Resultats globals: 40 registres trobats en 0.04 segons.
Articles, 15 registres trobats
Documents de recerca, 2 registres trobats
Materials acadèmics, 23 registres trobats
Articles 15 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
6 p, 1.1 MB Analysis on the filament structure evolution in reset transition of Cu/HfO₂/Pt RRAM device / Zhang, Meiyun (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (Beijing)) ; Long, Shibing (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (Beijing)) ; Li, Yang (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (Beijing)) ; Liu, Qi (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (Beijing)) ; Lv, Hangbing (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (Beijing)) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Liu, Ming (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences (Beijing))
The resistive switching (RS) process of resistive random access memory (RRAM) is dynamically correlated with the evolution process of conductive path or conductive filament (CF) during its breakdown (rupture) and recovery (reformation). [...]
2016 - 10.1186/s11671-016-1484-8
Nanoscale Research Letters, Vol. 11 (May 2016) , art. 269  
2.
8 p, 1.2 MB Voltage and power-controlled regimes in the progressive unipolar RESET transition of HfO₂-based RRAM / Long, Shibing (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Perniola, Luca (Laboratoire d'électronique des technologies de l'information. MINATEC) ; Cagli, Carlo (Laboratoire d'électronique des technologies de l'information. MINATEC) ; Buckley, Julien (Laboratoire d'électronique des technologies de l'information. MINATEC) ; Lian, Xiaojuan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pan, Feng (Tsinghua University. Laboratory of Advanced Materials) ; Liu, Ming (Chinese Academy of Sciences. Lab of Nanofabrication and Novel Device Integration) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Resistive switching (RS) based on the formation and rupture of conductive filament (CF) is promising in novel memory and logic device applications. Understanding the physics of RS and the nature of CF is of utmost importance to control the performance, variability and reliability of resistive switching memory (RRAM). [...]
2013 - 10.1038/srep02929
Scientific Reports, Vol. 3, (October 2013) , art. 2929  
3.
6 p, 4.0 MB Resistive switching in hafnium dioxide layers : Local phenomenon at grain Boundaries / Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica)) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Overcoming challenges associated with implementation of resistive random access memory technology for non-volatile information storage requires identifying the material characteristics responsible for resistive switching. [...]
2012 - 10.1063/1.4765342
Applied physics letters, Vol. 101 (2012) , p. 193502-1/193502-5  
4.
5 p, 1.3 MB Modeling of hysteretic Schottky diode-like conduction in Pt/BiFeO3/SrRuO3 switches / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Tsurumaki-Fukuchi, A. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)) ; Blasco, J. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Yamada, H. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sawa, A. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST))
The hysteresis current-voltage (I-V) loops in Pt/BiFeO3/SrRuO3 structures are simulated using a Schottky diode-like conduction model with sigmoidally varying parameters, including series resistance correction and barrier lowering. [...]
2014 - 10.1063/1.4894116
Applied physics letters, Vol. 105 (August 2014) , p. 82904-01/82904-04  
5.
4 p, 232.3 KB Effects of high-field electrical stress on the conduction properties of ultra-thin La2O3 films / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Molina, J. (Tokyo Institute of Technology. Frontier Collaborative Research Center) ; Kim, Y. (Tokyo Institute of Technology. Frontier Collaborative Research Center) ; Iwai, H. (Tokyo Institute of Technology. Frontier Collaborative Research Center) ; American Physical Society
Electron transport in high-field stressed metal-insulator-silicon devices with ultrathin (<5nm) lanthanum oxide layers is investigated. We show that the leakage current flowing through the structure prior to degradation is direct and Fowler-Nordheimtunneling conduction, while that after stress exhibits diode-like behavior with series and parallel resistances. [...]
2005 - 10.1063/1.1944890
Applied Physics Letters, Vol. 86, Issue 23 (June 2005) , p. 232104/1-232104/3  
6.
4 p, 309.7 KB Soft breakdown fluctuation events in ultrathin SiO2 layers / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
When an ultrathin (<5 nm) oxide is subjected to electrical stress, several soft-breakdown events can occur prior to the final dielectric breakdown. After the occurrence of such failure events, the current–voltage (I–V)characteristic corresponds to the superposition of highly conductive spots and background conduction through the undegraded capacitor area. [...]
1998 - 10.1063/1.121910
Applied Physics Letters, Vol. 73, Issue 4 (July 1998) , p. 490-492  
7.
4 p, 288.8 KB Modeling the breakdown spots in silicon dioxide films as point contacts / Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
Experiments and simulations are combined to demonstrate that the hard dielectric breakdown of thin SiO2 films in polycrystaline silicon/oxide/semiconductor structures leads to the formation of conduction paths with atomic-size dimensions which behave as point contacts between the silicon electrodes. [...]
1999 - 10.1063/1.124566
Applied Physics Letters, Vol. 75, Issue 7 (June 1999) , p. 959-961  
8.
4 p, 300.2 KB Post-radiation-induced soft breakdown conduction properties as a function of temperature / Cester, Andrea (Universitá di Padova. Dipartimento di Elettronica e Informatica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Paccagnella, Alessandro (Universitá di Padova. Dipartimento di Elettronica e Informatica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universidad de Buenos Aires. Departamento de Fı́sica) ; American Physical Society
When a thin oxide is subjected to heavy ion irradiation, a large leakage current similar to the soft breakdown can be produced. In this work, we have studied the radiation soft breakdown (RSB) after 257 MeV Ag and I irradiation by using a quantum point contact (QPC) model, which also applies to hard and soft breakdown produced by electrical stresses. [...]
2001 - 10.1063/1.1398329
Applied Physics Letters, Vol. 79, Issue 9 (July 2001) , p. 1336-1338  
9.
4 p, 298.4 KB Mesoscopic approach to the soft breakdown failure mode in ultrathin SiO2 films / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We present an analytic model for the soft breakdown failure mode in ultrathin SiO2 films based on the conduction theory through quantum point contacts. The breakdown path across the oxide is represented by a three-dimensional constriction in which, due to the lateral confinement of the electron wave functions, discrete transverse energy levels arise. [...]
2001 - 10.1063/1.1339259
Applied Physics Letters, Vol. 78, Issue 2 (November 2001) , p. 225-227  
10.
4 p, 286.6 KB Mesoscopic approach to progressive breakdown in ultrathin SiO2 layers / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
The opening of a breakdown path across the ultrathin oxide layer in a metal-oxide-semiconductor structure caused by the application of electrical stress can be analyzed within the framework of the physics of mesoscopic conductors. [...]
2007 - 10.1063/1.2761831
Applied Physics Letters, Vol. 91, Issue 5 (July 2007) , p. 053502/1-053502/3  

Articles : 15 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Documents de recerca 2 registres trobats  
1.
204 p, 7.8 MB Modelización compacta de las características de conducción de dispositivos de conmutación resistiva / Blasco Solans, Juli, autor. ; Miranda, Enrique Alberto, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
La línea de investigación en la que se enmarca esta tesis doctoral se sitúa en torno a un modelo compacto para las características de conducción de estructuras metal-aislante-metal (MIM) en las que se observa el fenómeno de conmutación resistiva o como es más conocido en inglés, resistive switching (RS). [...]
The research area where this Ph. D thesis is framed is situated around a compact model for the conduction characteristics of metal-insulator-metal (MIM) structures in which resistive switching (RS) phenomena is observed. [...]

[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
2.
212 p, 4.3 MB Filamentos conductores de ruptura dieléctrica en aislantes delgados / Saura Mas, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La industria micro y nanoelectrónica requiere de múltiples líneas de investigación para la introducción de continuas mejoras en los dispositivos en términos de rendimiento, funcionalidad y escalabilidad. [...]
Micro and nanoelectronics industry requires multiple lines of research for introducing continuous improvements in electronic devices in terms of performance, functionality and scalability. One of these improvements focuses on the idea of using the dielectric breakdown phenomenon as a principle of operation of these devices. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015  

Materials acadèmics 23 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
5 p, 96.3 KB Components i Circuits Electrònics [102689] / Miranda, Enrique Alberto ; Claramunt Ruiz, Sergi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu global d'aquesta assignatura és proporcionar una visió general dels dispositius electrònics bàsics, fonamentalment díodes i transistors i dels models que s'empren per a l'anàlisi i disseny de circuits. [...]
2018-19
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
2.
6 p, 92.5 KB Compatibilitat Electromagnètica [102725] / Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu d'aquest curs és formar a estudiants del Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació en els models i mètodes de treball a l'àrea de la compatibilitat electromagnètica (EMC). Per a això es presentaran les formulacions bàsiques utilitzades per a la descripció de fenòmens d'interferència i compatibilitat electromagnètica. [...]
2018-19
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
3.
4 p, 78.4 KB Nanoelectronic Devices [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Feijoo Guerro, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological barriers, the research goals and the main evolution trends. [...]
2017-18
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  
4.
6 p, 77.6 KB Compatibilitat Electromagnètica [102725] / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aguila Moliner, Pau ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu d'aquest curs és formar a estudiants de la titulació de Enginyeria de Telecomunicació en els models i mètodes de treball a l'àrea de la compatibilitat electromagnètica (EMC). Per a això es presentaran les formulacions bàsiques utilitzades per a la descripció de fenòmens d'interferència i compatibilitat electromagnètica. [...]
2017-18
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
5.
5 p, 81.2 KB Components i Circuits Electrònics [102689] / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt Ruiz, Sergi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu global d'aquesta assignatura és proporcionar una visió general dels dispositius electrònics bàsics, fonamentalment díodes i transistors i dels models que s'empren per a l'anàlisi i disseny de circuits. [...]
2017-18
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
6.
5 p, 81.2 KB Components i Circuits Electrònics [102689] / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu global d'aquesta assignatura és proporcionar una visió general dels dispositius electrònics bàsics, fonamentalment díodes i transistors i dels models que s'empren per a l'anàlisi i disseny de circuits. [...]
2016-17
Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
Graduat o Graduada en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]  
7.
6 p, 77.3 KB Compatibilitat Electromagnètica [102725] / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu d'aquest curs és formar a estudiants de la titulació de Enginyeria de Telecomunicació en els models i mètodes de treball a l'àrea de la compatibilitat electromagnètica (EMC). Per a això es presentaran les formulacions bàsiques utilitzades per a la descripció de fenòmens d'interferència i compatibilitat electromagnètica. [...]
2016-17
Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
8.
6 p, 29.7 KB Compatibilitat Electromagnètica [102725] / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu d'aquest curs és formar a estudiants de la titulació de Enginyeria de Telecomunicació en els models i mètodes de treball a l'àrea de la compatibilitat electromagnètica (EMC). Per a això es presentaran les formulacions bàsiques utilitzades per a la descripció de fenòmens d'interferència i compatibilitat electromagnètica. [...]
2015-16
Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
9.
5 p, 28.8 KB Components i Circuits Electrònics [102689] / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu global d'aquesta assignatura és proporcionar una visió general dels dispositius electrònics bàsics, fonamentalment díodes i transistors i dels models que s'empren per a l'anàlisi i disseny de circuits. [...]
2015-16
Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
Graduat o Graduada en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]  
10.
6 p, 104.6 KB Compatibilitat Electromagnètica [102725] / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu d'aquest curs és formar a estudiants de la titulació de Enginyeria Electrònica de Telecomunicació en models i mètodes de treball a l'àrea de la compatibilitat electromagnètica (EMC). [...]
2014-15
Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  

Materials acadèmics : 23 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Vegeu també: autors amb noms similars
2 Miranda, Elisangela Matias
1 Miranda, Enrique Alberto,
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.