Resultats globals: 3 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 2 registres trobats
Documents de recerca, 1 registres trobats
Articles 2 registres trobats  
1.
16 p, 719.6 KB Above-Bandgap Photovoltages in Antiferroelectrics / Pérez Tomàs, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Lira Cantú, Mónica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The closed circuit photocurrent and open circuit photovoltage of antiferroelectric thin films were characterized both in their ground (antipolar) state and in their polarized state. A sharp transition happens from near zero to large photovoltages as the polarization is switched on, consistent with the activation of the bulk photovoltaic effect. [...]
2016 - 10.1002/adma.201603176
Advanced Materials, Vol. 28, Issue 43 (November 2016) , p. 9644-9647  
2.
5 p, 1.9 MB Gate current analysis of AlGaN/GaN on silicon heterojunction transistors at the nanoscale / Fontsere Recuenco, Abel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Pérez Tomàs, Amador (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Placidi, Marcel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Aguiló Llobet, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics) ; Baron, N. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Chenot, S. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Cordier, Y. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Moreno, J. C. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The gate leakage current of AlGaN/GaN (on silicon)high electron mobility transistor(HEMT) is investigated at the micro and nanoscale. The gate current dependence (25–310 °C) on the temperature is used to identify the potential conduction mechanisms, as trap assisted tunneling or field emission. [...]
2012 - 10.1063/1.4748115
Applied Physics Letters, Vol. 101, Issue 9 (August 2012) , p. 093505/1-093505/4  

Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
205 p, 7.9 MB Novel materials and processes for gate dielectrics on silicon carbide / Pérez Tomàs, Amador ; Godignon, Philippe, dir. (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
There is considerable evidence of the need for a semiconductor technology which exceeds the limitations imposed by silicon across a wide spectrum of industrial applications. Wide bandgap semiconductor, such as silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN) and diamond, offer the potential to overcome both the temperature and voltage blocking limitations of Si. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2007  

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.