Resultados globales: 5 registros encontrados en 0.01 segundos.
Artículos, Encontrados 4 registros
Documentos de investigación, Encontrados 1 registros
Artículos Encontrados 4 registros  
1.
22 p, 713.4 KB A new method for estimating the conductive filament temperature in OxRAM devices based on escape rate theory / Rodríguez Fernández, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Muñoz Gorriz, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Because of the atomic nature of the system under study, an estimation of the temperature of the conductive filament (CF) in OxRAM devices as a function of the applied bias can only be obtained by means of indirect methods, usually electrothermal simulations. [...]
2018 - 10.1016/j.microrel.2018.06.120
Microelectronics reliability, Vol. 88-90 (September 2018) , p. 142-146
2 documentos
2.
5 p, 647.7 KB Switching Voltage and Time Statistics of Filamentary Conductive Paths in HfO2-Based ReRAM Devices / Rodríguez Fernández, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cagli, Carlo (CEA (Grenoble, França)) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Switching voltage and time statistics of HfO2-based one transistor-one resistor structures are investigated with the aim of clarifying the underlying physical mechanism that governs the formation and rupture of filamentary paths in the insulating layer. [...]
2018 - 10.1109/LED.2018.2822047
IEEE electron device letters, Vol. 39, Issue 5 (May 2018) , p. 656-659  
3.
26 p, 1.0 MB Characterization of HfO2-based devices with indication of second order memristor effects / Rodríguez Fernández, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cagli, Carlo (CEA (Grenoble, França)) ; Perniola, Luca (CEA (Grenoble, França)) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Resistive switching is investigated in TiN/Ti/HfO (10 nm)/TiN devices in series with a NMOS transistor as selector in a 1T1R configuration. A complete electrical characterization of the devices is carried out using DC voltage loops, constant-voltage stressed and pulses with varying voltage amplitude and time width. [...]
2018 - 10.1016/j.mee.2018.04.006
Microelectronic engineering, Vol. 195 (August 2018) , p. 101-106
2 documentos
4.
8 p, 3.6 MB Study on the Connection Between the Set Transient in RRAMs and the Progressive Breakdown of Thin Oxides / Aguirre, Fernando Leonel (Universidad Tecnológica Nacional (Buenos Aires, Argentina)) ; Rodríguez Fernández, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pazos, Sebastián Matías (Universidad Tecnológica Nacional (Buenos Aires, Argentina)) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Palumbo, Félix (Universidad Tecnológica Nacional (Buenos Aires, Argentina))
In this paper, the transition rate (TR) from the high-resistance state to the low-resistance state of a HfO-based resistive random access memory (RRAM) is investigated. The TR is statistically characterized by applying constant voltage stresses in the range from 0. [...]
2019 - 10.1109/TED.2019.2922555
IEEE transactions on electron devices, Vol. 66, Issue 8 (August 2019) , p. 3349-3355  

Documentos de investigación Encontrados 1 registros  
1.
177 p, 12.1 MB Analysis and modeling of filamentary conduction in Hf0₂-based structures / Rodríguez Fernández, Alberto, autor. ; Miranda, Enrique Alberto, supervisor acadèmic. ; Bargalló González, Mireia, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Actualmente nos enfrentamos a una revolución en los campos de la microelectrónica y las tecnologías de la información y la comunicación, que seguramente afectaran nuestra forma de vida en los años venideros. [...]
We are currently facing a revolution in the fields of microelectronics and information technologies that will surely affect our way of life in the years to come. In this regard, the proposal of a memory device based on the combined action of ions and electrons is considered to be a breakthrough of our time. [...]

[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.
2 documentos

¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.