Página principal > Resultados de la búsqueda: Rurali, Riccardo
  Consejos para la búsqueda
Búsqueda avanzada
Buscar colecciones:
Ordenar por: Mostrar resultados: Formato de visualización:
Resultados globales: 25 registros encontrados en 0.01 segundos.
Artículos, Encontrados 20 registros
Documentos de investigación, Encontrados 2 registros
Materiales académicos, Encontrados 3 registros
Artículos Encontrados 20 registros  1 - 10siguiente  ir al registro:
1.
22 p, 2.2 MB Synthesis of PbI₂ single-layered inorganic nanotubes encapsulated within carbon nanotubes / Cabana Jiménez, Laura (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Ballesteros, Belén (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Batista, Eudar (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Magen Dominguez, Cesar (Instituto de Nanociencia de Aragón) ; Arenal, Raul (Instituto de Nanociencia de Aragón) ; Orõ-Solé, Judith (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Tobias, Gerard (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
The template assisted growth of single-layered inorganic nanotubes is reported. Single-crystalline lead iodide single-layered nanotubes have been prepared using the inner cavities of carbon nanotubes as hosting templates. [...]
2014 - 10.1002/adma.201305169
Advanced materials, Vol. 26, issue 13 (April 2014) , p. 2016-2021  
Registro completo -
2.
12 p, 755.5 KB Spin transport in dangling-bond wires on doped H-passivated Si(100) / Kepenekian, Mikaël (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Robles, Roberto (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Lorente, Nicolás (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
New advances in single-atom manipulation are leading to the creation of atomic structures on H-passivated Si surfaces with functionalities important for the development of atomic and molecular based technologies. [...]
2014 - 10.1088/0957-4484/25/46/465703
Nanotechnology, Vol. 25, Issue 46 (November 2014) , art. 465703  
Registro completo -
3.
5 p, 1.9 MB Heat transport through a solid-solid junction : The interface as an autonomous thermodynamic system / Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Colombo, Luciano (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Øivind, Wilhelmsen (SINTEF Energy Research) ; Trinh, Thuat T. (Norwegian University of Science and Technology. Department of Chemistry) ; Bedeaux, Dick (Norwegian University of Science and Technology. Department of Chemistry) ; Kjelstrup, Signe (Norwegian University of Science and Technology. Department of Chemistry)
We perform computational experiments using nonequilibrium molecular dynamics simulations, showing that the interface between two solid materials can be described as an autonomous thermodynamic system. [...]
2016 - 10.1039/c6cp01872f
Physical chemistry chemical physics, Vol. 18, Issue 20 (May 2016) , p. 13741-13745  
Registro completo - Creative Commons
4.
9 p, 2.0 MB Impact of pore anisotropy on the thermal conductivity of porous Si nanowires / Ferrando Villalba, Pablo (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; D'Ortenzi, L (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica di Torino) ; Dalkiranis, G.G. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Cara, Eleonora (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica di Torino) ; Lopeandía Fernández, Aitor (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Abad, Llibertat (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; De Leo, N. (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica) ; Saghi, Zineb (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica) ; Jacob, M (University of Grenoble) ; Gambacorti, N. (University of Grenoble) ; Boarino, L. (Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica) ; Rodriguez-Viejo, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Porous materials display enhanced scattering mechanisms that greatly infuence their transport properties. Metal-assisted chemical etching (MACE) enables fabrication of porous silicon nanowires starting from a doped Si wafer by using a metal template that catalyzes the etching process. [...]
2018 - 10.1038/s41598-018-30223-0
Scientific reports, Vol. 8 (2018) , p. 12796  
Registro completo - Creative Commons
5.
17 p, 2.0 MB Thermal boundary resistance in semiconductors by non-equilibrium thermodynamics / Dettori, Riccardo (University of Cagliari. Department of Physics) ; Melis, Claudio (University of Cagliari. Department of Physics) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Colombo, Luciano (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We critically address the problem of predicting the thermal boundary resistance at the interface between two semiconductors by atomistic simulations. After reviewing the available models, lattice dynamics calculations and molecular dynamics simulation protocols, we reformulate this problem in the language of non-equilibrium thermodynamics, providing an elegant, robust and valuable theoretical framework for the direct calculation of the thermal boundary resistance through molecular dynamics simulations. [...]
2016 - 10.1080/23746149.2016.1175317
Advances in Physics: X, Vol. 1, Issue 2 (May 2016) , p. 246-261  
Registro completo - Creative Commons
6.
8 p, 743.4 KB Ptsi clustering in silicon probed by transport spectroscopy / Mongillo, Massimo (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics) ; Spathis, Panayotis (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics) ; Katsaros, Georgios (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics) ; De Franceschi, Silvano (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics) ; Gentile, Pascal (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Institute for Nanoscience and Cryogenics) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Metal silicides formed by means of thermal annealing processes are employed as contact materials in microelectronics. Control of the structure of silicide/silicon interfaces becomes a critical issue when the characteristic size of the device is reduced below a few tens of nanometers. [...]
2014 - 10.1103/PhysRevX.3.041025
Physical Review, Vol. 3, issue. 4 (Dec. 2014) , art. e041025  
Registro completo - Creative Commons
7.
7 p, 4.4 MB NH₃ molecular doping of silicon nanowires grown along the [112], [110], [001], and [111] orientations / Miranda, Álvaro (Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Canadell Casanova, Enric (Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rurali, Riccardo (Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
The possibility that an adsorbed molecule could provide shallow electronic states that could be thermally excited has received less attention than substitutional impurities and could potentially have a high impact in the doping of silicon nanowires (SiNWs). [...]
2012 - 10.1186/1556-276X-7-308
Nanoscale Research Letters, Vol. 7 (June 2012) , art. 308  
Registro completo - Creative Commons
8.
18 p, 3.0 MB Thermal transport in porous Si nanowires from approach-to-equilibrium molecular dynamics calculations / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Dettori, Riccardo (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Melis, Claudio (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Colombo, Luciana (Università degli Studi di Cagliari. Dipartimento di Fisica) ; Rurali, Riccardo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
We study thermal transport in porous Si nanowires (SiNWs) by means of approach-to-equilibrium molecular dynamics simulations. We show that the presence of pores greatly reduces the thermal conductivity, κ, of the SiNWs as long mean free path phonons are suppressed. [...]
2016 - 10.1063/1.4955038
Applied physics letters, Vol. 109, Issue 1 (Jul. 2016) , p. 131071-131074  
Registro completo -
9.
4 p, 327.5 KB Theoretical evidence for the kick-out mechanism for B diffusion in SiC / Rurali, Riccardo (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Godignon, Philippe (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Rebollo Palacios, José Andrés (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Ordejón Rontomé, Pablo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Hernández, E. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
In this letter, we analyze by means of first-principles electronic structure calculations the diffusion of B impurities in 3C-SiC. We find, through molecular dynamics, that substitutional B at a Si lattice site is readily displaced by a nearby Si interstitial by the process known as a kick-out mechanism, in agreement with recent experimental results. [...]
2002 - 10.1063/1.1515369
Applied physics letters, Vol. 81, Issue 16 (October 2002) , p. 2989-2991  
Registro completo -
10.
4 p, 272.4 KB First-principles study of n-type dopants and their clustering in SiC / Rurali, Riccardo (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Godignon, Philippe (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Rebollo Palacios, José Andrés (Centro Nacional de Microelectrónica) ; Hernández, E. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Ordejón Rontomé, Pablo (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
We report the results of an ab initio study of N and P dopants in SiC. We find that while N substitutes most favorably at a C lattice site, P does so preferably at a Si site, except in n-doping and Si-rich 3C-SiC. [...]
2003 - 10.1063/1.1583870
Applied physics letters, Vol. 82, Issue 24 (June 2003) , p. 4298-4300  
Registro completo -

Artículos : Encontrados 20 registros   1 - 10siguiente  ir al registro:
Documentos de investigación Encontrados 2 registros  
1.
161 p, 5.8 MB Non-linear nanoelectromechanical systems for energy harvesting / López Suárez, Miquel ; Abadal Berini, Gabriel, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rurali, Riccardo, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Les Tecnologies de la Informació i la Comunicació (TICs) es troben arreu i experimenten un creixement del 5% cada any amb aplicacions en diverses àrees que comprenen des de la telefonia mòbil al control mèdic de la salut. [...]
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
Registro completo -
2.
141 p, 1.4 MB Theoretical studies of defects in silicon carbide / Rurali, Riccardo ; Hernández, Eduardo Rafael, dir. (Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Espanya)) ; Godignon, Philippe, dir. (Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Espanya))
Cálculos de estructura electrónica han sido utilizados para el estudio de la estructura, de la difusividad y de la actividad eléctrica de defectos puntuales en carburo de silicio. En particular, se han considerado impurezas de tipo n y de tipo p, boro, nitrógeno y fósforo, juntas con defectos intrínsecos, como las vacantes del cristal. [...]
Electronic structure calculations have been used to study the structure, the diffusivity and the electrical activity of point defects in silicon carbide. Particularly, p-type and n-type impurities have been considered, namely boron, nitrogen and phosphorus, together with intrinsic defects, specifically vacancies of the host crystal. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2004  
Registro completo -

Materiales académicos Encontrados 3 registros  
1.
2 p, 80.4 KB Dispositius electrònics [25471] / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rurali, Riccardo ; Traversa, Fabio ; Alarcón, Alfonso (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2008-09
Llicenciat en Física [597]  
Registro completo - Creative Commons
2.
3 p, 27.6 KB Dispositius electrònics i fotònics [27401] / Oriols Pladevall, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rurali, Riccardo ; Martín Martínez, Javier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
2007-08
Enginyer en Electrònica [445]  
Registro completo - Creative Commons
3.
2 p, 20.4 KB Dispositius electrònics [25471] / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rurali, Riccardo ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2007-08
Llicenciat en Física [597]  
Registro completo - Creative Commons

Vea también: autores con nombres similares
3 Rurali, R.
1 Rurali, Riccardo,
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.
Depósito Digital de Documentos de la UAB :: Buscar :: Enviar :: Personalizar :: Ayuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantenido por ddd.bib@uab.cat  :: Metadatos sujetos a:
Colaboramos