense in front of a commitee of three teachers of the School.
El objetivo de la asignatura de Trabajo Fin de Grado (TFG) es que el alumno realice un trabajo individual que le permita aplicar e integrar los conocimientos y competencias adquiridas a lo largo de sus estudios de Grado. [...]
2021-22
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons
10.
3 p, 97.1 KB Pràctiques Externes [106539] / Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu de les Pràctiques Externes és posar en contacte als alumnes amb el món professional, de manera que puguin aplicar i complementar les competències adquirides al llarg dels seus estudis de Grau mitjançant una activitat formativa supervisada per l'Escola i realitzada a una empresa o institució externa. [...]
The objective of the External Practices is to put students in touch with the professional world, so that they can apply and complement the competences acquired throughout their Degree studies through a training activity supervised by the School and carried out in a company or external institution This training activity allows students to acquire a practical vision of the world of work and professional practice, thus facilitating their employability.
El objetivo de las Prácticas Externas es poner en contacto a los alumnos con el mundo profesional, de manera que puedan aplicar y complementar las competencias adquiridas a lo largo de sus estudios de Grado mediante una actividad formativa supervisada por la Escuela y realizada a una empresa o institución externa. [...]
2021-22
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
Registre complet - Creative Commons

Materials acadèmics : 41 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem