Resultados globales: 3 registros encontrados en 0.02 segundos.
Artículos, Encontrados 3 registros
Artículos Encontrados 3 registros  
1.
26 p, 1.0 MB Characterization of HfO2-based devices with indication of second order memristor effects / Rodríguez Fernández, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cagli, Carlo (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França)) ; Perniola, Luca (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França)) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Resistive switching is investigated in TiN/Ti/HfO (10 nm)/TiN devices in series with a NMOS transistor as selector in a 1T1R configuration. A complete electrical characterization of the devices is carried out using DC voltage loops, constant-voltage stressed and pulses with varying voltage amplitude and time width. [...]
2018 - 10.1016/j.mee.2018.04.006
Microelectronic engineering, Vol. 195 (August 2018) , p. 101-106
2 documentos
2.
8 p, 1.2 MB Voltage and power-controlled regimes in the progressive unipolar RESET transition of HfO₂-based RRAM / Long, Shibing (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Perniola, Luca (Laboratoire d'électronique des technologies de l'information. MINATEC) ; Cagli, Carlo (Laboratoire d'électronique des technologies de l'information. MINATEC) ; Buckley, Julien (Laboratoire d'électronique des technologies de l'information. MINATEC) ; Lian, Xiaojuan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pan, Feng (Tsinghua University. Laboratory of Advanced Materials) ; Liu, Ming (Chinese Academy of Sciences. Laboratory of Nanofabrication and Novel Device Integration (Beijing, Xina)) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Resistive switching (RS) based on the formation and rupture of conductive filament (CF) is promising in novel memory and logic device applications. Understanding the physics of RS and the nature of CF is of utmost importance to control the performance, variability and reliability of resistive switching memory (RRAM). [...]
2013 - 10.1038/srep02929
Scientific reports (Nature Publishing Group), Vol. 3, (October 2013) , art. 2929  
3.
5 p, 1.1 MB Quantum size effects in hafnium-oxide resistive switching / Long, Shibing (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lian, Xiaojuan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cagli, Carlo (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França)) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Perniola, Luca (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França)) ; Liu, Ming (Chinese Academy of Sciences. Laboratory of Nanofabrication and Novel Device Integration (Beijing, Xina)) ; American Physical Society
Discrete changes of conductance of the order of G0 = 2e2/h reported during the unipolar reset transitions of Pt/HfO2/Pt structures are interpreted as the signature of atomic-size variations of the conducting filament (CF) nanostructure. [...]
2013 - 10.1063/1.4802265
Applied physics letters, Vol. 102, Issue 18 (May 2013) , p. 183505/1-183505/4  

Vea también: autores con nombres similares
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.