Resultats globals: 54 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 21 registres trobats
Documents de recerca, 3 registres trobats
Materials acadèmics, 30 registres trobats
Articles 21 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
18 p, 693.6 KB On the application of a diffusive memristor compact model to neuromorphic circuits / Cisternas Ferri, Agustín (Universidad de Buenos Aires) ; Rapoport, Alan (Universidad de Buenos Aires) ; Fierens, Pablo I. (Instituto Tecnológico de Buenos Aires) ; Patterson, German A. (Instituto Tecnológico de Buenos Aires) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Memristive devices have found application in both random access memory and neuromorphic circuits. In particular, it is known that their behavior resembles that of neuronal synapses. However, it is not simple to come by samples of memristors and adjusting their parameters to change their response requires a laborious fabrication process. [...]
2019 - 10.3390/ma12142260
Materials, Vol. 12, Issue 14 (July 2019) , art. 2260  
2.
22 p, 713.4 KB A new method for estimating the conductive filament temperature in OxRAM devices based on escape rate theory / Rodríguez Fernández, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Muñoz Gorriz, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Because of the atomic nature of the system under study, an estimation of the temperature of the conductive filament (CF) in OxRAM devices as a function of the applied bias can only be obtained by means of indirect methods, usually electrothermal simulations. [...]
2018 - 10.1016/j.microrel.2018.06.120
Microelectronics reliability, Vol. 88-90 (September 2018) , p. 142-146
2 documents
3.
5 p, 647.7 KB Switching Voltage and Time Statistics of Filamentary Conductive Paths in HfO2-Based ReRAM Devices / Rodríguez Fernández, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cagli, Carlo (CEA (Grenoble, França)) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Switching voltage and time statistics of HfO2-based one transistor-one resistor structures are investigated with the aim of clarifying the underlying physical mechanism that governs the formation and rupture of filamentary paths in the insulating layer. [...]
2018 - 10.1109/LED.2018.2822047
IEEE electron device letters, Vol. 39, Issue 5 (May 2018) , p. 656-659  
4.
26 p, 1.0 MB Characterization of HfO2-based devices with indication of second order memristor effects / Rodríguez Fernández, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cagli, Carlo (CEA (Grenoble, França)) ; Perniola, Luca (CEA (Grenoble, França)) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Resistive switching is investigated in TiN/Ti/HfO (10 nm)/TiN devices in series with a NMOS transistor as selector in a 1T1R configuration. A complete electrical characterization of the devices is carried out using DC voltage loops, constant-voltage stressed and pulses with varying voltage amplitude and time width. [...]
2018 - 10.1016/j.mee.2018.04.006
Microelectronic engineering, Vol. 195 (August 2018) , p. 101-106
2 documents
5.
6 p, 666.5 KB Simple method for monitoring the switching activity in memristive cross-point arrays with line resistance effects / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Morell Pérez, Antoni (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Telecomunicació i Enginyeria de Sistemes) ; Muñoz Gorriz, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A simple method for monitoring the switching activity (forming, set, reset events and stuck-at-0/1 faults) in memristive cross-point arrays with line resistance effects is proposed. The method consists in correlating incremental current changes in a four-terminal configuration with the location of the switching cell within the array. [...]
2019 - 10.1016/j.microrel.2019.06.019
Microelectronics reliability, Vol. 100-101 (September 2019) , art. 113327
2 documents
6.
8 p, 3.6 MB Study on the Connection Between the Set Transient in RRAMs and the Progressive Breakdown of Thin Oxides / Aguirre, Fernando Leonel (Universidad Tecnológica Nacional (Buenos Aires, Argentina)) ; Rodríguez Fernández, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pazos, Sebastián Matías (Universidad Tecnológica Nacional (Buenos Aires, Argentina)) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Palumbo, Félix (Universidad Tecnológica Nacional (Buenos Aires, Argentina))
In this paper, the transition rate (TR) from the high-resistance state to the low-resistance state of a HfO-based resistive random access memory (RRAM) is investigated. The TR is statistically characterized by applying constant voltage stresses in the range from 0. [...]
2019 - 10.1109/TED.2019.2922555
IEEE transactions on electron devices, Vol. 66, Issue 8 (August 2019) , p. 3349-3355  
7.
6 p, 1.1 MB Analysis on the filament structure evolution in reset transition of Cu/HfO₂/Pt RRAM device / Zhang, Meiyun (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Long, Shibing (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Li, Yang (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Liu, Qi (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Lv, Hangbing (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Liu, Ming (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing))
The resistive switching (RS) process of resistive random access memory (RRAM) is dynamically correlated with the evolution process of conductive path or conductive filament (CF) during its breakdown (rupture) and recovery (reformation). [...]
2016 - 10.1186/s11671-016-1484-8
Nanoscale Research Letters, Vol. 11 (May 2016) , art. 269  
8.
8 p, 1.2 MB Voltage and power-controlled regimes in the progressive unipolar RESET transition of HfO₂-based RRAM / Long, Shibing (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Perniola, Luca (Laboratoire d'électronique des technologies de l'information. MINATEC) ; Cagli, Carlo (Laboratoire d'électronique des technologies de l'information. MINATEC) ; Buckley, Julien (Laboratoire d'électronique des technologies de l'information. MINATEC) ; Lian, Xiaojuan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pan, Feng (Tsinghua University. Laboratory of Advanced Materials) ; Liu, Ming (Chinese Academy of Sciences. Lab of Nanofabrication and Novel Device Integration) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Resistive switching (RS) based on the formation and rupture of conductive filament (CF) is promising in novel memory and logic device applications. Understanding the physics of RS and the nature of CF is of utmost importance to control the performance, variability and reliability of resistive switching memory (RRAM). [...]
2013 - 10.1038/srep02929
Scientific reports, Vol. 3, (October 2013) , art. 2929  
9.
6 p, 4.0 MB Resistive switching in hafnium dioxide layers : local phenomenon at grain Boundaries / Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica)) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Overcoming challenges associated with implementation of resistive random access memory technology for non-volatile information storage requires identifying the material characteristics responsible for resistive switching. [...]
2012 - 10.1063/1.4765342
Applied physics letters, Vol. 101 (2012) , p. 193502-1/193502-5  
10.
5 p, 1.3 MB Modeling of hysteretic Schottky diode-like conduction in Pt/BiFeO3/SrRuO3 switches / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Tsurumaki-Fukuchi, A. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)) ; Blasco, J. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Yamada, H. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sawa, A. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST))
The hysteresis current-voltage (I-V) loops in Pt/BiFeO3/SrRuO3 structures are simulated using a Schottky diode-like conduction model with sigmoidally varying parameters, including series resistance correction and barrier lowering. [...]
2014 - 10.1063/1.4894116
Applied physics letters, Vol. 105 (August 2014) , p. 82904-01/82904-04  

Articles : 21 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Documents de recerca 3 registres trobats  
1.
177 p, 12.1 MB Analysis and modeling of filamentary conduction in Hf0₂-based structures / Rodríguez Fernández, Alberto, autor. ; Miranda, Enrique Alberto, supervisor acadèmic. ; Bargalló González, Mireia, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Actualmente nos enfrentamos a una revolución en los campos de la microelectrónica y las tecnologías de la información y la comunicación, que seguramente afectaran nuestra forma de vida en los años venideros. [...]
We are currently facing a revolution in the fields of microelectronics and information technologies that will surely affect our way of life in the years to come. In this regard, the proposal of a memory device based on the combined action of ions and electrons is considered to be a breakthrough of our time. [...]

[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.
2 documents
2.
204 p, 7.8 MB Modelización compacta de las características de conducción de dispositivos de conmutación resistiva / Blasco Solans, Juli, autor. ; Miranda, Enrique Alberto, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La línea de investigación en la que se enmarca esta tesis doctoral se sitúa en torno a un modelo compacto para las características de conducción de estructuras metal-aislante-metal (MIM) en las que se observa el fenómeno de conmutación resistiva o como es más conocido en inglés, resistive switching (RS). [...]
The research area where this Ph. D thesis is framed is situated around a compact model for the conduction characteristics of metal-insulator-metal (MIM) structures in which resistive switching (RS) phenomena is observed. [...]

[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
3.
212 p, 4.3 MB Filamentos conductores de ruptura dieléctrica en aislantes delgados / Saura Mas, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La industria micro y nanoelectrónica requiere de múltiples líneas de investigación para la introducción de continuas mejoras en los dispositivos en términos de rendimiento, funcionalidad y escalabilidad. [...]
Micro and nanoelectronics industry requires multiple lines of research for introducing continuous improvements in electronic devices in terms of performance, functionality and scalability. One of these improvements focuses on the idea of using the dielectric breakdown phenomenon as a principle of operation of these devices. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015  

Materials acadèmics 30 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
5 p, 105.1 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo Guerro, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]

2020-21
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnolo [1360]
3 documents
2.
6 p, 103.1 KB Compatibilitat Electromagnètica [102725] / Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu d'aquest curs és formar a estudiants del Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació en els models i mètodes de treball a l'àrea de la compatibilitat electromagnètica (EMC). Per a això es presentaran les formulacions bàsiques utilitzades per a la descripció de fenòmens d'interferència i compatibilitat electromagnètica. [...]
El objetivo de este curso es formar a los estudiantes del grado de telecomunicaciones en los modelos y los metodos frecuentemente utilizados en el campo de la compatibilidad electromagnetica (EMC). Para este fin se presentaran las formulaciones basicas utilizadas para describir el fenomeno de interferencia y la compatibilidad electromagnetica en diversos sistemas. [...]

2020-21
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònic [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicaci [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
3.
5 p, 104.5 KB Components i Circuits Electrònics [102689] / Miranda, Enrique Alberto ; Claramunt Ruiz, Sergi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu global d'aquesta assignatura és proporcionar una visió general dels dispositius electrònics bàsics, fonamentalment díodes i transistors i dels models que s'empren per a l'anàlisi i disseny de circuits. [...]
El objetivo central de esta asignatura es la de proporcional al estudiante un marco general sobre la electrónica basica, incluyendo fundamentalmente diodos y transistores. Entender los principios físicos sobre los que se basan el funcionamiento de los semiconductores y dispositivos electrónicos y fotónicos. [...]

2020-21
Màster Universitari en Enginyeria de Telecomunicació / Telecommunication Engineering [1170]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònic [1206]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Tecnologies de la Informació) i Grau en Enginyeria de Sist [1207]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicaci [1365]
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
4.
5 p, 104.9 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo Guerro, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]

2019-20
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnolo [1360]
3 documents
5.
6 p, 103.2 KB Compatibilitat Electromagnètica [102725] / Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu d'aquest curs és formar a estudiants del Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació en els models i mètodes de treball a l'àrea de la compatibilitat electromagnètica (EMC). Per a això es presentaran les formulacions bàsiques utilitzades per a la descripció de fenòmens d'interferència i compatibilitat electromagnètica. [...]
El objetivo de este curso es formar a los estudiantes del grado de telecomunicaciones en los modelos y los metodos frecuentemente utilizados en el campo de la compatibilidad electromagnetica (EMC). Para este fin se presentaran las formulaciones basicas utilizadas para describir el fenomeno de interferencia y la compatibilidad electromagnetica en diversos sistemas. [...]

2019-20
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
6.
5 p, 104.1 KB Components i Circuits Electrònics [102689] / Miranda, Enrique Alberto ; Claramunt Ruiz, Sergi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu global d'aquesta assignatura és proporcionar una visió general dels dispositius electrònics bàsics, fonamentalment díodes i transistors i dels models que s'empren per a l'anàlisi i disseny de circuits. [...]
El objetivo central de esta asignatura es la de proporcional al estudiante un marco general sobre la electrónica basica, incluyendo fundamentalmente diodos y transistores. Entender los principios físicos sobre los que se basan el funcionamiento de los semiconductores y dispositivos electrónicos y fotónicos. [...]

2019-20
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
7.
4 p, 78.4 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo Guerro, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological drawbacks, the research goals and the main evolution trends. [...]
2018-19
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnolo [1360]  
8.
5 p, 81.2 KB Components i Circuits Electrònics [102689] / Miranda, Enrique Alberto ; Claramunt Ruiz, Sergi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu global d'aquesta assignatura és proporcionar una visió general dels dispositius electrònics bàsics, fonamentalment díodes i transistors i dels models que s'empren per a l'anàlisi i disseny de circuits. [...]
2018-19
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
9.
6 p, 77.3 KB Compatibilitat Electromagnètica [102725] / Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'objectiu d'aquest curs és formar a estudiants del Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació en els models i mètodes de treball a l'àrea de la compatibilitat electromagnètica (EMC). Per a això es presentaran les formulacions bàsiques utilitzades per a la descripció de fenòmens d'interferència i compatibilitat electromagnètica. [...]
2018-19
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
10.
4 p, 78.4 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Feijoo Guerro, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological barriers, the research goals and the main evolution trends. [...]
2017-18
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnolo [1360]  

Materials acadèmics : 30 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Vegeu també: autors amb noms similars
3 Miranda, E.
2 Miranda, Elisangela Matias
2 Miranda, Enrique Alberto,
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.