1.
|
|
2.
|
5 p, 403.8 KB |
Workfunction fluctuations in polycrystalline TiN observed with KPFM and their impact on MOSFETs variability
/
Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Seoane, Natalia (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ;
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Garcia-Loureiro, Antonio (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A more realistic approach to evaluate the impact of polycrystalline metal gates on the MOSFET variability is presented. 2D experimental workfunction maps of a polycrystalline TiN layer were obtained by Kelvin Probe Force Microscopy with a nanometer resolution. [...]
2019 - 10.1063/1.5090855
Applied physics letters, Vol. 114, issue 9 (March 2019) , art. 93502
|
|
3.
|
27 p, 836.1 KB |
Low-power, high-performance, non-volatile inkjet-printed HfO 2 -based resistive random access memory : from device to nanoscale characterization
/
Vescio, Giovanni (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Martín, Gemma (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ;
Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Alonso, Daniel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Lopez-Vidrier, Julian (Albert-Ludwigs-Universität Freiburg) ;
Estrade, Sonia (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Peiro, Francesca (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Cornet, Albert (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ;
Cirera, Albert (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Low-power, high-performance metal-insulator-metal (MIM) non-volatile resistive memories based on HfO2 high-k dielectric are fabricated using a drop-on-demand inkjet printing technique as a low-cost and eco-friendly method. [...]
2019 - 10.1021/acsami.9b01731
ACS applied materials & interfaces, Vol. 11, issue 26 (2019) , p. 23659-23666
|
|
4.
|
5 p, 697.8 KB |
Combined nanoscale KPFM characterization and device simulation for the evaluation of the MOSFET variability related to metal gate workfunction fluctuations
/
Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Seoane, Natalia (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ;
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Garcia-Loureiro, Antonio (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, a more realistic approximation based on 2D nanoscale experimental data obtained on a metal layer is presented to investigate the impact of the metal gate polycrystallinity on the MOSFET variability. [...]
2019 - 10.1016/j.mee.2019.111048
Microelectronic engineering, Vol. 216 (Aug. 2019) , art. 111048
|
|
5.
|
|
Exploiting the KPFM capabilities to analyze at the nanoscale the impact of electrical stresses on OTFTs properties
/
Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Xu, H. (Sun Yat-Sen University) ;
Liu, C. (Sun Yat-Sen University) ;
Wu, Q. (Sun Yat-Sen University)
Two different Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM) measurement configurations have been combined to evaluate at the nanoscale the effects of an electrical stress on Organic Thin Film Transistors (OTFTs) properties. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108061
Solid-state electronics, Vol. 186 (Dec. 2021) , art. 108061
|
|
6.
|
21 p, 746.1 KB |
Nanoscale conductive pattern of the homoepitaxial AlGaN/GaN transistor
/
Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Fontserè Recuenco, Abel (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ;
Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria) ;
Chen, H. (University of Warwick. School of Engineering) ;
Gammon, Peter (University of Warwick. School of Engineering) ;
Jennings, M. R. (University of Warwick. School of Engineering) ;
Thomas, M. (University of Warwick. School of Engineering) ;
Fisher, C. A. (University of Warwick. School of Engineering) ;
Sharma, Y. K. (University of Warwick. School of Engineering) ;
Placidi, Marcel (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ;
Chmielowska, M. (Centre National de la Recherche Scientifique (França). Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications) ;
Chenot, S. (Centre National de la Recherche Scientifique (França). Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria) ;
Cordier, Y. (Centre National de la Recherche Scientifique (França). Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications)
The gallium nitride (GaN)-based buffer/barrier mode of growth and morphology, the transistor electrical response (25-310°C) and the nanoscale pattern of a homoepitaxial AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) have been investigated at the micro and nanoscale. [...]
2015 - 10.1088/0957-4484/26/11/115203
Nanotechnology, Vol. 26, Issue 11 (March 2015) , art. 115203
|
|
7.
|
9 p, 644.4 KB |
Polycrystallization effects on the nanoscale electrical properties of high-k dielectrics
/
Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this study, atomic force microscopy-related techniques have been used to investigate, at the nanoscale, how the polycrystallization of an Al₂O₃-based gate stack, after a thermal annealing process, affects the variability of its electrical properties. [...]
2011 - 10.1186/1556-276X-6-108
Nanoscale Research Letters, Vol. 6 (January 2011) , art. 108
|
|
8.
|
6 p, 4.0 MB |
Resistive switching in hafnium dioxide layers : local phenomenon at grain Boundaries
/
Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica)) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Overcoming challenges associated with implementation of resistive random access memory technology for non-volatile information storage requires identifying the material characteristics responsible for resistive switching. [...]
2012 - 10.1063/1.4765342
Applied physics letters, Vol. 101 (2012) , p. 193502-1/193502-5
|
|
9.
|
5 p, 993.1 KB |
Grain boundaries as preferential sites for Resistive Switching in the HfO2 RRAM structures
/
Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Zhang, K. (Peking University. Department of Electronics) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Shen, Z. Y. (Peking University. Department of Electronics) ;
Liu, L. F. (Peking University. Institute of Microelectronics) ;
Kang, J. F. (Peking University. Institute of Microelectronics) ;
Gilmer, D. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica)) ;
Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica))
Resistive switching (RS) phenomenon in the HfO2 dielectric has been indirectly observed at device level in previous studies using metal-insulator-metal structures, but its origin remains unclear. In this work, using the enhanced conductive atomic force microscope (ECAFM), we have been able to obtain in situ direct observation of RS with nanometric resolution. [...]
2012 - 10.1063/1.3697648
Applied physics letters, Vol. 100, Issue 12 (March 2012) , p. 123508-1-123508-4
|
|
10.
|
4 p, 3.8 MB |
Conductance of threading dislocations in InGaAs/Si stacks by temperature-CAFM measurements
/
Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ;
Domingo Marimon, Neus (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Cordes, A. (SEMATECH, United States) ;
G. Bersuker (The Aerospace Corporation, United States)
2016 - 10.1109/LED.2016.2537051
IEEE electron device letters, Vol. 37, Issue 5 (May 2016) , p. 640-643
|
|