Resultats globals: 4 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 2 registres trobats
Documents de recerca, 1 registres trobats
Materials acadèmics, 1 registres trobats
Articles 2 registres trobats  
1.
10 p, 908.2 KB Thermal conductivity of MoS2 polycrystalline nanomembranes / Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Graczykowski, Bartlomiej (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Placidi, Marcel (Institut de Recerca en Energía de Catalunya) ; Saleta Reig, David (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sachat, Alexandros el (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Reparaz, Sebastián (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mortazavi, Bohayra (Bauhaus-Universität Weimar (Alemanya). Institute of Structural Mechanics) ; Quey, Romain (Centre national de la recherche scientifique. École nationale supérieure des mines de Saint-Étienne) ; Colombo, Luciano (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Heat conduction in 2D materials can be effectively engineered by means of controlling nanoscale grain structure. Afavorable thermal performance makes these structures excellent candidates for integrated heat management units. [...]
2016 - 10.1088/2053-1583/3/3/035016
2D Materials, Vol. 3, no. 3 (Sep. 2016) , art. 35016  
2.
5 p, 1.9 MB Gate current analysis of AlGaN/GaN on silicon heterojunction transistors at the nanoscale / Fontsere Recuenco, Abel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Pérez Tomàs, Amador (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Placidi, Marcel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Aguiló Llobet, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics) ; Baron, N. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Chenot, S. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Cordier, Y. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Moreno, J. C. (Centre national de la recherche scientifique (França)) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The gate leakage current of AlGaN/GaN (on silicon)high electron mobility transistor(HEMT) is investigated at the micro and nanoscale. The gate current dependence (25–310 °C) on the temperature is used to identify the potential conduction mechanisms, as trap assisted tunneling or field emission. [...]
2012 - 10.1063/1.4748115
Applied Physics Letters, Vol. 101, Issue 9 (August 2012) , p. 093505/1-093505/4  

Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
206 p, 13.7 MB Wide Bandgap Semiconductors for MEMS and Related Process Technologies / Placidi, Marcel ; Godignon, Philippe, dir. ; Flores, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Vegeu mpresum1de1. pdf.
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2011
2 documents

Materials acadèmics 1 registres trobats  
1.
5 p, 128.6 KB Fonaments d'Informàtica [20004] / Montón Macián, Màrius ; Placidi, Marcel ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2007-08
Diplomat en Estadística [461]  

Vegeu també: autors amb noms similars
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.