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53 p, 4.5 MB Nanostructural changes upon substitutional Al doping in ZnO sputtered films / Landa Cánovas, Ángel R. (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid) ; Santiso, José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Agulló Rueda, Fernando (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid) ; Herrero, Pilar (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid) ; Navarrete Astorga, Elena (Universidad de Málaga. Departamento de Física Aplicada) ; Ochoa Martínez, E. (University of Fribourg) ; Ramos Barrado, José R. (Universidad de Málaga. Departamento de Física Aplicada) ; Gabás, M. (Universidad Politécnica de Madrid. Instituto de Energía Solar)
Al:ZnO layers, with low and high Al content, 0. 2% and 2. 1% cat. respectively, have been prepared using the RF magnetron sputtering technique. Noticeable differences in the optical and electrical properties have been detected in these films. [...]
2019 - 10.1016/j.ceramint.2018.12.116
Ceramics international, Vol. 45, Issue 5 (April 2019) , p. 6319-6327  
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