Resultats globals: 29 registres trobats en 0.05 segons.
Materials de curs, 20 registres trobats
Documents de recerca, 1 registres trobats
Articles, 8 registres trobats
Materials de curs 20 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
4 p, 78.4 KB Nanoelectronic Devices [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo Guerro, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological barriers, the research goals and the main evolution trends. [...]
2017-18
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  
2.
6 p, 77.6 KB Compatibilitat Electromagnètica [102725] / Miranda, Enrique Alberto ; Aguila Moliner, Pau ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu d'aquest curs és formar a estudiants de la titulació de Enginyeria de Telecomunicació en els models i mètodes de treball a l'àrea de la compatibilitat electromagnètica (EMC). Per a això es presentaran les formulacions bàsiques utilitzades per a la descripció de fenòmens d'interferència i compatibilitat electromagnètica. [...]
2017-18
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
3.
5 p, 81.2 KB Components i Circuits Electrònics [102689] / Miranda, Enrique Alberto ; Claramunt Ruiz, Sergi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu global d'aquesta assignatura és proporcionar una visió general dels dispositius electrònics bàsics, fonamentalment díodes i transistors i dels models que s'empren per a l'anàlisi i disseny de circuits. [...]
2017-18
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
4.
5 p, 81.2 KB Components i Circuits Electrònics [102689] / Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu global d'aquesta assignatura és proporcionar una visió general dels dispositius electrònics bàsics, fonamentalment díodes i transistors i dels models que s'empren per a l'anàlisi i disseny de circuits. [...]
2016-17
Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
Graduat o Graduada en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]  
5.
6 p, 77.3 KB Compatibilitat Electromagnètica [102725] / Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu d'aquest curs és formar a estudiants de la titulació de Enginyeria de Telecomunicació en els models i mètodes de treball a l'àrea de la compatibilitat electromagnètica (EMC). Per a això es presentaran les formulacions bàsiques utilitzades per a la descripció de fenòmens d'interferència i compatibilitat electromagnètica. [...]
2016-17
Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
6.
6 p, 29.7 KB Compatibilitat Electromagnètica [102725] / Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu d'aquest curs és formar a estudiants de la titulació de Enginyeria de Telecomunicació en els models i mètodes de treball a l'àrea de la compatibilitat electromagnètica (EMC). Per a això es presentaran les formulacions bàsiques utilitzades per a la descripció de fenòmens d'interferència i compatibilitat electromagnètica. [...]
2015-16
Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
7.
5 p, 28.8 KB Components i Circuits Electrònics [102689] / Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu global d'aquesta assignatura és proporcionar una visió general dels dispositius electrònics bàsics, fonamentalment díodes i transistors i dels models que s'empren per a l'anàlisi i disseny de circuits. [...]
2015-16
Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
Graduat o Graduada en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]  
8.
6 p, 104.6 KB Compatibilitat Electromagnètica [102725] / Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu d'aquest curs és formar a estudiants de la titulació de Enginyeria Electrònica de Telecomunicació en models i mètodes de treball a l'àrea de la compatibilitat electromagnètica (EMC). [...]
2014-15
Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
9.
5 p, 105.1 KB Components i Circuits Electrònics [102689] / Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu global d'aquesta assignatura és proporcionar una visió general dels dispositius electrònics bàsics, fonamentalment díodes i transistors i dels models que s'empren per a l'anàlisi i disseny de circuits. [...]
2014-15
Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
Graduat o Graduada en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]  
10.
6 p, 104.6 KB Compatibilitat Electromagnètica [102725] / Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
El objetivo de este curso es formar a estudiantes de la titulación de Enginyeria Electrònica de Telecomunicació en modelos y métodos de trabajo en el área de la compatibilidad electromagnética (EMC). [...]
2013-14  

Materials de curs : 20 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
212 p, 4.3 MB Filamentos conductores de ruptura dieléctrica en aislantes delgados / Saura Mas, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La industria micro y nanoelectrónica requiere de múltiples líneas de investigación para la introducción de continuas mejoras en los dispositivos en términos de rendimiento, funcionalidad y escalabilidad. [...]
Micro and nanoelectronics industry requires multiple lines of research for introducing continuous improvements in electronic devices in terms of performance, functionality and scalability. One of these improvements focuses on the idea of using the dielectric breakdown phenomenon as a principle of operation of these devices. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015  

Articles 8 registres trobats  
1.
4 p, 232.3 KB Effects of high-field electrical stress on the conduction properties of ultra-thin La2O3 films / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Molina, J. (Tokyo Institute of Technology. Frontier Collaborative Research Center) ; Kim, Y. (Tokyo Institute of Technology. Frontier Collaborative Research Center) ; Iwai, H. (Tokyo Institute of Technology. Frontier Collaborative Research Center) ; American Physical Society
Electron transport in high-field stressed metal-insulator-silicon devices with ultrathin (<5nm) lanthanum oxide layers is investigated. We show that the leakage current flowing through the structure prior to degradation is direct and Fowler-Nordheimtunneling conduction, while that after stress exhibits diode-like behavior with series and parallel resistances. [...]
2005 - 10.1063/1.1944890
Applied Physics Letters, Vol. 86, Issue 23 (June 2005) , p. 232104/1-232104/3  
2.
4 p, 309.7 KB Soft breakdown fluctuation events in ultrathin SiO2 layers / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
When an ultrathin (<5 nm) oxide is subjected to electrical stress, several soft-breakdown events can occur prior to the final dielectric breakdown. After the occurrence of such failure events, the current–voltage (I–V)characteristic corresponds to the superposition of highly conductive spots and background conduction through the undegraded capacitor area. [...]
1998 - 10.1063/1.121910
Applied Physics Letters, Vol. 73, Issue 4 (July 1998) , p. 490-492  
3.
4 p, 288.8 KB Modeling the breakdown spots in silicon dioxide films as point contacts / Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
Experiments and simulations are combined to demonstrate that the hard dielectric breakdown of thin SiO2 films in polycrystaline silicon/oxide/semiconductor structures leads to the formation of conduction paths with atomic-size dimensions which behave as point contacts between the silicon electrodes. [...]
1999 - 10.1063/1.124566
Applied Physics Letters, Vol. 75, Issue 7 (June 1999) , p. 959-961  
4.
4 p, 298.4 KB Mesoscopic approach to the soft breakdown failure mode in ultrathin SiO2 films / Miranda, Enrique Alberto (Universidad de Buenos Aires. Laboratorio de Física de Dispositivos-Microelectrónica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We present an analytic model for the soft breakdown failure mode in ultrathin SiO2 films based on the conduction theory through quantum point contacts. The breakdown path across the oxide is represented by a three-dimensional constriction in which, due to the lateral confinement of the electron wave functions, discrete transverse energy levels arise. [...]
2001 - 10.1063/1.1339259
Applied Physics Letters, Vol. 78, Issue 2 (November 2001) , p. 225-227  
5.
4 p, 286.6 KB Mesoscopic approach to progressive breakdown in ultrathin SiO2 layers / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
The opening of a breakdown path across the ultrathin oxide layer in a metal-oxide-semiconductor structure caused by the application of electrical stress can be analyzed within the framework of the physics of mesoscopic conductors. [...]
2007 - 10.1063/1.2761831
Applied Physics Letters, Vol. 91, Issue 5 (July 2007) , p. 053502/1-053502/3  
6.
4 p, 315.4 KB Electron transport through electrically induced nanoconstrictions in HfSiON gate stacks / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Falbo, P. (University of Calabria. Dipartimento di Elettronica Informatica e Sistemistica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crupi, F. (University of Calabria. Dipartimento di Elettronica Informatica e Sistemistica) ; American Physical Society
A microscopic picture for the progressive leakage current growth in electrically stressed HfxSi1−xON/SiON gate stacks in metal-oxide-semiconductor transistors based on the physics of mesoscopic conductors is proposed. [...]
2008 - 10.1063/1.2949748
Applied Physics Letters, Vol. 92, Issue 25 (June 2008) , p. 253505/1-253505/3  
7.
4 p, 345.8 KB Electrical characterization of the soft breakdown failure mode in MgO layers / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; O'Connor, E. (University College Cork. Tyndall National Institute) ; Hughes, G. (Dublin City University. School of Physical Sciences) ; Casey, P. (Dublin City University. School of Physical Sciences) ; Cherkaoui, K. (University College Cork. Tyndall National Institute) ; Monaghan, S. (University College Cork. Tyndall National Institute) ; Long, R. (University College Cork. Tyndall National Institute) ; O'Connell, D. (University College Cork. Tyndall National Institute) ; Hurley, P. K. (University College Cork. Tyndall National Institute) ; American Physical Society
The soft breakdown (SBD) failure mode in 20 nm thick MgO dielectric layers grown on Si substrates was investigated. We show that during a constant voltage stress, charge trapping and progressive breakdown coexist, and that the degradation dynamics is captured by a power-law time dependence. [...]
2009 - 10.1063/1.3167827
Applied Physics Letters, Vol. 95, Issue 1 (July 2009) , p. 012901/1-012901/3  
8.
4 p, 302.1 KB Progressive breakdown dynamics and entropy production in ultrathin SiO2 gate oxides / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
The progressive breakdown of ultrathin (≈2nm) SiO2 gate oxides subjected to constant electrical stress is investigated using a simple equivalent circuit model. It is shown how the interplay among series, parallel, and filamentary conductances that represent the breakdown path and its surroundings leads under certain hypothesis to a sigmoidal current-time characteristic compatible with the experimental observations. [...]
2011 - 10.1063/1.3602318
Applied Physics Letters, Vol. 98, Issue 25 (June 2011) , p. 253504/1-253504/3  

Vegeu també: autors amb noms similars
2 Miranda, Elisangela Matias
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.