Resultados globales: 53 registros encontrados en 0.01 segundos.
Artículos, Encontrados 33 registros
Documentos de investigación, Encontrados 7 registros
Materiales académicos, Encontrados 13 registros
Artículos Encontrados 33 registros  1 - 10siguientefinal  ir al registro:
1.
Unified RTN and BTI statistical compact modeling from a defect-centric perspective / Pedreira Rincon, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In nowadays deeply scaled CMOS technologies, time-dependent variability effects have become important concerns for analog and digital circuit design. Transistor parameter shifts caused by Bias Temperature Instability and Random Telegraph Noise phenomena can lead to deviations of the circuit performance or even to its fatal failure. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108112
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , p. 108112  
2.
Modeling of the degradation of CMOS inverters under pulsed stress conditions from 'on-the-fly' measurements / Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ramos, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, an 'on-the-fly' measurement technique for the monitoring of CMOS inverters performance degradation is presented. This technique allows the characterization of the circuit degradation simultaneously with the applications of the stress. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108094
Solid-state electronics, Vol. 184 (October 2021) , art. 108094  
3.
Statistical threshold voltage shifts caused by BTI and HCI at nominal and accelerated conditions / Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In nowadays deeply scaled CMOS technologies, time-zero and time-dependent variability effects have become important concerns for analog and digital circuit design. For instance, transistor parameter shifts caused by Bias Temperature Instability and Hot-Carrier Injection phenomena can lead to progressive deviations of the circuit performance or even to its catastrophic failure. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108037
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , art. 108037  
4.
8 p, 850.2 KB An unsupervised and probabilistic approach to Pavlov's dog experiment with OxRAM devices / Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pedro, Marta (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
In this work, a potential basis for implementing unsupervised associative learning in two or more memristors within neuromorphic architectures is proposed. The experimental demonstration is carried out by means of emulating the Pavlov's dog classical conditioning experiment with two OxRAM devices, in which the dependence of the probability of association on test parameters, such as the pulse amplitude, is studied.
2019 - 10.1016/j.mee.2019.111024
Microelectronic engineering, Vol. 215 (July 2019) , art. 111024  
5.
6 p, 6.4 MB SPICE modeling of cycle-to-cycle variability in RRAM devices / Salvador Aguilera, Emili (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, we investigated how to include uncorrelated cycle-to-cycle (C2C) variability in the LTSpice quasi-static memdiode model for RRAM devices. Variability in the I-V curves is first addressed through an in-depth study of the experimental data using the fitdistrplus package for the R language. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108040
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , art. 108040  
6.
8 p, 4.1 MB A flexible characterization methodology of RRAM : application to the modeling of the conductivity changes as synaptic weight updates / Pedro, Marta (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, an automatic and flexible measurement setup, which allows a massive electrical characterization of single RRAM devices with pulsed voltages, is presented. The evaluation of the G-V maps under single-pulse test-schemes is introduced as an example of application of the proposed methodology, in particular for neuromorphic engineering, where the fine analog control of the synaptic device conductivity state is required, by inducing small changes in each learning iteration. [...]
2019 - 10.1016/j.sse.2019.03.035
Solid-state electronics, Vol. 159 (Sep. 2019) , p. 57-62  
7.
8 p, 4.1 MB A smart noise- and RTN-removal method for parameter extraction of CMOS aging compact models / Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In modern nanometer-scale CMOS technologies, time-zero and time-dependent variability (TDV) effects, the latter coming from aging mechanisms like Bias Temperature Instability (BTI), Hot Carrier Injection (HCI) or Random Telegraph Noise (RTN), have re-emerged as a serious threat affecting the performance of analog and digital integrated circuits. [...]
2019 - 10.1016/j.sse.2019.03.045
Solid-state electronics, Vol. 159 (Sep. 2019) , p. 99-105  
8.
27 p, 836.1 KB Low-power, high-performance, non-volatile inkjet-printed HfO 2 -based resistive random access memory : from device to nanoscale characterization / Vescio, Giovanni (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martín, Gemma (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Alonso, Daniel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lopez-Vidrier, Julian (Albert-Ludwigs-Universität Freiburg) ; Estrade, Sonia (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Peiro, Francesca (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cornet, Albert (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Cirera, Albert (Universitat de Barcelona. Institut de Nanociència i Nanotecnologia) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Low-power, high-performance metal-insulator-metal (MIM) non-volatile resistive memories based on HfO2 high-k dielectric are fabricated using a drop-on-demand inkjet printing technique as a low-cost and eco-friendly method. [...]
2019 - 10.1021/acsami.9b01731
ACS applied materials & interfaces, Vol. 11, issue 26 (2019) , p. 23659-23666  
9.
7 p, 481.4 KB Experimental time evolution study of the HfO2-based IMPLY gate operation / Maestro Izquierdo, Marcos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Escudero, Manel (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rubio, Antonio 1954- (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In the last years, memristor devices have been proposed as key elements to develop a new paradigm to implement logic gates. In particular, the memristor-based material implication (IMPLY) gate has been presented as a potential powerful basis for logic applications. [...]
2018 - 10.1109/TED.2017.2778315
IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 65, issue 2 (Feb. 2018) , p. 404-410  
10.
15 p, 3.3 MB A versatile CMOS transistor array IC for the statistical characterization of time-zero variability, RTN, BTI, and HCI / Diaz-Fortuny, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Statistical characterization of CMOS transistor variability phenomena in modern nanometer technologies is key for accurate end-of-life prediction. This paper presents a novel CMOS transistor array chip to statistically characterize the effects of several critical variability sources, such as time-zero variability (TZV), random telegraph noise (RTN), bias temperature instability (BTI), and hot-carrier injection (HCI). [...]
2019 - 10.1109/JSSC.2018.2881923
IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 54, issue 2 (Feb. 2019) , p. 476-488  

Artículos : Encontrados 33 registros   1 - 10siguientefinal  ir al registro:
Documentos de investigación Encontrados 7 registros  
1.
193 p, 5.4 MB A versatile framework for the statistical characterization of CMOS time-zero and time-dependent variability with array-based ICs / Diaz-Fortuny, Javier ; Martin Martinez, Javier, dir. ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Desde la invención en 1960 del transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET por sus siglas en inglés), la industria de semiconductores no ha cesado en la creación de nuevas invenciones para reducir las dimensiones de los transistores de la escala micrométrica (< 10-μm) a las dimensiones actuales de 7-14-nm, o incluso para la creación del nuevo nódulo tecnológico de 5-nm, cuya fabricación está prevista para 2020-2021, con el objetivo de fabricar dispositivos más fiables y circuitos más avanzados, con miles de millones de transistores por chip. [...]
Since the invention in 1960 of the Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET), the CMOS semiconductor industry has invariably invented new feats to progressively reduce the minimum gate length, from the micrometer scale (< 10-μm) to the nowadays 7-14-nm gate lengths or the new 5-nm technology node predicted to be manufactured in 2020-2021, all with the aim of fabricating more reliable devices and even more advanced circuits and systems, with billions of transistors per chip. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
2.
56 p, 10.5 MB Efecto del ruido en el memristor : desarrollo del set up, procedimiento de medidas y análisis de resultados / Vargas Mosquera, Francel Eduardo ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
El presente trabajo de fin de grado consiste en realizar medidas experimentales en el memristor, con el objetivo de encontrar unas características de ruido que produzcan la resonancia estocástica en este dispositivo y a su vez reduzca su variabilidad para mejorar su comportamiento. [...]
El present treball de fi de grau consisteix a realitzar mesures experimentals en el memristor,amb l'objectiu de trobar unes característiques de soroll que produeixin la ressonància estocàstica en aquest dispositiu i al seu torn redueixi la seva variabilitat per a millorar el seu comportament. [...]
The present work of end of degree consists in carrying out experimental measures in the Memristor, in order to find noise characteristics that produce stochastic resonance in this device and in turn reduce their variability to improve their behavior. [...]

2019
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
3.
151 p, 10.0 MB Advanced nanoscale characterization concepts for copper interconnection technologies / Berthold, Tobias ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En tecnologías de interconexión de cobre, las propiedades de cobre (Cu) y especialmente su oxidación, dificultan su implementación en comparación con materiales estándar como el aluminio o el oro. [...]
For the implementation of a direct copper-copper interconnection technology, the different properties of copper (Cu), especially the oxidation behavior, impede the easy transition to Cu compared to standard materials such as aluminum or gold. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
4.
184 p, 3.5 MB Analysis of the resistive switching phenomenon in MOS devices for memory and logic applications / Maestro Izquierdo, Marcos ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En general, la continua evolución de la tecnología ha llevado a afrontar nuevos retos emergentes. En cuanto al campo de la electrónica, uno de los más relevantes ha sido la ley de Moore que postula que "el número de transistores en un circuito integrado se duplica aproximadamente cada dos años". [...]
In general, the continuous evolution, and improvement, of the technology has led to face new emerging challenges. Regarding the electronic field, one of the most relevant has been the Moore's law which postulates "the number of transistors in a dense integrated circuit doubles approximately every two years". [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
5.
160 p, 6.8 MB TCAD study of interface traps-related variability in ultra-scaled MOSFETs / Velayudhan, Vikas ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El trabajo desarrollado en esta tesis se ha enfocado en el análisis y estudio del impacto que tienen en la variabilidad de MOSFETs ultraescalados el número y la distribución espacial de las trampas interficiales. [...]
The work developed in this thesis has focused on the analysis and study of the impact on the variability of ultra-scaled MOSFETs due to the number and spatial distribution of interfacial traps. In the study, the number of locations where traps were located were randomly varied, but the total charge in the entire device was always maintained constant. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016  
6.
154 p, 4.1 MB Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado / Crespo-Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Para lograr el estudio de la ruptura dieléctrica, y concretamente la caracterización y observación del fenómeno de su reversibilidad, se ha realizado una elevada cantidad de medidas que ha generado un volumen muy grande de datos que procesar y analizar, ha sido necesario el análisis estadístico de algunos de los parámetros y eventos que caracterizan el fenómeno, lo que requiere reproducir el fenómeno un gran número de veces, tanto en un mismo dispositivo como en diferentes, y en diversas condiciones de trabajo y/o con procedimientos de medida distintos. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
7.
92 p, 2.3 MB Control de instrumentos mediante el bus GPIB programado con MATLAB / Amores Rubio, Eduardo ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
El proyecto que se expone a continuación está dedicado al control de instrumentos mediante el bus de instrumentación GPIB programado con el software Matlab. Está dividido en dos partes. La primera, será llevada a cabo en el laboratorio de docencia y el objetivo será controlar el osciloscopio y el generador de funciones. [...]
El projecte que s'exposa a continuació està dedicat al control d'instruments mitjançant el bus d'instrumentació GPIB programat amb el software Matlab. Està dividit en tres parts. La primera, es durà a terme en el laboratori de docència i l'objectiu serà controlar l'oscil·loscopi i el generador de funcions. [...]
The project that follows is dedicated to the control of instruments with the GPIB instrumentation bus programmed with Matlab software. It's divided into two parts. The first will be made in the teaching laboratory and the objective is to control the oscilloscope and function generator. [...]

2010  

Materiales académicos Encontrados 13 registros  1 - 10siguiente  ir al registro:
1.
5 p, 109.6 KB Fonaments de Senyals i Sistemes [102690] / Rodríguez Martínez, Rosana ; Martin Martinez, Javier ; Lopez Vicario, Jose ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Introduir l'alumne en l'anàlisi i caracterització de senyals i sistemes, posant èmfasi en els sistemes lineals. Conèixer la transfomada de Laplace i les seves propietats. Saber aplicar la transformada de Laplace a l'anàlisi de circuits. [...]
Introduce the student to the analysis and characterization of signals and systems, with emphasis on linear systems. Learn the Laplace transform and its properties. Learn how to apply the Laplace transform to circuit analysis. [...]
Introducir al alumno en el análisis y caracterización de señales y sistemas, poniendo énfasis en los sistemas lineales. Conocer la transfomada de Laplace y sus propiedades. Saber aplicar la transformada de Laplace al análisis de circuitos. [...]

2021-22
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Tecnologies de la Informació) i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1207]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documentos
2.
5 p, 109.5 KB Fonaments de Senyals i Sistemes [102690] / Rodríguez Martínez, Rosana ; Serrano García, Javier ; Martin Martinez, Javier ; Fuentes Cejudo, Antonio ; Macias Toro, Edwar Hernando ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Introduir l'alumne en l'anàlisi i caracterització de senyals i sistemes, posant èmfasi en els sistemes lineals. Conèixer la transfomada de Laplace i les seves propietats. Saber aplicar la transformada de Laplace a l'anàlisi de circuits. [...]
Introducir al alumno en el análisis y caracterización de señales y sistemas, poniendo énfasis en los sistemas lineales. Conocer la transfomada de Laplace y sus propiedades. Saber aplicar la transformada de Laplace al análisis de circuitos. [...]

2020-21
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Enginyeria de Computadors) i Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [1206]
Grau en Enginyeria Informàtica (Menció en Tecnologies de la Informació) i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1207]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació i Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [1365]
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documentos
3.
5 p, 109.5 KB Fonaments de Senyals i Sistemes [102690] / Morell Pérez, Antoni ; Serrano García, Javier ; Martin Martinez, Javier ; Fuentes Cejudo, Antonio ; Macias Toro, Edwar Hernando ; Rodríguez Martínez, Rosana ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Introduir l'alumne en l'anàlisi i caracterització de senyals i sistemes, posant èmfasi en els sistemes lineals. Conèixer la transfomada de Laplace i les seves propietats. Saber aplicar la transformada de Laplace a l'anàlisi de circuits. [...]
Introducir al alumno en el análisis y caracterización de señales y sistemas, poniendo énfasis en los sistemas lineales. Conocer la transfomada de Laplace y sus propiedades. Saber aplicar la transformada de Laplace al análisis de circuitos. [...]

2019-20
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
3 documentos
4.
6 p, 85.2 KB Fonaments de Senyals i Sistemes [102690] / Morell Pérez, Antoni ; Martin Martinez, Javier ; Fuentes Cejudo, Antonio ; Lopez Vicario, Jose ; Pisa, Ivan ; Rodríguez Martínez, Rosana ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Introduir l'alumne en l'anàlisi i caracterització de senyals i sistemes, posant èmfasi en els sistemes lineals. Conèixer la transfomada de Laplace i les seves propietats. Saber aplicar la transformada de Laplace a l'anàlisi de circuits. [...]
2018-19
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
5.
5 p, 81.0 KB Fonaments de Senyals i Sistemes [102690] / Morell Pérez, Antoni (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Telecomunicació i Enginyeria de Sistemes) ; Martin Martinez, Javier ; Fuentes Cejudo, Antonio, 1956- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Telecomunicació i Enginyeria de Sistemes) ; Macias Toro, Edwar Hernando (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Telecomunicació i Enginyeria de Sistemes) ; Rodríguez Martínez, Rosana ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
Introduir l'alumne en l'anàlisi i caracterització de senyals i sistemes, posant èmfasi en els sistemes lineals. Conèixer la transfomada de Laplace i les seves propietats. Saber aplicar la transformada de Laplace a l'anàlisi de circuits. [...]
2017-18
Grau en Enginyeria de Sistemes de Telecomunicació [956]
Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]  
6.
4 p, 77.3 KB Caracterització Elèctrica i Fiabilitat [43431] / Rodríguez Martínez, Rosana ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
This module aims to address the electrical characterization in nanoelectronic devices to assess their performance and reliability.
2016-17
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  
7.
1 p, 186.4 KB Electrònica [20343] / Bausells Roige, Joan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Abadal Berini, Gabriel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana ; Masó, Joan ; Pérez, Francesc ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1995-96
Enginyer en Informàtica [57]  
8.
2 p, 81.4 KB Electrònica aplicada [25474] / Uranga del Monte, Aránzazu (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2007-08
Llicenciat en Física [597]  
9.
2 p, 147.8 KB Electrònica II [25140] / Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Verd Martorell, Jaume (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2002-03
Llicenciat en Física [173]  
10.
2 p, 24.8 KB Electrònica aplicada [25474] / Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fernández-Díaz, Eduard ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2003-04
Llicenciat en Física [535]  

Materiales académicos : Encontrados 13 registros   1 - 10siguiente  ir al registro:
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.