Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Placidi, Marcel
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 8 registres trobats en 0.01 segons.
Articles, 6 registres trobats
Documents de recerca, 1 registres trobats
Materials acadèmics, 1 registres trobats
Articles 6 registres trobats  
1.
14 p, 961.9 KB Fracturing of Polycrystalline MoS2Nanofilms / Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jumbert Amblàs, Gil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Placidi, Marcel (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Xiao, Peng (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The possibility of tailoring the critical strain of two-dimensional (2D) materials will be crucial for the fabrication of flexible and stretchable devices. While crystalline MoS2 monolayer shows tensile strength comparable to that of steel, a large concentration of defects and grain boundaries in polycrystalline MoS2 significantly degrades its mechanical properties. [...]
2020 - 10.1021/acsaelm.0c00189
ACS applied electronic materials, Vol. 2, Num. 4 (April 2020) , p. 1169-1175  
Registre complet -
2.
6 p, 646.5 KB Electron beam lithography for direct patterning of MoS2on PDMS substrates / Jumbert Amblàs, Gil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Placidi, Marcel (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Precise patterning of 2D materials into micro- and nanostructures presents a considerable challenge and many efforts are dedicated to the development of processes alternative to the standard lithography. [...]
2021 - 10.1039/d1ra00885d
RSC advances, Vol. 11, Issue 32 (2021) , p. 19908-19913  
Registre complet - Creative Commons
3.
9 p, 9.5 MB Elastic Properties of Few Nanometers Thick Polycrystalline MoS2 Membranes : A Nondestructive Study / Graczykowski, Bartlomiej (Max Planck Institute for Polymer Research) ; Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Placidi, Marcel (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Saleta Reig, David (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Kasprzak, M. (Adam Mickiewicz University in Poznan) ; Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The performance gain-oriented nanostructurization has opened a new pathway for tuning mechanical features of solid matter vital for application and maintained performance. Simultaneously, the mechanical evaluation has been pushed down to dimensions way below 1 μm. [...]
2017 - 10.1021/acs.nanolett.7b03669
Nano letters, Vol. 17, Issue 12 (December 2017) , p. 7647-7651  
Registre complet -
4.
21 p, 746.1 KB Nanoscale conductive pattern of the homoepitaxial AlGaN/GaN transistor / Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fontserè Recuenco, Abel (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria) ; Chen, H. (University of Warwick. School of Engineering) ; Gammon, Peter (University of Warwick. School of Engineering) ; Jennings, M. R. (University of Warwick. School of Engineering) ; Thomas, M. (University of Warwick. School of Engineering) ; Fisher, C. A. (University of Warwick. School of Engineering) ; Sharma, Y. K. (University of Warwick. School of Engineering) ; Placidi, Marcel (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Chmielowska, M. (Centre National de la Recherche Scientifique (França). Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications) ; Chenot, S. (Centre National de la Recherche Scientifique (França). Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria) ; Cordier, Y. (Centre National de la Recherche Scientifique (França). Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications)
The gallium nitride (GaN)-based buffer/barrier mode of growth and morphology, the transistor electrical response (25-310°C) and the nanoscale pattern of a homoepitaxial AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) have been investigated at the micro and nanoscale. [...]
2015 - 10.1088/0957-4484/26/11/115203
Nanotechnology, Vol. 26, Issue 11 (March 2015) , art. 115203  
Registre complet -
5.
10 p, 908.2 KB Thermal conductivity of MoS2 polycrystalline nanomembranes / Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Graczykowski, Bartlomiej (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Placidi, Marcel (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Saleta Reig, David (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sachat, Alexandros el (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Reparaz, Juan Sebastian (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mortazavi, Bohayra (Bauhaus-Universität Weimar (Alemanya)) ; Quey, Romain (Centre national de la recherche scientifique. École nationale supérieure des mines de Saint-Étienne) ; Colombo, Luciano (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Heat conduction in 2D materials can be effectively engineered by means of controlling nanoscale grain structure. Afavorable thermal performance makes these structures excellent candidates for integrated heat management units. [...]
2016 - 10.1088/2053-1583/3/3/035016
2D Materials, Vol. 3, no. 3 (Sep. 2016) , art. 35016  
Registre complet - Creative Commons
6.
5 p, 1.9 MB Gate current analysis of AlGaN/GaN on silicon heterojunction transistors at the nanoscale / Fontserè Recuenco, Abel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Perez-Tomas, Amador (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Placidi, Marcel (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Aguiló Llobet, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics) ; Baron, N. (Centre National de la Recherche Scientifique (França)) ; Chenot, S. (Centre National de la Recherche Scientifique (França)) ; Cordier, Y. (Centre National de la Recherche Scientifique (França)) ; Moreno, J. C. (Centre National de la Recherche Scientifique (França)) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lanza, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The gate leakage current of AlGaN/GaN (on silicon)high electron mobility transistor(HEMT) is investigated at the micro and nanoscale. The gate current dependence (25-310 °C) on the temperature is used to identify the potential conduction mechanisms, as trap assisted tunneling or field emission. [...]
2012 - 10.1063/1.4748115
Applied physics letters, Vol. 101, Issue 9 (August 2012) , p. 093505/1-093505/4  
Registre complet -

Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
206 p, 13.7 MB Wide Bandgap Semiconductors for MEMS and Related Process Technologies / Placidi, Marcel ; Godignon, Philippe, dir. ; Flores Gual, David ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Vegeu mpresum1de1. pdf.
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2011
2 documents
Registre complet -

Materials acadèmics 1 registres trobats  
1.
5 p, 128.6 KB Fonaments d'Informàtica [20004] / Montón Macián, Màrius ; Placidi, Marcel ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2007-08
Diplomat en Estadística [461]  
Registre complet - Creative Commons

Vegeu també: autors amb noms similars
1 Placidi, M.
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem