Resultados globales: 3 registros encontrados en 0.02 segundos.
Artículos, Encontrados 2 registros
Documentos de investigación, Encontrados 1 registros
Artículos Encontrados 2 registros  
1.
13 p, 10.2 MB High Performance Seesaw Torsional CMOS-MEMS Relay Using Tungsten VIA Layer / Riverola, Martín (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Torres, Francesc 1948- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Uranga del Monte, Aránzazu (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this paper, a seesaw torsional relay monolithically integrated in a standard 0. 35 μm complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology is presented. The seesaw relay is fabricated using the Back-End-Of-Line (BEOL) layers available, specifically using the tungsten VIA3 layer of a 0. [...]
2018 - 10.3390/mi9110579
Micromachines, Vol. 9 (november 2018)  
2.
15 p, 4.1 MB Enhancement of Frequency Stability Using Synchronization of a Cantilever Array for MEMS-Based Sensors / Torres, Francesc 1948- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sobreviela, Guillermo ; Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Uranga del Monte, Aránzazu (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Riverola, Martín
Micro and nano electromechanical resonators have been widely used as single or multiple-mass detection sensors. Smaller devices with higher resonance frequencies and lower masses offer higher mass responsivities but suffer from lower frequency stability. [...]
2016 - 10.3390/s16101690
Sensors (Basel, Switzerland), Vol. 16 Núm. 10 (October 2016) , art. 1690  

Documentos de investigación Encontrados 1 registros  
1.
199 p, 8.4 MB Micro and nano-electro-mechanical devices in the CMOS back end and their applications / Riverola Borreguero, Martín ; Barniol i Beumala, Núria, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Recentment, l'escalat de la tecnologia complementaria metall-òxid-semiconductor (CMOS) està arribant a límits fonamentals, principalment degut a les fuites de corrent no nul·les que el transistor presenta. [...]
Recently, several new emerging devices are starting to be explored because the traditional down-scaling approach of the complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology (often called "More Moore") is reaching fundamental limits; mainly due to non-zero transistor off-state leakage. [...]

[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  

Vea también: autores con nombres similares
1 Riverola, Martí
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.