Resultados globales: 40 registros encontrados en 0.02 segundos.
Artículos, Encontrados 21 registros
Documentos de investigación, Encontrados 8 registros
Materiales académicos, Encontrados 11 registros
Artículos Encontrados 21 registros  1 - 10siguientefinal  ir al registro:
1.
A CAFM and device level study of MIS structures with graphene as interfacial layer for ReRAM applications / Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wu, Q. (Sun Yat-Sen University) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Capacitive Metal-Insulator-Semiconductor structures with graphene as interfacial layer between the HfO dielectric and the top electrode have been fabricated and investigated at device level and at the nanoscale with Conductive Atomic Force Microscope. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108080
Solid-state electronics, Vol. 186 (December 2021) , art. 108080  
2.
5 p, 403.8 KB Workfunction fluctuations in polycrystalline TiN observed with KPFM and their impact on MOSFETs variability / Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Seoane, Natalia (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia-Loureiro, Antonio (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A more realistic approach to evaluate the impact of polycrystalline metal gates on the MOSFET variability is presented. 2D experimental workfunction maps of a polycrystalline TiN layer were obtained by Kelvin Probe Force Microscopy with a nanometer resolution. [...]
2019 - 10.1063/1.5090855
Applied physics letters, Vol. 114, issue 9 (March 2019) , art. 93502  
3.
27 p, 836.1 KB Low-power, high-performance, non-volatile inkjet-printed HfO 2 -based resistive random access memory : from device to nanoscale characterization / Vescio, Giovanni (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martín, Gemma (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Alonso, Daniel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lopez-Vidrier, Julian (Albert-Ludwigs-Universität Freiburg. IMTEK) ; Estrade, Sonia (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Peiro, Francesca (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cornet, Albert (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Cirera, Albert (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Low-power, high-performance metal-insulator-metal (MIM) non-volatile resistive memories based on HfO2 high-k dielectric are fabricated using a drop-on-demand inkjet printing technique as a low-cost and eco-friendly method. [...]
2019 - 10.1021/acsami.9b01731
ACS applied materials & interfaces, Vol. 11, issue 26 (2019) , p. 23659-23666  
4.
5 p, 697.8 KB Combined nanoscale KPFM characterization and device simulation for the evaluation of the MOSFET variability related to metal gate workfunction fluctuations / Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Seoane, Natalia (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Claramunt, S. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garcia-Loureiro, Antonio (Universidade de Santiago de Compostela. Citius) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, a more realistic approximation based on 2D nanoscale experimental data obtained on a metal layer is presented to investigate the impact of the metal gate polycrystallinity on the MOSFET variability. [...]
2019 - 10.1016/j.mee.2019.111048
Microelectronic engineering, Vol. 216 (Aug. 2019) , art. 111048  
5.
Exploiting the KPFM capabilities to analyze at the nanoscale the impact of electrical stresses on OTFTs properties / Ruiz, Ana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt, S. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Xu, H. (Sun Yat-Sen University) ; Liu, C. (Sun Yat-Sen University) ; Wu, Q. (Sun Yat-Sen University)
Two different Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM) measurement configurations have been combined to evaluate at the nanoscale the effects of an electrical stress on Organic Thin Film Transistors (OTFTs) properties. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108061
Solid-state electronics, Vol. 186 (Dec. 2021) , art. 108061  
6.
21 p, 746.1 KB Nanoscale conductive pattern of the homoepitaxial AlGaN/GaN transistor / Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fontserè Recuenco, Abel (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria) ; Chen, H. (University of Warwick. School of Engineering) ; Gammon, P.M. (University of Warwick. School of Engineering) ; Jennings, M.R. (University of Warwick. School of Engineering) ; Thomas, M. (University of Warwick. School of Engineering) ; Fisher, C.A. (University of Warwick. School of Engineering) ; Sharma, Y.K. (University of Warwick. School of Engineering) ; Placidi, Marcel (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Chmielowska, M. (Centre National de la Recherche Scientifique (França). Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications) ; Chenot, S. (Centre National de la Recherche Scientifique (França). Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria) ; Cordier, Y. (Centre National de la Recherche Scientifique (França). Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications)
The gallium nitride (GaN)-based buffer/barrier mode of growth and morphology, the transistor electrical response (25-310°C) and the nanoscale pattern of a homoepitaxial AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) have been investigated at the micro and nanoscale. [...]
2015 - 10.1088/0957-4484/26/11/115203
Nanotechnology, Vol. 26, Issue 11 (March 2015) , art. 115203  
7.
9 p, 644.4 KB Polycrystallization effects on the nanoscale electrical properties of high-k dielectrics / Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this study, atomic force microscopy-related techniques have been used to investigate, at the nanoscale, how the polycrystallization of an Al₂O₃-based gate stack, after a thermal annealing process, affects the variability of its electrical properties. [...]
2011 - 10.1186/1556-276X-6-108
Nanoscale Research Letters, Vol. 6 (January 2011) , art. 108  
8.
6 p, 4.0 MB Resistive switching in hafnium dioxide layers : local phenomenon at grain Boundaries / Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica)) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Overcoming challenges associated with implementation of resistive random access memory technology for non-volatile information storage requires identifying the material characteristics responsible for resistive switching. [...]
2012 - 10.1063/1.4765342
Applied physics letters, Vol. 101 (2012) , p. 193502-1/193502-5  
9.
5 p, 993.1 KB Grain boundaries as preferential sites for Resistive Switching in the HfO2 RRAM structures / Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zhang, K. (Peking University. Department of Electronics) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Shen, Z. Y. (Peking University. Department of Electronics) ; Liu, L. F. (Peking University. Institute of Microelectronics) ; Kang, J. F. (Peking University. Institute of Microelectronics) ; Gilmer, D. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica)) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica))
Resistive switching (RS) phenomenon in the HfO2 dielectric has been indirectly observed at device level in previous studies using metal-insulator-metal structures, but its origin remains unclear. In this work, using the enhanced conductive atomic force microscope (ECAFM), we have been able to obtain in situ direct observation of RS with nanometric resolution. [...]
2012 - 10.1063/1.3697648
Applied physics letters, Vol. 100, Issue 12 (March 2012) , p. 123508-1-123508-4  
10.
4 p, 3.8 MB Conductance of threading dislocations in InGaAs/Si stacks by temperature-CAFM measurements / Couso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Iglesias, V. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt, S. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Domingo Marimon, Neus (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cordes, A. (SEMATECH, United States) ; G. Bersuker (The Aerospace Corporation, United States)
2016 - 10.1109/LED.2016.2537051
IEEE electron device letters, Vol. 37, Issue 5 (May 2016) , p. 640-643  

Artículos : Encontrados 21 registros   1 - 10siguientefinal  ir al registro:
Documentos de investigación Encontrados 8 registros  
1.
175 p, 10.4 MB Analysis of impact of nanoscale defects on variability in MOS structures / Couso Fontanillo, Carlos ; Porti i Pujal, Marc, dir. ; Martín Martinez, Javier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En los últimos años, la información y su análisis se han convertido en la piedra angular del crecimiento de nuestra sociedad, permitiendo la economía compartida, la globalización de productos y conocimientos, etc. [...]
Over the last years, the information and its analysis have become in the corner stone of growth of our society allowing the sharing economy, globalization of products and knowledge, block-chain technology etc. [...]

[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  
2.
197 p, 6.7 MB A nanoscale study of MOSFETs reliability and resistive switching in RRAM devices / Wu, Qian ; Porti i Pujal, Marc, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El continuo escalado de la tecnología CMOS ha supuesto un gran reto en cuanto a la fiabilidad de dispositivos MOSFET se refiere debido al aumento del campo eléctrico en su interior, el cual ha dado lugar a la aparición de diferentes mecanismos de fallo. [...]
The continuous scaling down of CMOS technology has stood for a big challenge for reliability researchers, mainly due to the persistent increase of the electric fields in nanoscale devices, which can trigger different failure mechanisms. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017  
3.
180 p, 3.6 MB Microfabricated Fuel Cells as Power Sources for MEMS / Esquivel Bojorquez, Juan Pablo ; Sabaté Vizcarra, Neus, dir. ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La creciente complejidad de los dispositivos electrónicos portátiles demanda fuentes de energía que cumplan con los requerimientos de entregar una alta densidad de potencia en un tamaño reducido y en muchos casos la posibilidad de lograr una completa integración. [...]
The increasing complexity of portable electronic devices demands energy sources that meet the requirement of delivering a high power density within a reduced size, and in many cases the possibility of achieving complete integration. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2011  
4.
149 p, 4.9 MB Variability and reliability at the nanoscale of gate dielectrics of MOS devices and graphene based structures / Bayerl, Albin ; Porti i Pujal, Marc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
In the first chapter of this thesis, the MOSFET transistor and an overview of the implications of ongoing device shrinking will be given. Possible alternatives to allow the scaling down such as the introduction of high-k dielectrics and the potential of graphene for nanoelectronic applications are also explained. [...]
En el primer capítulo de ésta tesis, se les dará un resumen del transistor MOSFET y de las consecuencias del escalado de dispositivos electrónicos. También se explican las alternativas posibles para permitir mantener dicha tendencia, como la introducción de dieléctricos high-k y el potencial del grafeno para aplicaciones en nanoelectrónica. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
5.
148 p, 16.4 MB CAFM nanoscale electrical properties and reliability of HfO₂ based gate dielectrics in electron devices : : impact of the polycrystallization and resistive switching / Iglesias Santiso, Vanessa ; Porti i Pujal, Marc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La evolución de los dispositivos MOS ha conllevado una reducción de tamaño de los mismos con el fin de mejorar sus prestaciones. Sin embargo, este continuo escalado se ha topado con un límite físico: la delgada capa aislante de SiO2 (entre otros), que fuerza la búsqueda de nuevas alternativas que permitan abastecer al exigente mercado tecnológico. [...]
The evolution of MOS devices has involved an important shrinking in the transistor size with the aim of improve their benefits. However, this continuous miniaturization has found its physical limits in the thin SiO2 dielectric layer with current sizes at nanometric scale. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
6.
295 p, 7.0 MB Modelos de calibración n-dimensionales para lenguas electrónicas / Cartas Rosado, Raúl ; Valle Zafra, Manuel del, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química) ; Porti i Pujal, Marc, tut. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Las herramientas computacionales que se describen en esta tesis representan posibles alternativas de solución en la construcción de modelos de calibración multivariable a partir de datos obtenidos con arreglos de sensores electroquímicos. [...]
The computational tools described in this thesis are meant to be alternative solutions to build multivariate calibration models from multi-way data obtained with arrays of electrochemical sensors. Both experimental and computational applications described herein are aimed to build electronic tongues of potentiometric and voltammetric types. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
7.
21 p, 262.0 KB Disseny i implementació d'una etapa d'acondicionament per a mesures de conductivitat realitzades amb un microscopi de forces atòmiques / Moras Albero, Miquel ; Porti i Pujal, Marc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
En aquest treball, s'ha dissenyat un mòdul d'acondicionament a fi de millorar les mesures de conductivitat realitzades amb un AFM (Microscopi de Forces Atòmiques). L'equip actual disposa d'un preamplificador de baix soroll amb un guany de 10 10V/A. [...]
En este trabajo, se ha diseñado un circuito de acondicionamiento con el fín de mejorar las medidas de conductividad realizadas con un AFM (Microscopio de Fuerzas Atómicas). El equipo actual dispone de un preamplificador de bajo ruido con ganancia 10 10V/A. [...]
In this work, a circuit has been designed in order to improve the conductivity measures made with an AFM (Atomic Force Microscope). This microscope has a low noise preamplifier with a gain of 10 10V/A. [...]

2009
2 documentos
8.
38 p, 1.8 MB Caracterització a escala nanomètrica de la degradació i ruptura dielèctrica del SiO2 en dispositius MOS mitjançant C-AFM / Porti i Pujal, Marc ; Aymerich Humet, Xavier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
La progressiva reducció del gruix de l'òxid de porta (SiO2) en dispositius MOS sense el corresponent escalat en tensions, ha donat lloc a l'aparició de mecanismes de fallada (ruptura forta, HBD; ruptura suau, SBD; ruptura progressiva, PBD; o corrents de fuites, SILC) que en limiten la seva fiabilitat. [...]
The progressive decrease of the gate oxide (SiO2) thickness in MOS devices without the corresponding bias voltages scaling, has provoked the appearance of failure mechanisms (hard breakdown, HBD; soft breakdown, SBD; progressive breakdown, PBD; and the stress induced leakage current, SILC) that limit the oxide reliability. [...]

Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2003
3 documentos

Materiales académicos Encontrados 11 registros  1 - 10siguiente  ir al registro:
1.
4 p, 102.6 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
- Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. - Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
2013-14  
2.
4 p, 13.7 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
- Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. - Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
2012-13
Enginyeria Informàtica [958]  
3.
5 p, 14.2 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
- Entendre els conceptes bàsics de l'electricitat i l'electrònica, i conèixer els elements bàsics que formen part dels circuits electrònics. - Conèixer i saber utilitzar les lleis d'anàlisi de circuits per determinar el comportament dels circuits elèctrics lineals. [...]
2011-12
Enginyeria Informàtica [958]  
4.
6 p, 101.0 KB Electricitat i Electrònica [102771] / Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
2010-11
Enginyeria Informàtica [958]  
5.
1 p, 101.6 KB Electrònica II [25140] / Abadal Berini, Gabriel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2001-02
Llicenciat en Física [173]  
6.
6 p, 67.6 KB Electrònica [28247] / Albareda, Guillermo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
2007-08
Enginyer en Informàtica [471]
Enginyeria Informàtica i Llic. en Matemàtiques [605]  
7.
2 p, 147.8 KB Electrònica II [25140] / Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Verd Martorell, Jaume (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2002-03
Llicenciat en Física [173]  
8.
2 p, 24.8 KB Electrònica aplicada [25474] / Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernández-Díaz, Eduard ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2003-04
Llicenciat en Física [535]  
9.
2 p, 10.7 KB Electrònica aplicada [25474] / Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernández-Díaz, Eduard ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2004-05
Llicenciat en Física [535]  
10.
2 p, 40.6 KB Instrumentació i equips electrònics [28208] / García García, Juan José (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
2005-06
Enginyer Tècnic de Telecomunicacions - Sistemes Electrònics [475]  

Materiales académicos : Encontrados 11 registros   1 - 10siguiente  ir al registro:
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.