Resultats globals: 127 registres trobats en 0.04 segons.
Articles, 62 registres trobats
Documents de recerca, 11 registres trobats
Materials acadèmics, 54 registres trobats
Articles 62 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
Determination of the time constant distribution of a defect-centric time-dependent variability model for Sub-100-nm FETs / Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
The origin of some time-dependent variability phenomena in FET technologies has been attributed to the charge carrier trapping/detrapping activity of individual defects present in devices. Although some models have been presented to describe these phenomena from the so-called defect-centric perspective, limited attention has been paid to the complex process that goes from the experimental data of the phenomena up to the final construction of the model and all its components, specifically the one that pertains to the time constant distribution. [...]
2022 - 10.1109/TED.2022.3198383
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 69, issue 10 (Oct. 2022) , p. 5424-5429  
2.
CMOS inverter performance degradation and its correlation with BTI, HCI and OFF state MOSFETs aging / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nasarre, C. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garsot, N. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, CMOS inverters are subjected to electrical stress emulating a complete operation cycle and the shifts in the performance parameters (i. e. , peak current and inversion voltage) evaluated. [...]
2022 - 10.1016/j.sse.2022.108264
Solid-state electronics, Vol. 191 (May 2022) , art. 108264  
3.
On the impact of the biasing history on the characterization of random telegraph noise / Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla)
Random telegraph noise (RTN) is a time-dependent variability phenomenon that has gained increased attention during the last years, especially in deeply scaled technologies. In particular, there is a wide variety of works presenting different techniques designed to analyze current traces in scaled FET devices displaying RTN, and others focused on modeling the phenomenon using the parameters extracted through such techniques. [...]
2022 - 10.1109/TIM.2022.3166195
IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, Vol. 71 (2022) , art. 2003410  
4.
A Smart Measurement System for the Combined Nanoscale and Device Level Characterization of Electron Devices : Implementation Using Ink-Jet Printing Technologies / Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Arrese, Javier (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cirera, Albert (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this article, the integration into a single measurement system of device level and nanoscale measurement equipment is presented and applied to the electrical characterization of emerging electron devices. [...]
2023 - 10.1109/TNANO.2023.3234357
IEEE Transactions on Nanotechnology, Vol. 22 (January 2023) , p. 28-35  
5.
Impact of OFF-State, HCI and BTI degradation in FDSOI Ω-gate NW-FETs / Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bernal, D. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the degradation of N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs caused by OFF-State stress under different conditions has been experimentally studied and compared with the effects of positive/negative BTI and HCI aging. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108625
Solid-state electronics, Vol. 203 (May 2023) , art. 108625  
6.
Comparison of OFF-State, HCI and BTI degradation in FDSOI Ω-gate NW-FETs / Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bernal, D. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the degradation of N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs caused by OFF-State stress under different conditions has been experimentally studied and compared with the effects of positive/negative BTI and HCI aging. [...]
2022 - 10.1016/j.sse.2022.108324
Solid-state electronics, Vol. 194 (Aug. 2022) , art. 108324  
7.
Resistive switching like-behavior in FD-SOI Ω-gate transistors / Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the Resistive switching (RS) phenomenon is experimentally investigated in N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs with high-k dielectric. The location along the channel of the conductive filament through the device dielectric during switching is analyzed. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108759
Solid-state electronics, Vol. 209 (November 2023) , art. 108759  
8.
Exploitation of OTFTs variability for PUFs implementation and impact of aging / Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Palau, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Arnal Rus, August (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ogier, Simon (SmartKem Ltd.) ; Ramon, Eloi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Commercial Organic Thin Film Transistors (OTFT) have been characterized to evaluate their variability and reliability. The feasibility of implementing Physical Unclonable Functions (PUFs) based on these devices has been evaluated, taking advantage of the high variation in the electrical characteristics among different OTFTs. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108698
Solid-state electronics, Vol. 207 (Sep. 2023) , art. 108698  
9.
Random Telegraph Noise and Bias Temperature Instabilities statistical characterization of Ω-gate FDSOI devices at low voltages / Pedreira Rincon, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Amat Bertran, Esteve (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Random Telegraph Noise (RTN) and Bias Temperature Instabilities (BTI) are two mechanisms that can significantly reduce the performance and reliability of integrated circuits. In scaled devices, both phenomena are stochastic, so that a statistical analysis is required to accurately evaluate their impact on a particular technology. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108735
Solid-state electronics, Vol. 209 (November 2023) , art. 108735  
10.
5 p, 494.4 KB Oxide Breakdown Spot Spatial Patterns as Fingerprints for Optical Physical Unclonable Functions / Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Redon, Miquel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Muñoz Gorriz, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Dielectric Breakdown (BD) of the gate oxide in a Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) or Metal-Insulator-Metal (MIM) structure has been traditionally considered a major drawback since such event can seriously affect the electrical performance of the circuit containing the device. [...]
2023 - 10.1109/LED.2023.3301974
IEEE electron device letters, Vol. 44, Issue 10 (October 2023) , p. 1600-1603  

Articles : 62 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Documents de recerca 11 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
57 p, 10.9 MB Study of dependencies on the operating conditions of RTN signals in nanoelectronic CMOS devices / El Bouinany El Haitout, Nouhaila ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Over the past years, Complementary Metal Oxide Silicon (CMOS) technology has played an increasingly important role in the world's integrated circuit industry, and for the present and foreseeable future, CMOS will remain the dominant technology used to fabricate integrated circuits (ICs). [...]
2024
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
2.
222 p, 24.8 MB Semiconducting metal oxide structures with surface nanoscale interfaces for gas sensing / Tomić, Milena ; Vallejos Vargas, Stella, dir. ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir.
Aquesta tesi aborda el desenvolupament de sensors de gas basats en òxids metàl·lics estructurats (MOXs) no modificats i modificats amb materials de segona fase. Aquests sensors s'investiguen per la seva rellevància actual en aplicacions dirigides a reptes socials (medi ambient, seguretat, salut) i els materials són d'interès donat l'impacte que tenen en les propietats funcionals de el dispositiu sensor. [...]
Esta tesis aborda el desarrollo de sensores de gas basados en óxidos metálicos estructurados (MOXs) no modificados y modificados con materiales de segunda fase. Estos sensores se investigan debido a su relevancia actual en aplicaciones dirigidas a retos sociales (medio ambiente, seguridad, salud) y los materiales son de interes dado el impacto que tienen en las propiedades funcionales del dispositivo sensor. [...]
In this thesis, research on gas sensors based on non-modified and modified with second-phase materials structured metal oxides (MOXs) is presented. These types of sensors and materials are investigated due to the MOX sensors' relevance in current applications addressed to societal challenges, such as environment, security, and health, and impact of MOX materials on the functional properties of the sensor device. [...]

2021  
3.
78 p, 5.4 MB Characterizationof FD-SOI transistor / Miranda Valls, Roger ; Crespo Yepes, Albert, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
In this project, measurements have been made on FD-SOI transistors, fabricated by CEA-LETI, to carry out a characterization of these devices, since they are very new and need to be studied. This work has focused on characterizing the aging mechanism of the devices and the observed RTN. [...]
En aquest projecte s'han realitzat mesures en transistors FD-SOI, fabricats per CEA-LETI, per tal de dur a terme una caracterització d'aquests dispositius, ja que són molt nous i necessiten de ser estudiats. [...]
En este proyecto se han realizado medidas en transistores FD-SOI, fabricados por CEA-LETI, para llevar a cabo una caracterización de estos dispositivos, puesto que son muy nuevos y necesitan de ser estudiados. [...]

2020
Màster Universitari en Enginyeria de Telecomunicació / Telecommunication Engineering [1170]  
4.
198 p, 15.8 MB Diseño, fabricación y caracterización de dispositivos de conmutación resistiva basados en estructuras TiN/Ti/HfO2/W / Poblador Cester, Samuel ; Campabadal, Francesca, dir. ; Bargallo Gonzalez, Mireia, dir. ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir.
Als darrers anys s'ha generat un gran interès pels dispositius de commutació resistiva degut al potencial que presenten per revolucionar el món de l'electrònica. Aquesta tesi doctoral se centra en el disseny, la fabricació i la caracterització d'aquests dispositius amb una combinació concreta de materials, TiN/Ti/HfO2/W, que permeten una integració total amb les actuals tecnologies de fabricació nano i microelectrónica i que presenten un tipus de commutació resistiva bipolar basada en la creació i dissolució parcial de filaments conductors nanomètrics. [...]
En los últimos años se ha suscitado un gran interés por los dispositivos de conmutación resistiva debido al potencial que poseen para revolucionar el mundo de la electrónica. Esta tesis se centra en el diseño, la fabricación y la caracterización de estos dispositivos con una combinación concreta de materiales, TiN/Ti/HfO2/W, que permiten una integración total con las actuales tecnologías de fabricación nano y microelectrónica y que presentan un tipo de conmutación resistiva bipolar basada en la creación y disolución parcial de filamentos conductores nanométricos. [...]
In recent years, there has been a great interest in resistive switching devices due to their potential to revolutionize the world of electronics. This thesis focuses on the design, fabrication and characterisation of this type of devices with a specific combination of materials, TiN/Ti/HfO2/W, which allows full integration with current nano and microelectronic fabrication technologies and shows bipolar resistive switching that is based on the creation and partial dissolution of nanometric conductive filaments. [...]

2021  
5.
121 p, 5.1 MB Implementation of unsupervised learning mechanisms on OxRAM devices for neuromorphic computing applications / Pedró Puig, Marta ; Martin Martinez, Javier, dir. ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La present tesi recull els resultats de la recerca orientada a aportar una metodologia de caracterització elèctrica, modelat i simulació per a dispositius de commutació resistiva, quan es consideren aplicacions de computació neuromòrfica basades en aprenentatge no-supervisat, àmpliament demandades en l'actualitat com a solució de baix consum a les següents problemàtiques: per una banda, la limitació de la velocitat en la transferència de dades entre les unitats de memoria i processament que té lloc en les arquitectures de computador convencional (von Neumann). [...]
The present thesis compiles the results of the research oriented to provide a methodology for the electrical characterization, modeling and simulation of resistive switching devices, taking into consideration neuromorphic applications based on unsupervised learning This is widely demanded today as a low-consumption solution to the following issues: on the one hand, the speed limitations that take place in data transfer between the memory and processing units that takes place in conventional computer architectures. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
6.
157 p, 7.5 MB Caracterización de la variabilidad dependiente del tiempo de MOSFETs ultraescalados para su modelado compacto / Moras Albero, Miquel ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. ; Martin Martinez, Javier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El transistor MOSFET es uno de los dispositivos más utilizados en multitud de aplicaciones electrónicas gracias a sus excelentes características de funcionamiento, su bajo consumo y su gran capacidad de miniaturización. [...]
MOSFET transistor is one of the most used device many applications thanks to its excellent operation characteristics, low power consumption and high miniaturization capability. The microelectronic technology progress has allowed reducing the MOSFET dimensions, which has led to improve the performance of integrated circuits (IC). [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
7.
160 p, 6.8 MB TCAD study of interface traps-related variability in ultra-scaled MOSFETs / Velayudhan, Vikas ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El trabajo desarrollado en esta tesis se ha enfocado en el análisis y estudio del impacto que tienen en la variabilidad de MOSFETs ultraescalados el número y la distribución espacial de las trampas interficiales. [...]
The work developed in this thesis has focused on the analysis and study of the impact on the variability of ultra-scaled MOSFETs due to the number and spatial distribution of interfacial traps. In the study, the number of locations where traps were located were randomly varied, but the total charge in the entire device was always maintained constant. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016  
8.
131 p, 7.4 MB Variabilitat depenent del temps per BTI i portadors calents en MOSFETS ultraescalats / Ayala Cintas, Núria ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Durant el treball de tesi s'ha permès ampliar una línia d'investigació al grup de recerca REDEC (Reliability of Electron Device and Circuits) del Departament d'Enginyeria Electrònica de la Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), dedicada a la fiabilitat del transistors MOSFET nanoelectrònics. [...]
This thesis was carried out within one of the several lines of investigation of the REDEC (Reliability of Electron Device and Circuits) from Department of Electronic Engineering, located at the Universitat Autònoma de Barcelona (UAB), which marks its research activities. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
9.
89 p, 1.1 MB Desarrollo de un simulador para el estudio de la ruptura dieléctrica en circuitos CMOS / Vileta Incausa, José Carlos ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
2011  
10.
38 p, 1.8 MB Caracterització a escala nanomètrica de la degradació i ruptura dielèctrica del SiO2 en dispositius MOS mitjançant C-AFM / Porti i Pujal, Marc ; Aymerich Humet, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
La progressiva reducció del gruix de l'òxid de porta (SiO2) en dispositius MOS sense el corresponent escalat en tensions, ha donat lloc a l'aparició de mecanismes de fallada (ruptura forta, HBD; ruptura suau, SBD; ruptura progressiva, PBD; o corrents de fuites, SILC) que en limiten la seva fiabilitat. [...]
The progressive decrease of the gate oxide (SiO2) thickness in MOS devices without the corresponding bias voltages scaling, has provoked the appearance of failure mechanisms (hard breakdown, HBD; soft breakdown, SBD; progressive breakdown, PBD; and the stress induced leakage current, SILC) that limit the oxide reliability. [...]

Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2003
3 documents

Documents de recerca : 11 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Materials acadèmics 54 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
5 p, 107.9 KB Caracterització Elèctrica i Fiabilitat [43431] / Nafría i Maqueda, Montserrat ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Aquest mòdul té per objectiu abordar la caracterització elèctrica en dispositius nanoelectrònics per avaluar les seves prestacions i la seva fiabilitat.
This module aims to address the electrical characterization in nanoelectronic devices to assess their performance and reliability.
Este módulo tiene por objetivo abordar la caracterización eléctrica en dispositivos nanoelectrónicos para evaluar sus prestaciones y su fiabilidad.

2023-24
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
2.
6 p, 107.0 KB Instrumentació I [102736] / Nafría i Maqueda, Montserrat ; Porti Pujal, Marc ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Descriure els principis, arquitectures i limitacions dels sistemes de mesura. Identificar i emprar diferents tècniques de transducció i els circuits electrònics bàsics necessaris per a l'acondicionament i processat del senyal.
Describe the principles, architectures and limitations of measurement systems. Identify and use different transduction techniqu.
Describir los principios, arquitecturas y limitaciones de los sistemas de medida. Identificar y emplear diferentes técnicas de tra.

2023-24
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
3.
6 p, 107.4 KB Instrumentació II [102735] / Porti Pujal, Marc ; Nafría i Maqueda, Montserrat ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Descriure el principi de funcionament dels conversors A/D i D/A, de les tarjes d'adquisició de dades i de diferents instruments electrònics de propòsit general, per introduir les especificacions que els caracteritzen, així com delimitar els errors que poden cometre's en una mesura. [...]
Describe the working principle of the A/D and D/A converters, the data acquisition cards and different general purpose electronic instruments, to introduce the specifications that characterize them, as well as to define the errors that can be committed in a measure. [...]
Describir el principio de funcionamiento de los conversores A/D y D/A, de las tarjetas de adquisición de datos y de diferentes instrumentos electrónicos de propósito general, para introducir las especificaciones que los caracterizan, así como delimitar los errores que pueden cometerse en una medida. [...]

2023-24
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
4.
6 p, 109.9 KB Electrònica Analògica [102688] / Nafría i Maqueda, Montserrat ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Descriure les principals característiques i fer servir els components i circuits bàsics de l'electrònica analògica. Analitzar les característiques de resposta temporal i frequencial dels circuits i components analògics bàsics. [...]
Describe the main features and use the basic components and circuits of analog electronics. Analyze the temporal and frequency response characteristics of the circuits and basic analog components. Design simple analog circuits based on their specifications. [...]
Describir las principales características y usar los componentes y circuitos básicos de la electrónica analógica. Analizar las características de respuesta temporal y frecuencial de los circuitos y componentes analógicos básicos. [...]

2023-24
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Tecnologies de la Informació) i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1207]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
5.
4 p, 106.2 KB Caracterització Elèctrica i Fiabilitat [43431] / Nafría i Maqueda, Montserrat ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Aquest mòdul té per objectiu abordar la caracterització elèctrica en dispositius nanoelectrònics per avaluar les seves prestacions i la seva fiabilitat.
This module aims to address the electrical characterization in nanoelectronic devices to assess their performance and reliability.
Este módulo tiene por objetivo abordar la caracterización eléctrica en dispositivos nanoelectrónicos para evaluar sus prestaciones y su fiabilidad.

2022-23
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
6.
5 p, 105.8 KB Instrumentació I [102736] / Nafría i Maqueda, Montserrat ; Porti Pujal, Marc ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Descriure els principis, arquitectures i limitacions dels sistemes de mesura. Identificar i emprar diferents tècniques de transducció i els circuits electrònics bàsics necessaris per a l'acondicionament i processat del senyal.
Describe the principles, architectures and limitations of measurement systems. Identify and use different transduction techniqu.
Describir los principios, arquitecturas y limitaciones de los sistemas de medida. Identificar y emplear diferentes técnicas de tra.

2022-23
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
7.
6 p, 109.0 KB Electrònica Analògica [102688] / Nafría i Maqueda, Montserrat ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Descriure les principals característiques i fer servir els components i circuits bàsics de l'electrònica analògica. Analitzar les característiques de resposta temporal i frequencial dels circuits i components analògics bàsics. [...]
Describe the main features and use the basic components and circuits of analog electronics. Analyze the temporal and frequency response characteristics of the circuits and basic analog components. Design simple analog circuits based on their specifications. [...]
Describir las principales características y usar los componentes y circuitos básicos de la electrónica analógica. Analizar las características de respuesta temporal y frecuencial de los circuitos y componentes analógicos básicos. [...]

2022-23
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Tecnologies de la Informació) i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1207]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
8.
4 p, 106.8 KB Caracterització Elèctrica i Fiabilitat [43431] / Nafría i Maqueda, Montserrat ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Aquest mòdul té per objectiu abordar la caracterització elèctrica en dispositius nanoelectrònics per avaluar les seves prestacions i la seva fiabilitat.
This module aims to address the electrical characterization in nanoelectronic devices to assess their performance and reliability.
Este módulo tiene por objetivo abordar la caracterización eléctrica en dispositivos nanoelectrónicos para evaluar sus prestaciones y su fiabilidad.

2021-22
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
9.
5 p, 105.5 KB Instrumentació I [102736] / Nafría i Maqueda, Montserrat ; Porti Pujal, Marc ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Descriure els principis, arquitectures i limitacions dels sistemes de mesura. Identificar i emprar diferents tècniques de transducció i els circuits electrònics bàsics necessaris per a l'acondicionament i processat del senyal.
Describe the principles, architectures and limitations of measurement systems. Identify and use different transduction techniqu.
Describir los principios, arquitecturas y limitaciones de los sistemas de medida. Identificar y emplear diferentes técnicas de tra.

2021-22
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents
10.
6 p, 109.5 KB Electrònica Analògica [102688] / Nafría i Maqueda, Montserrat ; Uranga del Monte, Maria Aránzazu ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Descriure les principals característiques i fer servir els components i circuits bàsics de l'electrònica analògica. Analitzar les característiques de resposta temporal i frequencial dels circuits i components analògics bàsics. [...]
Describe the main features and use the basic components and circuits of analog electronics. Analyze the temporal and frequency response characteristics of the circuits and basic analog components. Design simple analog circuits based on their specifications. [...]
Describir las principales características y usar los componentes y circuitos básicos de la electrónica analógica. Analizar las características de respuesta temporal y frecuencial de los circuitos y componentes analógicos básicos. [...]

2021-22
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Tecnologies de la Informació) i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1207]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documents

Materials acadèmics : 54 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Vegeu també: autors amb noms similars
2 Nafria, M
1 Nafria, M.
1 Nafría, M.
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.