Resultats globals: 6 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 5 registres trobats
Documents de recerca, 1 registres trobats
Articles 5 registres trobats  
1.
8 p, 850.2 KB An unsupervised and probabilistic approach to Pavlov's dog experiment with OxRAM devices / Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pedro, Marta (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
In this work, a potential basis for implementing unsupervised associative learning in two or more memristors within neuromorphic architectures is proposed. The experimental demonstration is carried out by means of emulating the Pavlov's dog classical conditioning experiment with two OxRAM devices, in which the dependence of the probability of association on test parameters, such as the pulse amplitude, is studied.
2019 - 10.1016/j.mee.2019.111024
Microelectronic engineering, Vol. 215 (July 2019) , art. 111024  
2.
8 p, 4.1 MB A flexible characterization methodology of RRAM : application to the modeling of the conductivity changes as synaptic weight updates / Pedro, Marta (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, an automatic and flexible measurement setup, which allows a massive electrical characterization of single RRAM devices with pulsed voltages, is presented. The evaluation of the G-V maps under single-pulse test-schemes is introduced as an example of application of the proposed methodology, in particular for neuromorphic engineering, where the fine analog control of the synaptic device conductivity state is required, by inducing small changes in each learning iteration. [...]
2019 - 10.1016/j.sse.2019.03.035
Solid-state electronics, Vol. 159 (Sep. 2019) , p. 57-62  
3.
6 p, 706.8 KB Power-efficient noise-induced reduction of reram cell's temporal variability effects / Ntinas, Vasileios (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rubio, Antonio 1954- (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sirakoulis, Georgios Ch (Democritus University of Thrace. Department of Electrical and Computer Engineering) ; Salvador Aguilera, Emili (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pedro, Marta (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Resistive Random Access Memory (ReRAM) is a promising novel memory technology for non-volatile storing, with low-power operation and ultra-high area density. However, ReRAM memories still face issues through commercialization, mainly owing to the fact that the high fabrication variations and the stochastic switching of the manufactured ReRAM devices cause high Bit Error Rate (BER). [...]
2021 - 10.1109/TCSII.2020.3026950
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Vol. 68, issue 4 (April 2021) , p. 1378-1382  
4.
18 p, 5.3 MB Self-organizing neural networks based on OxRAM devices under a fully unsupervised training scheme / Pedro, Marta (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Maestro Izquierdo, Marcos (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A fully-unsupervised learning algorithm for reaching self-organization in neuromorphic architectures is provided in this work. We experimentally demonstrate spike-timing dependent plasticity (STDP) in Oxide-based Resistive Random Access Memory (OxRAM) devices, and propose a set of waveforms in order to induce symmetric conductivity changes. [...]
2019 - 10.3390/ma12213482
Materials, Vol. 12, Issue 21 (November 2019) , art. 3482  
5.
6 p, 172.0 KB Apresentação do monográfico / Pedro Varanda, Marta (ISEG/UTL)
2007 - 10.5565/rev/redes.97
Redes : revista hispana para el análisis de redes sociales, V. 12 (2007) p. 0-0
2 documents

Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
121 p, 5.1 MB Implementation of unsupervised learning mechanisms on OxRAM devices for neuromorphic computing applications / Pedró Puig, Marta ; Martin Martinez, Javier, dir. ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La present tesi recull els resultats de la recerca orientada a aportar una metodologia de caracterització elèctrica, modelat i simulació per a dispositius de commutació resistiva, quan es consideren aplicacions de computació neuromòrfica basades en aprenentatge no-supervisat, àmpliament demandades en l'actualitat com a solució de baix consum a les següents problemàtiques: per una banda, la limitació de la velocitat en la transferència de dades entre les unitats de memoria i processament que té lloc en les arquitectures de computador convencional (von Neumann). [...]
The present thesis compiles the results of the research oriented to provide a methodology for the electrical characterization, modeling and simulation of resistive switching devices, taking into consideration neuromorphic applications based on unsupervised learning This is widely demanded today as a low-consumption solution to the following issues: on the one hand, the speed limitations that take place in data transfer between the memory and processing units that takes place in conventional computer architectures. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  

Vegeu també: autors amb noms similars
1 Pedro, Manuel de
1 Pedro, Mireia
5 Pedró, Marta
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.