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Resistive switching in nanometric BaTiO3 ferroelectric junctions / Qian, Mengdi, autor. ; Fontcuberta i Griñó, Josep, supervisor acadèmic. ; Fina Martínez, Ignasi, supervisor acadèmic. ; Rodríguez Viejo, Javier, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona.
Los condensadores ferroeléctricos están formados por dos electrodos metálicos separados por una capa ferroeléctrica, y tienen un gran potencial para dispositivos lógicos y memorias. El carácter ferroeléctrico de la barrera permite la aparición de memoria multinivel con una respuesta (resistencia R) que puede venir determinada por su historia (). [...]
Ferroelectric capacitors consist of two metallic electrodes separated by a ferroelectric layer have great potential for memory and logic devices. Here, the ferroelectric character of the barrier should allow to build multilevel of memory with a response (resistance R) that can be dictated by its previous history (cycling voltage V). [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  

Vea también: autores con nombres similares
1 Qian, Mengdi,
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