Resultados globales: 6 registros encontrados en 0.01 segundos.
Artículos, Encontrados 4 registros
Documentos de investigación, Encontrados 1 registros
Materiales académicos, Encontrados 1 registros
Artículos Encontrados 4 registros  
1.
21 p, 746.1 KB Nanoscale conductive pattern of the homoepitaxial AlGaN/GaN transistor / Pérez Tomàs, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fontserè Recuenco, Abel (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria) ; Chen, H. (University of Warwick. School of Engineering) ; Gammon, P.M. (University of Warwick. School of Engineering) ; Jennings, M.R. (University of Warwick. School of Engineering) ; Thomas, M. (University of Warwick. School of Engineering) ; Fisher, C.A. (University of Warwick. School of Engineering) ; Sharma, Y.K. (University of Warwick. School of Engineering) ; Placidi, Marcel (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Chmielowska, M. (Centre national de la recherche scientifique. Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications) ; Chenot, S. (Centre national de la recherche scientifique. Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria) ; Cordier, Y. (Centre national de la recherche scientifique. Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications)
The gallium nitride (GaN)-based buffer/barrier mode of growth and morphology, the transistor electrical response (25-310°C) and the nanoscale pattern of a homoepitaxial AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) have been investigated at the micro and nanoscale. [...]
2015 - 10.1088/0957-4484/26/11/115203
Nanotechnology, Vol. 26, Issue 11 (March 2015) , art. 115203  
2.
13 p, 1.2 MB Record low thermal conductivity of polycrystalline MoS2 films : tuning the thermal conductivity by grain orientation / Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Quey, Romain (Centre national de la recherche scientifique. École nationale supérieure des mines de Saint-Étienne) ; Mortazavi, Bohayra (Bauhaus-Universität Weimar. Institute of Structural Mechanics) ; Graczykowski, Bartlomiej (Adam Mickiewicz University. NanoBioMedical Centre) ; Placidi, M. (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Saleta Reig, David (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Navarro Urrios, Daniel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Colombo, Luciano (Università di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We report a record low thermal conductivity in polycrystalline MoS obtained for ultrathin films with varying grain sizes and orientations. By optimizing the sulfurization parameters of nanometer-thick Mo layers, five MoS films containing a combination of horizontally and vertically oriented grains, with respect to the bulk (001) monocrystal, were grown. [...]
2017 - 10.1021/acsami.7b08811
ACS applied materials and interfaces, Vol. 9, Issue 43 (November 2017) , p. 37905-37911  
3.
10 p, 908.2 KB Thermal conductivity of MoS2 polycrystalline nanomembranes / Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Graczykowski, Bartlomiej (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Placidi, Marcel (Institut de Recerca en Energía de Catalunya) ; Saleta Reig, David (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sachat, Alexandros el (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Reparaz, Juan Sebastián (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mortazavi, Bohayra (Bauhaus-Universität Weimar (Alemanya). Institute of Structural Mechanics) ; Quey, Romain (Centre national de la recherche scientifique. École nationale supérieure des mines de Saint-Étienne) ; Colombo, Luciano (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Heat conduction in 2D materials can be effectively engineered by means of controlling nanoscale grain structure. Afavorable thermal performance makes these structures excellent candidates for integrated heat management units. [...]
2016 - 10.1088/2053-1583/3/3/035016
2D Materials, Vol. 3, no. 3 (Sep. 2016) , art. 35016  
4.
5 p, 1.9 MB Gate current analysis of AlGaN/GaN on silicon heterojunction transistors at the nanoscale / Fontserè Recuenco, Abel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Pérez Tomàs, Amador (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Placidi, Marcel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Aguiló Llobet, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics) ; Baron, N. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Chenot, S. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Cordier, Y. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Moreno, J. C. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The gate leakage current of AlGaN/GaN (on silicon)high electron mobility transistor(HEMT) is investigated at the micro and nanoscale. The gate current dependence (25-310 °C) on the temperature is used to identify the potential conduction mechanisms, as trap assisted tunneling or field emission. [...]
2012 - 10.1063/1.4748115
Applied physics letters, Vol. 101, Issue 9 (August 2012) , p. 093505/1-093505/4  

Documentos de investigación Encontrados 1 registros  
1.
206 p, 13.7 MB Wide Bandgap Semiconductors for MEMS and Related Process Technologies / Placidi, Marcel ; Godignon, Philippe, dir. ; Flores, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Vegeu mpresum1de1. pdf.
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2011
2 documentos

Materiales académicos Encontrados 1 registros  
1.
5 p, 128.6 KB Fonaments d'Informàtica [20004] / Montón Macián, Màrius ; Placidi, Marcel ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2007-08
Diplomat en Estadística [461]  

Vea también: autores con nombres similares
5 Placidi, Marcel
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.