Results overview: Found 30 records in 0.01 seconds.
Articles, 15 records found
Research literature, 5 records found
Course materials, 10 records found
Articles 15 records found  1 - 10next  jump to record:
1.
12 p, 2.7 MB Numerical study of hydrodynamic forces for AFM operations in liquid / Berthold, Tobias (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Benstetter, Guenther (Deggendorf Institute of Technology) ; Frammelsberger, Werner (Deggendorf Institute of Technology) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona)
For advanced atomic force microscopy (AFM) investigation of chemical surface modifications or very soft organic sample surfaces, the AFM probe tip needs to be operated in a liquid environment because any attractive or repulsive forces influenced by the measurement environment could obscure molecular forces. [...]
2017 - 10.1155/2017/6286595
Scanning, Vol. 2017 (2017) , art. 6286595  
2.
17 p, 1.4 MB New high resolution random telegraph noise (RTN) characterization method for resistive RAM / Maestro, M. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Díaz, J. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; González, M.B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona (CSIC)) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona (CSIC)) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Random Telegraph Noise (RTN) is one of the main reliability problems of resistive switching-based memories. To understand the physics behind RTN, a complete and accurate RTN characterization is required. [...]
2016 - 10.1016/j.sse.2015.08.010
Solid-state electronics, Vol. 115, Part B (January 2016) , p. 140-145  
3.
5 p, 2.7 MB Current-limiting and ultrafast system for the characterization of resistive random access memories. / Díaz, J. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Maestro, M. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
2016 - 10.1063/1.4954973
Review of scientific instruments, Vol. 87, Issue 6 (June 2016) , p. 64705  
4.
5 p, 939.8 KB Channel-Hot-Carrier degradation of strained MOSFETs : A device level and nanoscale combined approach / Wu, Qian (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Simoen, E. (IMEC. Belgium.)
Strained MOSFETs with SiGe at the source/drain regions and different channel lengths have been studied at the nanoscale with a conductive atomic force microscope (CAFM) and at device level, before and after channel-hot-carrier (CHC) stress. [...]
2015 - 10.1116/1.4913950
Journal of vacuum science and technology B, Vol. 33, Issue 2 (March 2015) , p. 22202  
5.
11 p, 963.5 KB Reversible dielectric breakdown in ultra Hf based high-k stacks under current limited stresses / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The effects of a current-limited breakdown (BD) on the post-BD current of MOS capacitors with a thin high-k dielectric stack have been analysed. A strong current reduction after BD and, consequently, a partial recovery of the insulating properties of the dielectric stack is observed. [...]
2009 - 10.1016/j.microrel.2009.06.029
Microelectronics reliability, Vol. 49, Issue 9-11 (2009) , p. 1024-1028  
6.
3 p, 1.0 MB Recovery of the MOSFET and circuit functionality after the dielectric breakdown of ultra-thin high-k gate stacks / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The reversibility of the gate dielectric breakdown in ultra-thin high-k dielectric stacks is reported and analyzed. The electrical performance of MOSFETs after the dielectric recovery is modeled and introduced in a circuit simulator. [...]
2010 - 10.1109/LED.2010.2045732
IEEE electron device letters, Vol. 31, Issue 6 (June 2010) , p. 543-545  
7.
6 p, 2.0 MB Injected charge to recovery as a parameter to characterize the breakdown reversibility of ultrathin HfSiON gate dielectric / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The injected charge to recovery (QR) is presented as a parameter to characterize the dielectric breakdown (BD)reversibility in MOSFETs with ultrathin high-k hafnium based gate dielectric. The procedure to recover the dielectric is explained and the dependences of QR with the current limit during BD, the polarity of the BD-recovery stresses and the number of stress cycles are analyzed.
2011 - 10.1109/TDMR.2010.2098032
IEEE transactions on device and materials reliability, Vol. 11, Issue 1 (March 2011) , p. 126-130  
8.
12 p, 990.7 KB Resistive switching-like behavior of the dielectric breakdown in ultra-thin Hf based gate stacks in MOSFETs / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The gate dielectric breakdown (BD) reversibility in MOSFETs with ultra-thin hafnium based high-k dielectric is studied. The phenomenology is analyzed in detail and the similarities with the resistive switching phenomenon emphasized. [...]
2011 - 10.1016/j.sse.2011.06.033
Solid-state electronics, Vol. 65-66 (Nov.-Dec. 2011) , p. 157-162  
9.
41 p, 418.7 KB Dielectric breakdown in ultra-thin Hf based gate stacks : a resistive switching phenomenon / Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the temperature dependence of the resistive switching-related currents (gate and drain) in MOSFETs with ultra-thin Hf based high-k dielectric has been analyzed, for the two dielectric conductivity states. [...]
2012 - 10.1149/2.012206jes
Journal of the Electrochemical Society, Vol. 159 Issue 5 (2012) , p. H529-H535  
10.
4 p, 446.5 KB Dedicated random telegraph noise characterization of Ni/HfO2-based RRAM devices / Bargalló González, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Acero Leal, María Cruz (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, random telegraph noise (RTN) associated to discrete current fluctuations in the high resistive state of Ni/HfO2-based RRAM devices is investigated. For this purpose, a dedicated software tool has been developed to control the instrumentation and to perform successive and smart RTN measurements in the time domain. [...]
2015 - 10.1016/j.mee.2015.04.046
Microelectronic engineering, Vol. 147, no. 1 (Nov. 2015) , p. 59-62  

Articles : 15 records found   1 - 10next  jump to record:
Research literature 5 records found  
1.
151 p, 10.0 MB Advanced nanoscale characterization concepts for copper interconnection technologies / Berthold, Tobias, autor. ; Rodríguez Martínez, Rosana, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
En tecnologías de interconexión de cobre, las propiedades de cobre (Cu) y especialmente su oxidación, dificultan su implementación en comparación con materiales estándar como el aluminio o el oro. [...]
For the implementation of a direct copper-copper interconnection technology, the different properties of copper (Cu), especially the oxidation behavior, impede the easy transition to Cu compared to standard materials such as aluminum or gold. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
2.
184 p, 3.5 MB Analysis of the resistive switching phenomenon in MOS devices for memory and logic applications / Maestro Izquierdo, Marcos, autor. ; Rodríguez Martínez, Rosana, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
En general, la continua evolución de la tecnología ha llevado a afrontar nuevos retos emergentes. En cuanto al campo de la electrónica, uno de los más relevantes ha sido la ley de Moore que postula que "el número de transistores en un circuito integrado se duplica aproximadamente cada dos años". [...]
In general, the continuous evolution, and improvement, of the technology has led to face new emerging challenges. Regarding the electronic field, one of the most relevant has been the Moore's law which postulates "the number of transistors in a dense integrated circuit doubles approximately every two years". [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
3.
160 p, 6.8 MB TCAD study of interface traps-related variability in ultra-scaled MOSFETs / Velayudhan, Vikas, autor ; Nafría i Maqueda, Montserrat, supervisor acadèmic (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana, supervisor acadèmic ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El trabajo desarrollado en esta tesis se ha enfocado en el análisis y estudio del impacto que tienen en la variabilidad de MOSFETs ultraescalados el número y la distribución espacial de las trampas interficiales. [...]
The work developed in this thesis has focused on the analysis and study of the impact on the variability of ultra-scaled MOSFETs due to the number and spatial distribution of interfacial traps. In the study, the number of locations where traps were located were randomly varied, but the total charge in the entire device was always maintained constant. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016  
4.
154 p, 4.1 MB Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Resums pendents.
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
5.
92 p, 2.3 MB Control de instrumentos mediante el bus GPIB programado con MATLAB / Amores Rubio, Eduardo ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
El proyecto que se expone a continuación está dedicado al control de instrumentos mediante el bus de instrumentación GPIB programado con el software Matlab. Está dividido en dos partes. La primera, será llevada a cabo en el laboratorio de docencia y el objetivo será controlar el osciloscopio y el generador de funciones. [...]
El projecte que s'exposa a continuació està dedicat al control d'instruments mitjançant el bus d'instrumentació GPIB programat amb el software Matlab. Està dividit en tres parts. La primera, es durà a terme en el laboratori de docència i l'objectiu serà controlar l'oscil·loscopi i el generador de funcions. [...]
The project that follows is dedicated to the control of instruments with the GPIB instrumentation bus programmed with Matlab software. It's divided into two parts. The first will be made in the teaching laboratory and the objective is to control the oscilloscope and function generator. [...]

2010  

Course materials 10 records found  
1.
6 p, 85.2 KB Fonaments de Senyals i Sistemes [102690] / Morell Perez, Antoni ; Martin Martinez, Javier ; Fuentes Cejudo, Antonio ; Lopez Vicario, Jose ; Pisa Dacosta, Ivan ; Rodríguez Martínez, Rosana ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Introduir l'alumne en l'anàlisi i caracterització de senyals i sistemes, posant èmfasi en els sistemes lineals. Conèixer la transfomada de Laplace i les seves propietats. Saber aplicar la transformada de Laplace a l'anàlisi de circuits. [...]
2018-19
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
2.
5 p, 81.0 KB Fonaments de Senyals i Sistemes [102690] / Morell Pérez, Antoni (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Telecomunicació i Enginyeria de Sistemes) ; Martin Martinez, Javier ; Fuentes Cejudo, Antonio, 1956- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Telecomunicació i Enginyeria de Sistemes) ; Macias Toro, Edwar Hernando (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Telecomunicació i Enginyeria de Sistemes) ; Rodríguez Martínez, Rosana ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Introduir l'alumne en l'anàlisi i caracterització de senyals i sistemes, posant èmfasi en els sistemes lineals. Conèixer la transfomada de Laplace i les seves propietats. Saber aplicar la transformada de Laplace a l'anàlisi de circuits. [...]
2017-18
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
3.
4 p, 77.3 KB Electrical Characterisation and Reliability [43431] / Rodríguez Martínez, Rosana ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
This module aims to address the electrical characterization in nanoelectronic devices to assess their performance and reliability.
2016-17
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  
4.
1 p, 186.4 KB Electrònica [20343] / Bausells Roige, Joan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Abadal Berini, Gabriel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana ; Masó, Joan ; Pérez, Francesc ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1995-96
Enginyer en Informàtica [57]  
5.
2 p, 81.4 KB Electrònica aplicada [25474] / Uranga del Monte, Aránzazu (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2007-08
Llicenciat en Física [597]  
6.
2 p, 147.8 KB Electrònica II [25140] / Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Verd Martorell, Jaume (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2002-03
Llicenciat en Física [173]  
7.
2 p, 24.8 KB Electrònica aplicada [25474] / Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernández-Díaz, Eduard ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2003-04
Llicenciat en Física [535]  
8.
2 p, 10.7 KB Electrònica aplicada [25474] / Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernández-Díaz, Eduard ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2004-05
Llicenciat en Física [535]  
9.
2 p, 950.1 KB Electrònica aplicada [25474] / Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aguilera Martínez, Lídia (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Portí Pujal, Marc ; López Méndez, Joan Lluís ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2006-07
Llicenciat en Física [535]  
10.
2 p, 13.5 KB Electrònica aplicada [25474] / Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernández-Díaz, Eduard ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2005-06
Llicenciat en Física [535]  

Interested in being notified about new results for this query?
Set up a personal email alert or subscribe to the RSS feed.