|
1.
|
|
222 p, 24.8 MB |
Semiconducting metal oxide structures with surface nanoscale interfaces for gas sensing
/
Tomić, Milena ;
Vallejos Vargas, Stella, dir. ;
Nafría i Maqueda, Montserrat, dir.
Aquesta tesi aborda el desenvolupament de sensors de gas basats en òxids metàl·lics estructurats (MOXs) no modificats i modificats amb materials de segona fase. Aquests sensors s'investiguen per la seva rellevància actual en aplicacions dirigides a reptes socials (medi ambient, seguretat, salut) i els materials són d'interès donat l'impacte que tenen en les propietats funcionals de el dispositiu sensor. [...]
Esta tesis aborda el desarrollo de sensores de gas basados en óxidos metálicos estructurados (MOXs) no modificados y modificados con materiales de segunda fase. Estos sensores se investigan debido a su relevancia actual en aplicaciones dirigidas a retos sociales (medio ambiente, seguridad, salud) y los materiales son de interes dado el impacto que tienen en las propiedades funcionales del dispositivo sensor. [...]
In this thesis, research on gas sensors based on non-modified and modified with second-phase materials structured metal oxides (MOXs) is presented. These types of sensors and materials are investigated due to the MOX sensors' relevance in current applications addressed to societal challenges, such as environment, security, and health, and impact of MOX materials on the functional properties of the sensor device. [...]
2021
|
|
|
2.
|
|
78 p, 5.4 MB |
Characterizationof FD-SOI transistor
/
Miranda Valls, Roger ;
Crespo Yepes, Albert, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Universitat Autònoma de Barcelona.
Escola d'Enginyeria
In this project, measurements have been made on FD-SOI transistors, fabricated by CEA-LETI, to carry out a characterization of these devices, since they are very new and need to be studied. This work has focused on characterizing the aging mechanism of the devices and the observed RTN. [...]
En aquest projecte s'han realitzat mesures en transistors FD-SOI, fabricats per CEA-LETI, per tal de dur a terme una caracterització d'aquests dispositius, ja que són molt nous i necessiten de ser estudiats. [...]
En este proyecto se han realizado medidas en transistores FD-SOI, fabricados por CEA-LETI, para llevar a cabo una caracterización de estos dispositivos, puesto que son muy nuevos y necesitan de ser estudiados. [...]
2020
Màster Universitari en Enginyeria de Telecomunicació / Telecommunication Engineering [1170]
|
|
|
3.
|
|
198 p, 15.8 MB |
Diseño, fabricación y caracterización de dispositivos de conmutación resistiva basados en estructuras TiN/Ti/HfO2/W
/
Poblador Cester, Samuel ;
Campabadal, Francesca, dir. ;
Bargallo Gonzalez, Mireia, dir. ;
Nafría i Maqueda, Montserrat, dir.
Als darrers anys s'ha generat un gran interès pels dispositius de commutació resistiva degut al potencial que presenten per revolucionar el món de l'electrònica. Aquesta tesi doctoral se centra en el disseny, la fabricació i la caracterització d'aquests dispositius amb una combinació concreta de materials, TiN/Ti/HfO2/W, que permeten una integració total amb les actuals tecnologies de fabricació nano i microelectrónica i que presenten un tipus de commutació resistiva bipolar basada en la creació i dissolució parcial de filaments conductors nanomètrics. [...]
En los últimos años se ha suscitado un gran interés por los dispositivos de conmutación resistiva debido al potencial que poseen para revolucionar el mundo de la electrónica. Esta tesis se centra en el diseño, la fabricación y la caracterización de estos dispositivos con una combinación concreta de materiales, TiN/Ti/HfO2/W, que permiten una integración total con las actuales tecnologías de fabricación nano y microelectrónica y que presentan un tipo de conmutación resistiva bipolar basada en la creación y disolución parcial de filamentos conductores nanométricos. [...]
In recent years, there has been a great interest in resistive switching devices due to their potential to revolutionize the world of electronics. This thesis focuses on the design, fabrication and characterisation of this type of devices with a specific combination of materials, TiN/Ti/HfO2/W, which allows full integration with current nano and microelectronic fabrication technologies and shows bipolar resistive switching that is based on the creation and partial dissolution of nanometric conductive filaments. [...]
2021
|
|
|
4.
|
|
121 p, 5.1 MB |
Implementation of unsupervised learning mechanisms on OxRAM devices for neuromorphic computing applications
/
Pedró Puig, Marta ;
Martin Martinez, Javier, dir. ;
Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. ;
Universitat Autònoma de Barcelona.
Departament d'Enginyeria Electrònica
La present tesi recull els resultats de la recerca orientada a aportar una metodologia de caracterització elèctrica, modelat i simulació per a dispositius de commutació resistiva, quan es consideren aplicacions de computació neuromòrfica basades en aprenentatge no-supervisat, àmpliament demandades en l'actualitat com a solució de baix consum a les següents problemàtiques: per una banda, la limitació de la velocitat en la transferència de dades entre les unitats de memoria i processament que té lloc en les arquitectures de computador convencional (von Neumann). [...]
The present thesis compiles the results of the research oriented to provide a methodology for the electrical characterization, modeling and simulation of resistive switching devices, taking into consideration neuromorphic applications based on unsupervised learning This is widely demanded today as a low-consumption solution to the following issues: on the one hand, the speed limitations that take place in data transfer between the memory and processing units that takes place in conventional computer architectures. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.
|
|
|
5.
|
|
157 p, 7.5 MB |
Caracterización de la variabilidad dependiente del tiempo de MOSFETs ultraescalados para su modelado compacto
/
Moras Albero, Miquel ;
Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. ;
Martin Martinez, Javier, dir. ;
Universitat Autònoma de Barcelona.
Departament d'Enginyeria Electrònica
El transistor MOSFET es uno de los dispositivos más utilizados en multitud de aplicaciones electrónicas gracias a sus excelentes características de funcionamiento, su bajo consumo y su gran capacidad de miniaturización. [...]
MOSFET transistor is one of the most used device many applications thanks to its excellent operation characteristics, low power consumption and high miniaturization capability. The microelectronic technology progress has allowed reducing the MOSFET dimensions, which has led to improve the performance of integrated circuits (IC). [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.
|
|
|
6.
|
|
|
7.
|
|
131 p, 7.4 MB |
Variabilitat depenent del temps per BTI i portadors calents en MOSFETS ultraescalats
/
Ayala Cintas, Núria ;
Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Universitat Autònoma de Barcelona.
Departament d'Enginyeria Electrònica
Durant el treball de tesi s'ha permès ampliar una línia d'investigació al grup de recerca REDEC (Reliability of Electron Device and Circuits) del Departament d'Enginyeria Electrònica de la Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), dedicada a la fiabilitat del transistors MOSFET nanoelectrònics. [...]
This thesis was carried out within one of the several lines of investigation of the REDEC (Reliability of Electron Device and Circuits) from Department of Electronic Engineering, located at the Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), which marks its research activities. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013
|
|
|
8.
|
|
|
9.
|
|
38 p, 1.8 MB |
Caracterització a escala nanomètrica de la degradació i ruptura dielèctrica del SiO2 en dispositius MOS mitjançant C-AFM
/
Porti i Pujal, Marc ;
Aymerich Humet, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
La progressiva reducció del gruix de l'òxid de porta (SiO2) en dispositius MOS sense el corresponent escalat en tensions, ha donat lloc a l'aparició de mecanismes de fallada (ruptura forta, HBD; ruptura suau, SBD; ruptura progressiva, PBD; o corrents de fuites, SILC) que en limiten la seva fiabilitat. [...]
The progressive decrease of the gate oxide (SiO2) thickness in MOS devices without the corresponding bias voltages scaling, has provoked the appearance of failure mechanisms (hard breakdown, HBD; soft breakdown, SBD; progressive breakdown, PBD; and the stress induced leakage current, SILC) that limit the oxide reliability. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2003
3 documents
|
|
|
10.
|
|
64 p, 4.0 MB |
Caracterització elèctrica de dielèctrics de porta de dispositius MOS amb CAFM : SiO2 i dielèctrics d'alta permitivitat
/
Blasco Jiménez, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Des dels seus inicis fa unes quatre dècades, la tecnologia microelectrònica ha anat reduint contínuament les dimensions dels dispositius, per tal d'oferir millors prestacions. Actualment les dimensions d'interès dels dispositius han entrat profundament en el rang nanomètric. [...]
Desde sus inicios hace unas cuatro décadas, la tecnología microelectrónica ha ido reduciendo continuamente las dimensiones de los dispositivos, para ofrecer mejores prestaciones. Actualmente las dimensiones de interés de los dispositivos han entrado profundamente en el rango nanométrico. [...]
Since its early days, microelectronics has always searched for smaller devices in order to increase the performance of its products. At present, this means that the dimensions of the electronic devices have deeply entered into the nanometric range. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2006
2 documents
|
|
visitant ::
identificació
alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al 
canal RSS.
