Resultats globals: 19 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 14 registres trobats
Documents de recerca, 2 registres trobats
Materials acadèmics, 3 registres trobats
Articles 14 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
7 p, 4.4 MB NH₃ molecular doping of silicon nanowires grown along the [112], [110], [001], and [111] orientations / Miranda, Álvaro (Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Canadell Casanova, Enric (Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rurali, Riccardo (Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
The possibility that an adsorbed molecule could provide shallow electronic states that could be thermally excited has received less attention than substitutional impurities and could potentially have a high impact in the doping of silicon nanowires (SiNWs). [...]
2012 - 10.1186/1556-276X-7-308
Nanoscale Research Letters, Vol. 7 (June 2012) , art. 308  
2.
18 p, 3.0 MB Thermal transport in porous Si nanowires from approach-to-equilibrium molecular dynamics calculations / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Dettori, Riccardo (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Melis, Claudio (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Colombo, Luciana (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
We study thermal transport in porous Si nanowires (SiNWs) by means of approach-to-equilibrium molecular dynamics simulations. We show that the presence of pores greatly reduces the thermal conductivity, κ, of the SiNWs as long mean free path phonons are suppressed. [...]
2016 - 10.1063/1.4955038
Applied physics letters, Vol. 109, Issue 1 (Jul. 2016) , p. 131071-131074  
3.
4 p, 327.5 KB Theoretical evidence for the kick-out mechanism for B diffusion in SiC / Rurali, Riccardo (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Godignon, Philippe (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Rebollo Palacios, José Andrés (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Ordejón Rontomé, Pablo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Hernández, E. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
In this letter, we analyze by means of first-principles electronic structure calculations the diffusion of B impurities in 3C-SiC. We find, through molecular dynamics, that substitutional B at a Si lattice site is readily displaced by a nearby Si interstitial by the process known as a kick-out mechanism, in agreement with recent experimental results. [...]
2002 - 10.1063/1.1515369
Applied Physics Letters, Vol. 81, Issue 16 (October 2002) , p. 2989-2991  
4.
4 p, 272.4 KB First-principles study of n-type dopants and their clustering in SiC / Rurali, Riccardo (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Godignon, Philippe (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Rebollo Palacios, José Andrés (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Hernández, E. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Ordejón Rontomé, Pablo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
We report the results of an ab initio study of N and P dopants in SiC. We find that while N substitutes most favorably at a C lattice site, P does so preferably at a Si site, except in n-doping and Si-rich 3C-SiC. [...]
2003 - 10.1063/1.1583870
Applied Physics Letters, Vol. 82, Issue 24 (June 2003) , p. 4298-4300  
5.
4 p, 563.1 KB Ordered arrays of quantum wires through hole patterning : ab initio and empirical electronic structure calculations / Rurali, Riccardo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We propose an approach to the fabrication of one-dimensional nanostructures, based on the design of a pattern of channels onto a semiconductor surface. The feasibility of this approach is demonstrated by means of ab initio and empirical electronic structure calculations. [...]
2007 - 10.1063/1.2696774
Applied Physics Letters, Vol. 90, Issue 8 (February 2007) , p. 083118/1-083118/3  
6.
5 p, 1.3 MB Inducing bistability with local electret technology in a microcantilever based non-linear vibration energy harvester / López Suárez, Miquel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Agustí Batlle, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Torres Canals, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Abadal Berini, Gabriel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Institute of Physics
A micro-electro-mechanical system based vibration energy harvester is studied exploring the benefits of bistable non linear dynamics in terms of energy conversion. An electrostatic based approach to achieve bistability, which consists in the repulsive interaction between two electrets locally charged in both tip free ends of an atomic force microscope cantilever and a counter electrode, is experimentally demonstrated. [...]
2013 - 10.1063/1.4800926
Applied Physics Letters, Vol. 102, Issue 15 (April 2013) , p. 153901/1-153901/4  
7.
1 p, 98.6 KB Comment on "Molecular Distortions and Chemical Bonding of a Large π-Conjugated Molecule on a Metal Surface" / Rurali, Riccardo (Université Paul Sabatier. Laboratoire Collisions Agrégats, Réactivité) ; Lorente, N. (Université Paul Sabatier. Laboratoire Collisions Agrégats, Réactivité) ; Ordejón Rontomé, Pablo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
2005 - 10.1103/PhysRevLett.95.209601
Physical review letters, Vol. 95, Issue 20 (November 2005) , p. 209601-1  
8.
5 p, 1.1 MB Quantum size effects in hafnium-oxide resistive switching / Long, Shibing (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lian, Xiaojuan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cagli, Carlo (CEA-LETI (Grenoble, França)) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Perniola, Luca (CEA-LETI (Grenoble, França)) ; Liu, Ming (Chinese Academy of Sciences. Laboratory of Nanofabrication and Novel Device Integration (Beijing, Xina)) ; American Physical Society
Discrete changes of conductance of the order of G0 = 2e2/h reported during the unipolar reset transitions of Pt/HfO2/Pt structures are interpreted as the signature of atomic-size variations of the conducting filament (CF) nanostructure. [...]
2013 - 10.1063/1.4802265
Applied Physics Letters, Vol. 102, Issue 18 (May 2013) , p. 183505/1-183505/4  
9.
4 p, 303.8 KB Metallic and semimetallic silicon <100> nanowires / Rurali, Riccardo (Université Paul Sabatier. Laboratoire Collisions, Agrégats, Réactivité) ; Lorente, N. (Université Paul Sabatier. Laboratoire Collisions, Agrégats, Réactivité) ; American Physical Society
Silicon nanowires grown along the <100> direction with a bulk Si core are studied with density-functional calculations. Two surface reconstructions prevail after exploration of a large fraction of the phase space of nanowire reconstructions. [...]
2005 - 10.1103/PhysRevLett.94.026805
Physical review letters, Vol. 94, Issue 2 (January 2005) , p. 026805  
10.
4 p, 733.7 KB Electron transport via local polarons at interface atoms / Berthe, M. (Institut d’Electronique, de Microélectronique, et de Nanotechnologie (Lille, França)) ; Urbieta, A. (Institut d’Electronique, de Microélectronique, et de Nanotechnologie (Lille, França)) ; Perdigão, L. (Institut d’Electronique, de Microélectronique, et de Nanotechnologie (Lille, França)) ; Grandidier, B. (Institut d’Electronique, de Microélectronique, et de Nanotechnologie (Lille, França)) ; Deresmes, D. (Institut d’Electronique, de Microélectronique, et de Nanotechnologie (Lille, França)) ; Delerue, C. (Institut d’Electronique, de Microélectronique, et de Nanotechnologie (Lille, França)) ; Stiévenard, D. (Institut d’Electronique, de Microélectronique, et de Nanotechnologie (Lille, França)) ; Rurali, Riccardo (Université Paul Sabatier) ; Lorente, N. (Université Paul Sabatier) ; Magaud, L. (Laboratoire d’Etude des Propriétés Electroniques des Solides (Grenoble, França)) ; Ordejón Rontomé, Pablo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
Electronic transport is profoundly modified in the presence of strong electron-vibration coupling. We show that in certain situations, the electron flow takes place only when vibrations are excited. [...]
2006 - 10.1103/PhysRevLett.97.206801
Physical review letters, Vol. 97 Issue 20 (November 2006) , p. 206801  

Articles : 14 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Documents de recerca 2 registres trobats  
1.
161 p, 5.8 MB Non-linear nanoelectromechanical systems for energy harvesting / López Suárez, Miquel ; Abadal Berini, Gabriel, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rurali, Riccardo, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Les Tecnologies de la Informació i la Comunicació (TICs) es troben arreu i experimenten un creixement del 5% cada any amb aplicacions en diverses àrees que comprenen des de la telefonia mòbil al control mèdic de la salut. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
2.
141 p, 1.4 MB Theoretical studies of defects in silicon carbide / Rurali, Riccardo ; Hernández, Eduardo Rafael, dir. (Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Espanya)) ; Godignon, Philippe, dir. (Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Espanya))
Cálculos de estructura electrónica han sido utilizados para el estudio de la estructura, de la difusividad y de la actividad eléctrica de defectos puntuales en carburo de silicio. En particular, se han considerado impurezas de tipo n y de tipo p, boro, nitrógeno y fósforo, juntas con defectos intrínsecos, como las vacantes del cristal. [...]
Electronic structure calculations have been used to study the structure, the diffusivity and the electrical activity of point defects in silicon carbide. Particularly, p-type and n-type impurities have been considered, namely boron, nitrogen and phosphorus, together with intrinsic defects, specifically vacancies of the host crystal. [...]

Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2004  

Materials acadèmics 3 registres trobats  
1.
2 p, 80.4 KB Dispositius electrònics [25471] / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rurali, Riccardo ; Traversa, Fabio ; Alarcón, Alfonso (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2008-09
Llicenciat en Física [597]  
2.
3 p, 27.6 KB Dispositius electrònics i fotònics [27401] / Oriols Pladevall, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rurali, Riccardo ; Martín Martínez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
2007-08
Enginyer en Electrònica [445]  
3.
2 p, 20.4 KB Dispositius electrònics [25471] / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rurali, Riccardo ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2007-08
Llicenciat en Física [597]  

Vegeu també: autors amb noms similars
1 Rurali, Riccardo,
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.