Resultados globales: 5 registros encontrados en 0.02 segundos.
Artículos, Encontrados 4 registros
Documentos de investigación, Encontrados 1 registros
Artículos Encontrados 4 registros  
1.
9 p, 2.3 MB PbZrTiO3 ferroelectric oxide as an electron extraction material for stable halide perovskite solar cells / Pérez Tomàs, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Xie, HaiBing (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Wang, Zaiwei (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Kim, Hui-Seon (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Shirley, Ian (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Turren-Cruz, Silver-Hamill (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Morales Melgares, Anna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Saliba, Benedicte (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Tanenbaum, David M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Saliba, Michael (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Zakeeruddin, Shaik Mohammed (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Gratzel, Michael (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Hagfeldt, Anders (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Lira Cantú, Mónica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
State-of-the-art halide perovskite solar cells employ semiconductor oxides as electron transport materials. Defects in these oxides, such as oxygen vacancies (O ), act as recombination centres and, in air and UV light, reduce the stability of the solar cell. [...]
2019 - 10.1039/c8se00451j
Sustainable energy and fuels, Vol. 3, Issue 2 (February 2019) , p. 382-389  
2.
5 p, 602.1 KB 3C-SiC Transistor with Ohmic Contacts Defined at Room Temperature / Li, Fan (University of Warwick) ; Sharma, Yogesh (University of Warwick) ; Walker, David (University of Warwick) ; Hindmarsh, Steven (University of Warwick) ; Jennings, Mike (University of Warwick) ; Martin, David (University of Warwick) ; Fisher, Craig (University of Warwick) ; Gammon, Peter (University of Warwick) ; Pérez Tomàs, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mawby, Phil (University of Warwick)
Among all SiC polytypes, only 3C-SiC has a cubic structure and can be hetero-epitaxial grown on large area Si substrate, thus providing an alternative choice for fabricating cheap wide bandgap power devices. [...]
2016 - 10.1109/LED.2016.2593771
IEEE electron device letters, Vol. 37, Issue 9 (September 2016) , p. 1189-1192  
3.
16 p, 719.6 KB Above-Bandgap Photovoltages in Antiferroelectrics / Pérez Tomàs, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Lira Cantú, Mónica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The closed circuit photocurrent and open circuit photovoltage of antiferroelectric thin films were characterized both in their ground (antipolar) state and in their polarized state. A sharp transition happens from near zero to large photovoltages as the polarization is switched on, consistent with the activation of the bulk photovoltaic effect. [...]
2016 - 10.1002/adma.201603176
Advanced Materials, Vol. 28, Issue 43 (November 2016) , p. 9644-9647  
4.
5 p, 1.9 MB Gate current analysis of AlGaN/GaN on silicon heterojunction transistors at the nanoscale / Fontsere Recuenco, Abel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Pérez Tomàs, Amador (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Placidi, Marcel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Aguiló Llobet, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics) ; Baron, N. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Chenot, S. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Cordier, Y. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Moreno, J. C. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The gate leakage current of AlGaN/GaN (on silicon)high electron mobility transistor(HEMT) is investigated at the micro and nanoscale. The gate current dependence (25–310 °C) on the temperature is used to identify the potential conduction mechanisms, as trap assisted tunneling or field emission. [...]
2012 - 10.1063/1.4748115
Applied Physics Letters, Vol. 101, Issue 9 (August 2012) , p. 093505/1-093505/4  

Documentos de investigación Encontrados 1 registros  
1.
205 p, 7.9 MB Novel materials and processes for gate dielectrics on silicon carbide / Pérez Tomàs, Amador ; Godignon, Philippe, dir. (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
There is considerable evidence of the need for a semiconductor technology which exceeds the limitations imposed by silicon across a wide spectrum of industrial applications. Wide bandgap semiconductor, such as silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN) and diamond, offer the potential to overcome both the temperature and voltage blocking limitations of Si. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2007  

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.