Resultats globals: 58 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 18 registres trobats
Documents de recerca, 7 registres trobats
Materials acadèmics, 33 registres trobats
Articles 18 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
25 p, 4.0 MB Stochastic Schrödinger equations and conditional states : a general non-markovian quantum electron transport simulator for THz electronics / Pandey, Devashish (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Colomés, Enrique ; Albareda Guillermo (Max Planck Institute for the Structure and Dynamics of Matter and Center for Free-Electron Laser Science (Alemanya)) ; Oriols Pladevall, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A prominent tool to study the dynamics of open quantum systems is the reduced density matrix. Yet, approaching open quantum systems by means of state vectors has well known computational advantages. [...]
2019 - 10.3390/e21121148
Entropy, Vol. 21 (2019) , p. 1-25  
2.
21 p, 2.0 MB A proposal for evading the measurement uncertainty in classical and quantum computing : Application to a resonant tunneling diode and a Mach-Zehnder interferometer / Pandey, Devashish (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bellentani, Laura (Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia (Itàlia)) ; Villani, Matteo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Albareda Guillermo (Max Planck Institute for the Structure and Dynamics of Matter and Center for Free-Electron Laser Science (Alemanya)) ; Bordone, Paolo (Università degli Studi di Modena e Reggio Emilia (Itàlia)) ; Oriols Pladevall, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Measuring properties of quantum systems is governed by a stochastic (collapse or state-reduction) law that unavoidably yields an uncertainty (variance) associated with the corresponding mean values. This non-classical source of uncertainty is known to be manifested as noise in the electrical current of nanoscale electron devices, and hence it can flaw the good performance of more complex quantum gates. [...]
2019 - 10.3390/app9112300
Applied sciences, Vol. 9, Issue 11 (June 2019) , art. 2300  
3.
4 p, 729.8 KB "Klein tunneling" : un fenòmen exòtic amb implicacions en la velocitat dels dispositius electrònics de grafè / Pandey, Devashish (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Oriols Pladevall, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A causa de les seves propietats extraordinàries, el grafè s'estudia com un material nou molt prometedor per a l'electrònica. La dinàmica d'electrons en el grafè està modelada per l'equació de Dirac que presenta un fenomen exòtic de túnels anomenat "Klein tunneling": una transmissió perfecta d'electrons quan aquests incideixen perpendicularment a una barrera de potencial (independentment de l'alçada de la barrera).
2019
UAB divulga, Juny 2019, p. 1-4  
4.
4 p, 330.0 KB Quantum Monte Carlo simulation of resonant tunneling diodes based on the Wigner distribution function formalism / García García, Juan José (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Oriols Pladevall, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
A tool for the simulation of resonant tunneling diodes (RTDs) has been developed. This is based on the solution of the quantum Liouville equation in the active region of the device and the Boltzman transport equation in the regions adjacent to the contacts by means of a Monte Carlo algorithm. [...]
1998 - 10.1063/1.122800
Applied physics letters, Vol. 73, Num. 24 (December 1998) , p. 3539-3541  
5.
4 p, 339.1 KB Bohm trajectories for the Monte Carlo simulation of quantum-based devices / Oriols Pladevall, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; García García, Juan José (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; González, T. (Universidad de Salamanca. Departament de Fı́sica Aplicada) ; Mateos, J. (Universidad de Salamanca. Departament de Fı́sica Aplicada) ; Pardo, D. (Universidad de Salamanca. Departament de Fı́sica Aplicada) ; American Physical Society
A generalization of the classical ensemble Monte Carlo(MC) device simulation technique is proposed to simultaneously deal with quantum-mechanical phase-coherence effects and scattering interactions in quantum-based devices. [...]
1998 - 10.1063/1.120899
Applied physics letters, Vol. 72, Issue 7 (February 1998) , p. 806-808  
6.
4 p, 297.3 KB Simple model to study soliton wave propagation in periodic-loaded nonlinear transmission lines / Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Oriols Pladevall, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
A model to study soliton propagation characteristics in nonlinear transmission lines (NLTLs) periodically loaded with voltage dependent capacitances is presented. This is based on the LC ladder equivalent network of the NLTL, and can be applied to structures where the Korteweg-de Vries approach does not hold. [...]
2001 - 10.1063/1.1369619
Applied physics letters, Vol. 78, Issue 18 (March 2001) , p. 2802-2804  
7.
4 p, 474.9 KB Approach to study the noise properties in nanoscale electronic devices / Oriols Pladevall, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
An approach to study the noisecharacteristics in mesoscopic devices is presented. It extends, via quantum trajectories, the classical particle Monte Carlo techniques to devices where quantum nonlocal effects are important. [...]
2001 - 10.1063/1.1402651
Applied physics letters, Vol. 79, Issue 11 (July 2001) , p. 1703-1705  
8.
4 p, 300.8 KB High frequency components of current fluctuations in semiconductor tunneling barriers / Oriols Pladevall, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
The power spectral density of current noise in phase-coherent semiconductortunneling scenarios is studied in terms of Bohm trajectories associated to time-dependent wave packets. In particular, the influence of the particles reflected by the barrier on the noise spectrum is analyzed. [...]
2002 - 10.1063/1.1482136
Applied physics letters, Vol. 80, Issue 21 (May 2002) , p. 4048-4050  
9.
4 p, 314.0 KB Self-consistent simulation of quantum shot noise in nanoscale electron devices / Oriols Pladevall, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Trois, A. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Blouin, G. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
An approach for studying shot noise in mesoscopic systems that explicitly includes the Coulomb interaction among electrons, by self-consistently solving the Poisson equation, is presented. As a test, current fluctuations on a standard resonant tunneling diode are simulated in agreement with previous predictions and experimental results. [...]
2004 - 10.1063/1.1806546
Applied physics letters, Vol. 85, Num. 16 (October 2004) , p. 3596-3598  
10.
4 p, 546.0 KB Self-consistent coupling between driven electron tunneling and electromagnetic propagation at terahertz frequencies / Oriols Pladevall, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Boano, F. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Alarcón Pardo, Alfonso (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
An accurate procedure for coupling (time-dependent) driven electron tunneling and electromagnetic propagation at terahertz frequencies cannot be developed neither with equivalent electric-circuit approximations nor using standard electromagnetic solvers. [...]
2008 - 10.1063/1.2937307
Applied physics letters, Vol. 92, Issue 22 (June 2008) , p. 222107/1-222107/3  

Articles : 18 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Documents de recerca 7 registres trobats  
1.
114 p, 1.7 MB Transporte cuántico en grafeno: interacción dinámica de intercambio y estados cuasi-unidimensionales estacionarios / Yaro Medina, Simeón Moisés ; Oriols Pladevall, Xavier, dir. ; Cartoixà Soler, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Esta tesis doctoral versa sobre el transporte electrónico en sistemas de baja dimensión. En particular, se utlizan diferentes formalismos para abordar fenómenos cuánticos en el transporte electrónico en grafeno. [...]
This dissertation deals with electronic transport in low dimensional systems. In particular, quantum phenomena in electronic transport in graphene are addressed using different formalisms. On one hand, the exchange interaction in time-dependent processes in electron transport is studies with Bohm trajectories for wavepackets. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
2.
118 p, 6.2 MB Quantum many-particle electron transport in time-dependent systems with Bohmian trajectories / Alarcón Pardo, Alfonso ; Oriols Pladevall, Xavier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Es conocido que a escalas nanométricas se debe tratar con en el problema de muchas partículas a la hora de estudiar dispositivos electrónicos. Es estos escenarios, la ecuación de Schrödinger dependiente del tiempo para muchas partículas solo se puede resolver para unos pocos grados de libertad. [...]
It is known that at nanoscale regime we must deal with the many-particle problem in order to study electronic devices. In this scenario, the time-dependent many-particle Schrödinger equation is only directly solvable for very few degrees of freedom. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2011  
3.
114 p, 1.4 MB Development of semi-classical and quantum tools for the high-frequency simulation of nanoscale electron devices / Benali, Abdelilah ; Oriols Pladevall, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La electrónica envuelve muchos aspectos de nuestra vida cotidiana. El progreso de nuestra sociedad actual, en última instancia, está relacionado con el progreso de la electrónica. Tal progreso exige que las nuevas generaciones de dispositivos sean cada vez mas pequeñas y mas rapidas. [...]
Electronics surrounds many aspects of our everyday life. The progress of our actual society is somehow ultimately linked to the progress of electronics. Such progress demands smaller and faster devices. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
4.
83 p, 1.9 MB Interfície gràfica pel simulador científic de nanoestructures BITLLES / Padró Olivet, Arnau ; Oriols Pladevall, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
L'emergent indústria nanoelectrònica necessita de nous simuladors de dispositius nanoelectrònics. Des del departament d'Enginyeria Electrònica de la UAB se n'està desenvolupant un anomenat BITLLES. [...]
La emergente industria nanoelectrónica necesita de nuevos simuladores de dispositivos nanoelectrónicos. Desde el departamento de Enginyeria Electrónica de la UAB se está desarrollando uno cuyo nombre es BITLLES. [...]
The emerging nanoelectronics industry needs new nanoelectronic device simulator. The department of Enginyeria Electrònica at UAB is developing one called BITLLES. Despite its advanced state of development it lacks a graphical interface that facilitates the data input to the simulator. [...]

2010  
5.
45 p, 1.5 MB Desenvolupament d'un videojoc en 3D / Ricart López, Eduard ; Oriols Pladevall, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
La industria de los videojuegos crece exponencialmente y está ya superando a otras industrias punteras del ocio. En este proyecto, nos hemos planteado la realización de un videojuego con visualización en el espacio real 3D. [...]
La indústria dels videojocs creix exponencialment i està ja superant a d'altres indústries capdavanteres de l'oci. En aquest projecte, ens hem plantejat la realització d'un videojoc amb visualització en l'espai real 3D. [...]
The gaming industry is growing exponentially and is now outselling other edge of the leisure industries. In this project, we have considered the realization of a video game display in real 3D space. [...]

2009  
6.
105 p, 998.7 KB Dispositius nanoelectrònics a freqüències de THz : estudi de la propagació electromagnètica en les connexions / Baella Martínez, Lídia ; Oriols Pladevall, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
Per a altes freqüències, les connexions poden tenir un paper rellevant. Atès que la velocitat de propagació dels senyals electromagnètics, c, en el cable no és infinita, el voltatge i el corrent al llarg del cable varien amb el temps. [...]
Para altas frecuencias, las conexiones pueden tener un papel importante. Debido a que la velocidad de propagación de las señales electromagnéticas, c, en el cable no es infinita, la tensión y la corriente en el cable varían con el tiempo. [...]
For high frequencies, the connections could have an important role. As the propagation velocity of the electromagnetic signals, c, in the cable isn't infinite, the voltage and the current in the cable change with time. [...]

2007  
7.
60 p, 5.9 MB Quantum Monte Carlo simulation of tunneling devices using wavepackets and Bohm trajectories / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Pendent.
Bellaterra: Universitat Autònoma de Barcelona, 2008
2 documents

Materials acadèmics 33 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
5 p, 105.1 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo Guerro, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]

2020-21
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnolo [1360]
3 documents
2.
8 p, 110.1 KB Dispositius Electrònics [103289] / Oriols Pladevall, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
. - Comprensió i domini dels principis físics dels semiconductors, així com dels dispositius electrònics i fotònics més habituals i de la tecnologia de fabricació dels mateixos. . - Relacionar les prestacions dels dispositius, els seu funcionament en circuits i els processos tecnològics de fabricació, mitjançant models físics analítics, simulacions numèriques a nivell físic, models compactes i simulacions circuitals. [...]
. -Comprensión y dominio de los principios físicos de los semiconductores, así como de los dispositivos electrónicos y fotónicos más habituales y de la tecnología de fabricación de los mismos. [...]

2020-21
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]
3 documents
3.
5 p, 108.9 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixa Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
Entender los conceptos básicos de la electricidad y la electrónica, y conocer los elementos básicos que forman parte de los circuitos electrónicos. Conocer y saber utilizar las leyes de análisis de circuitos para determinar el comportamiento de los circuitos eléctricos lineales. [...]

2020-21
Enginyeria Informàtica [958]
3 documents
4.
5 p, 104.9 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo Guerro, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]

2019-20
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnolo [1360]
3 documents
5.
8 p, 109.8 KB Dispositius Electrònics [103289] / Oriols Pladevall, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
. - Comprensió i domini dels principis físics dels semiconductors, així com dels dispositius electrònics i fotònics més habituals i de la tecnologia de fabricació dels mateixos. . - Relacionar les prestacions dels dispositius, els seu funcionament en circuits i els processos tecnològics de fabricació, mitjançant models físics analítics, simulacions numèriques a nivell físic, models compactes i simulacions circuitals. [...]
. -Comprensión y dominio de los principios físicos de los semiconductores, así como de los dispositivos electrónicos y fotónicos más habituales y de la tecnología de fabricación de los mismos. [...]

2019-20
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]
3 documents
6.
5 p, 108.6 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Abadal Berini, Gabriel ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixa Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
Entender los conceptos básicos de la electricidad y la electrónica, y conocer los elementos básicos que forman parte de los circuitos electrónicos. Conocer y saber utilizar las leyes de análisis de circuitos para determinar el comportamiento de los circuitos eléctricos lineales. [...]

2019-20
Enginyeria Informàtica [958]
3 documents
7.
4 p, 78.4 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo Guerro, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological drawbacks, the research goals and the main evolution trends. [...]
2018-19
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnolo [1360]  
8.
8 p, 84.0 KB Dispositius Electrònics [103289] / Oriols Pladevall, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
. - Comprensió i domini dels principis físics dels semiconductors, així com dels dispositius electrònics i fotònics més habituals i de la tecnologia de fabricació dels mateixos. . - Relacionar les prestacions dels dispositius, els seu funcionament en circuits i els processos tecnològics de fabricació, mitjançant models físics analítics, simulacions numèriques a nivell físic, models compactes i simulacions circuitals. [...]
2018-19
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]  
9.
5 p, 85.6 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti Pujal, Marc ; Abadal Berini, Gabriel ; Oriols Pladevall, Xavier ; Cartoixa Soler, Xavier ; Jiménez Jiménez, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
2018-19
Enginyeria Informàtica [958]  
10.
4 p, 78.4 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Feijoo Guerro, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological barriers, the research goals and the main evolution trends. [...]
2017-18
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnolo [1360]  

Materials acadèmics : 33 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.