Resultats globals: 3 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 3 registres trobats
Articles 3 registres trobats  
1.
7 p, 884.6 KB Reduction of the thermal conductivity in free-standing silicon nano-membranes investigated by non-invasive Raman thermometry / Chávez Ángel, Emigdio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Reparaz, Julian S. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Gomis Bresco, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Wagner, Markus R (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cuffe, John (Massachusetts Institute of Technology) ; Graczykowski, Bartlomiej (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Shchepetov, Andrey (VTT Technical Research Centre of Finland) ; Jiang, Hua (Aalto University School of Science) ; Prunnila, Mika (VTT Technical Research Centre of Finland) ; Ahopelto, Jouni (VTT Technical Research Centre of Finland) ; Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We report on the reduction of the thermal conductivity in ultra-thin suspended Si membranes with high crystalline quality. A series of membranes with thicknesses ranging from 9 nm to 1. 5 μm was investigated using Raman thermometry, a novel contactless technique for thermal conductivity determination. [...]
2014 - 10.1063/1.4861796
APL Materials, Vol. 2, Issue 1 (January 2014) , art. 12113  
2.
Thermal transport in epitaxial Si1-xGe x alloy nanowires with varying composition and morphology / Sachat, Alexandros el (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Reparaz, Julian S. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Spiece, J. (Lancaster University) ; Alonso Carmona, Maria Isabel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Goñi, Alejandro R. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Garriga, Miquel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Vaccaro, Pablo Oscar (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Wagner, Markus R. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Kolosov, O. V. (Lancaster University) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
We report on structural, compositional, and thermal characterization of self-assembled in-plane epitaxial SiGe alloy nanowires grown by molecular beam epitaxy on Si (001) substrates. The thermal properties were studied by means of scanning thermal microscopy (SThM), while the microstructural characteristics, the spatial distribution of the elemental composition of the alloy nanowires and the sample surface were investigated by transmission electron microscopy and energy dispersive x-ray microanalysis. [...]
2017 - 10.1088/1361-6528/aa9497
Nanotechnology, Vol. 28, Núm. 50 (December 2017) , art. 505704  
3.
12 p, 3.4 MB A single-source precursor route to anisotropic halogen-doped zinc oxide particles as a promising candidate for new transparent conducting oxide materials / Lehr, Daniela (University of Konstanz (German). Department of Chemistry) ; Wagner, Markus R (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Flock, Johanna (University of Konstanz (German). Department of Physics) ; Reparaz, Julian S. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Klaiber, Alexander (University of Konstanz (German). Department of Chemistry) ; Dekorsy, Thomas (University of Konstanz (German). Department of Physics) ; Polarz, Sebastian (University of Konstanz (German). Department of Chemistry)
Numerous applications in optoelectronics require electrically conducting materials with high optical transparency over the entire visible light range. A solid solution of indium oxide and substantial amounts of tin oxide for electronic doping (ITO) is currently the most prominent example for the class of so-called TCOs (transparent conducting oxides). [...]
2015 - 10.3762/bjnano.6.222
Beilstein Journal of Nanotechnology, Vol. 6 (2015) , p. 2161-2172  

Vegeu també: autors amb noms similars
5 Reparaz, J.S.
1 Reparaz, Juan Sebastian
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.