Resultats globals: 21 registres trobats en 0.03 segons.
Articles, 16 registres trobats
Documents de recerca, 5 registres trobats
Articles 16 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
25 p, 1.2 MB Control of the polarization of ferroelectric capacitors by the concurrent action of light and adsorbates / Liu, Fanmao (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fina, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rappe, Andrew M. (University of Pennsylvania. Department of Chemistry) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Ferroelectric perovskites hold promise of enhanced photovoltaic efficiency and photocatalytic activity. Consequently, the photoresponse of oxide ferroelectric thin films is an active field of research. [...]
2018 - 10.1021/acsami.8b05751
ACS applied materials & interfaces, Vol. 10, issue 28 (July 2018) , p. 23968-23975  
2.
14 p, 542.4 KB Reversible and magnetically unassisted voltage-driven switching of magnetization in FeRh/PMN-PT / Fina, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Quintana Romero, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Martí, Xavier (Academy of Sciences of the Czech Republic. Institute of Physics) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Foerster, Michael (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Aballe, Lucía (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Reversible control of magnetization by electric fields without assistance from a subsidiary magnetic field or electric current could help reduce the power consumption in spintronic devices. When increasing temperature above room temperature, FeRh displays an uncommon antiferromagnetic to ferromagnetic phase transition linked to a unit cell volume expansion. [...]
2018 - 10.1063/1.5040184
Applied Physics Letters, Vol. 113, Issue 15 (October 2018) , art. 152901  
3.
36 p, 1.8 MB Independent Tuning of Optical Transparency Window and Electrical Properties of Epitaxial SrVO3 Thin Films by Substrate Mismatch / Mirjolet, Mathieu (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Vasili, Hari Babu (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; López Conesa, Lluís (Universitat de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica i Biomèdica) ; Estrade, Sonia (Universitat de Barcelona. Departament d'Electrònica) ; Peiro, Francesca (Universitat de Barcelona. Departament d'Electrònica) ; Santiso, José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Machado, Pamela (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Gargiani, Pierluigi (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Valvidares, Manuel (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Transparent metallic oxides are pivotal materials in information technology, photovoltaics, or even in architecture. They display the rare combination of metallicity and transparency in the visible range because of weak interband photon absorption and weak screening of free carriers to impinging light. [...]
2019 - 10.1002/adfm.201904238
Advanced functional materials, Vol. 29, Issue 37 (September 2019) , art. 1904238  
4.
10 p, 1.8 MB Monolithic integration of room-temperature multifunctional BaTiO 3 -CoFe 2 O 4 epitaxial heterostructures on Si(001) / Scigaj, Mateusz (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Dix, Nico (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Gázquez Alabart, Jaume (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Varela, María (Universidad Complutense de Madrid) ; Fina, Ignasi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Domingo Marimon, Neus (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Herranz Casabona, Gervasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
The multifunctional (ferromagnetic and ferroelectric) response at room temperature that is elusive in single phase multiferroic materials can be achieved in a proper combination of ferroelectric perovskites and ferrimagnetic spinel oxides in horizontal heterostructures. [...]
2016 - 10.1038/srep31870
Scientific reports (Nature Publishing Group), Vol. 6 (August 2016) , art. 31870  
5.
93 p, 11.3 MB Towards Oxide Electronics : a Roadmap / Coll Bau, Mariona (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Althammer, M. (Technische Universität München. Physik-Department) ; Bibes, Manuel (Unité Mixte de Physique) ; Boschker, H. (Max Planck Institute for Solid State Research) ; Calleja, Albert (OXOLUTIA S.L.) ; Cheng, G. (Pittsburgh Quantum Institute) ; Cuoco, M. (Università di Salerno) ; Dittmann, R. (Peter Grünberg Institut) ; Dkhil, B. (Université Paris-Saclay) ; El Baggari, I. (Cornell University) ; Fanciulli, M. (University of Milano Bicocca. Department of Materials Science) ; Fina, Ignasi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fortunato, E. (CEMOP/UNINOVA) ; Frontera, Carlos (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fujita, S. (Kyoto University) ; Garcia, V. (Unité Mixte de Physique) ; Goennenwein, S.T.B. (Technische Universität Dresden) ; Granqvist, C.G. (Upp sala University) ; Grollier, J. (Unité Mixte de Physique) ; Gross, R. (Nanosystems Initiative Munich (NIM)) ; Hagfeldt, Anders (Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Herranz Casabona, Gervasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Hono, K. (National Institute for Materials Science) ; Houwman, E. (University of Twente) ; Huijben, M. (University of Twente) ; Kalaboukhov, A. (MC2. Chalmers University of Technology) ; Keeble, D.J. (University of Dundee) ; Koster, G. (University of Twente) ; Kourkoutis, L.F. (Cornell University) ; Levy, J. (Pittsburgh Quantum Institute) ; Lira-Cantu, Monica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; MacManus-Driscoll, J.L. (University of Cambridge. Department of Materials Science and Metallurgy) ; Mannhart, J. (Max Planck Institute for Solid State Research) ; Martins, R. (MDM Laboratory) ; Menzel, S. (Pittsburgh Quantum Institute) ; Mikolajick, T. (Chair of Nanoelectronic Materials) ; Napari, M. (University of Cambridge. Department of Materials Science and Metallurgy) ; Nguyen, M.D. (University of Twente) ; Niklasson, G. (Upp sala University) ; Paillard, C. (University of Arkansas. Physics Department) ; Panigrahi, S. (CEMOP/UNINOVA) ; Rijnders, G. (University of Twente) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sanchis, P. (Universitat Politècnica de València) ; Sanna, S. (Technical University of Denmark. Department of Energy Storage and Conversion) ; Schlom, D.G. (Cornell University. Department of Material Science and Engineering) ; Schroeder, U. (NaMLab gGmbH) ; Shen, K.M. (Cornell University. Department of Physics) ; Siemon, A. (Institut für Werkstoffe der Elektrotechnik) ; Spreitzer, M. (Jožef Stefan Institute) ; Sukegawa, H. (Research Center for Magnetic and Spintronic Materials) ; Tamayo, R. (OXOLUTIA S.L.) ; van den Brink, J. (Institute for Theoretical Solid State Physics) ; Pryds, N. (Technical University of Denmark. Department of Energy Storage and Conversion) ; Granozio, F.M. (CNR-SPIN. Naples Unit)
At the end of a rush lasting over half a century, in which CMOS technology has been experiencing a constant and breathtaking increase of device speed and density, Moore's law is approaching the insurmountable barrier given by the ultimate atomic nature of matter. [...]
2019 - 10.1016/j.apsusc.2019.03.312
Applied surface science, Vol. 482 (July 2019) , p. 1-93  
6.
21 p, 2.1 MB Electric-field adjustable time-dependent magnetoelectric response in martensitic FeRh alloy / Fina, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Quintana Romero, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Padilla-Pantoja, Jessica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Martí Rovirosa, Xavier (Fyzikální ústav AV ČR) ; Macià Bros, Ferran (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Foerster, Michael (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Aballe, Lucía (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sort Viñas, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física)
Steady or dynamic magnetoelectric response, selectable and adjustable by only varying the amplitude of the applied electric field, is found in a multiferroic FeRh/PMN-PT device. In-operando time-dependent structural, ferroelectric, and magnetoelectric characterizations provide evidence that, as in magnetic shape memory martensitic alloys, the observed distinctive magnetoelectric responses are related to the time-dependent relative abundance of antiferromagnetic-ferromagnetic phases in FeRh, unbalanced by voltage-controlled strain. [...]
2017 - 10.1021/acsami.7b00476
ACS applied materials & interfaces, Vol. 9, issue 18 (May 2017) , p.15577−15582  
7.
2 p, 403.5 KB Òxids ferroelèctrics sobre oblees de silici per a noves memòries / Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Algunes de les memòries actualment en ús en dispositius electrònics es basen en materials aïllants ferroelèctrics, que emmagatzemen la informació de manera permanent. No obstant això contenen òxids, com els compostos de plom, que són tòxics. [...]
Algunas de las memorias actualmente usadas en dispositivos electrónico se basan en materiales aislantes ferroeléctricos que permiten almacenar la información de manera permanente. Sin embargo contienen óxidos, como compuestos de plomo, que son tóxicos. [...]
Some of the memories currently used in electronic devices are based on ferroelectric insulating materials that permit non-volatile storing of information. However, they contain toxic oxides, such as lead-compounds. [...]

2017
UAB divulga, Octubre 2017, p. 1-3
3 documents
8.
4 p, 539.9 KB Exchange biasing and electric polarization with YMnO3 / Martí Rovirosa, Xavier (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Hrabovsky, D. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fábrega Sánchez, Lourdes (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Ruyter, A. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Laukhin, V. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; García Cuenca, M. V. (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Ferrater Martorell, Cèsar (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Varela Fernández, Manuel, 1956- (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Vilà, A. (Universitat de Barcelona. Departament d'Electrònica) ; Lüders, Ulrike Anne (LNMH ONERA-CNRS (Toulouse, França)) ; Bobo, Jean-François (LNMH ONERA-CNRS (Toulouse, França)) ; American Physical Society
We report on the growth and functional characterizations of epitaxialthin films of the multiferroic YMnO3. We show that using Pt as a seed layer on SrTiO3(111) substrates, epitaxialYMnO3films (0001) textured are obtained. [...]
2006 - 10.1063/1.2234285
Applied physics letters, Vol. 89, Issue 3 (July 2006) , p. 032510/1-032510/3  
9.
4 p, 484.5 KB Strain tuned magnetoelectric coupling in orthorhombic YMnO3 thin films / Martí Rovirosa, Xavier (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fina, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Ferrater Martorell, Cèsar (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Varela Fernández, Manuel, 1956- (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Fábrega Sánchez, Lourdes (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Orthorhombic YMnO3epitaxialthin films were grown on Nb(0. 5%)-doped SrTiO3(001) substrates. Film's thickness was varied to tune the epitaxial strain. Structural and magnetic properties are well correlated, presenting a more pronounced ferromagnetic behavior as the unit cell becomes more distorted. [...]
2009 - 10.1063/1.3238287
Applied physics letters, Vol. 95, Issue 14 (October 2009) , p. 142903/1-142903/3  
10.
4 p, 865.5 KB Electric-field control of exchange bias in multiferroic epitaxial heterostructures / Laukhin, V. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Martí Rovirosa, Xavier (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Hrabovsky, D. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; García Cuenca, M. V. (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Ferrater Martorell, Cèsar (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Varela Fernández, Manuel, 1956- (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Lüders, Ulrike Anne (LNMH ONERA-CNRS (Toulouse, França)) ; Bobo, Jean-François (LNMH ONERA-CNRS (Toulouse, França)) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
The magnetic exchange between epitaxial thin films of the multiferroic (antiferromagnetic and ferroelectric) hexagonal YMnO3 oxide and a soft ferromagnetic (FM) layer is used to couple the magnetic response of the FM layer to the magnetic state of the antiferromagnetic one. [...]
2006 - 10.1103/PhysRevLett.97.227201
Physical review letters, Vol. 97, Issue 22 (November 2006) , p. 227201  

Articles : 16 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Documents de recerca 5 registres trobats  
1.
190 p, 16.5 MB Epitaxial Ferroelectric Thin Films on Si(001) : strain tuning of BaTiO3 and stabilization of polar phase in Hf0.5Zr0.5O2 / Lyu, Jike ; Sánchez Barrera, Florencio, dir. ; Rodriguez-Viejo, Javier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
Vegeu resumjily1de1. pdf.
Vegeu resumjily1de1. pdf.

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.
2 documents
2.
167 p, 7.9 MB Preparation and characterization of biferroic nanostructures with magneto-electric coupling / Dix, Nico ; Sánchez Barrera, Florencio, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fontcuberta i Griñó, Josep, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rodriguez-Viejo, Javier, tut. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física ; Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona
Els òxids complexos, particularment aquells que tenen estructura perovskita, presenten un ampli espectre de propietats funcionals. En l'ultima dècada s'ha posat molta atenció en materials que poden mostrar simultàniament diversos ordres ferroics, en particular: ferroelectricitat i ferromagnetisme. [...]
Los óxidos complejos presentan tienen un amplio espectro de propiedades funcionales. En la última década se ha prestado atención a materiales que pueden mostrar simultáneamente varios órdenes ferróicos, en particular ferroelectricidad y ferromagnetismo. [...]
Complex oxides present a broad spectrum of functional properties. In the last decade special attention was directed to materials with a possible coexistence of two or more ferroic orders (i. e. ferroelectric and ferromagnetic order). [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017  
3.
178 p, 9.7 MB Functional oxide films and interfaces: ferroelectric BaTiO₃ films on Si(001) and conducting (110) and (111) LaAlO₃/SrTiO₃ interfaces / Ścigaj, Mateusz ; Sánchez Barrera, Florencio, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Herranz Casabona, Gervasi, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rodriguez-Viejo, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física ; Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Ciència de Materials de Barcelona
La tesis aborda la integración monolítica de óxidos funcionales sobre silicio y la exploración de intercaras entre SrTiO3(110), SrTiO3(111) y otros óxidos En primer lugar la tesis detalla la integración monolítica del BaTiO3 en silicio, la plataforma actual en microelectrónica. [...]
In this thesis the focus was aimed to the monolithic integration of functional oxides on silicon and to the exploration of interfaces between different oxides and the SrTiO3(110) and SrTiO3 (111) surfaces. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016  
4.
158 p, 3.8 MB Integration of ferrimagnetic CoFe₂O₄ epitaxial films with silicon / de Coux González, Patricia ; Warot-Fonrose, Bénédicte, dir. (Centre national de la recherche scientifique (França). Centre d'élaboration de Matériaux et d'Études Structurales) ; Sánchez Barrera, Florencio, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Rodriguez-Viejo, Javier, tut. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
El continuo progreso en microelectrónica se debe al crecimiento exponencial con el tiempo del número de transistores por circuito integrado, dependencia conocida como ley de Moore. Esta ley se sigue cumpliendo, pero se va acercando a límites intrínsecos. [...]
Microelectronics is progressing continuously by the exponential growth with time of the number of transistors per integrated circuit, the popularly known as "Moore's Law". This law is still valid but it is approaching intrinsic limits. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
5.
310 p, 6.1 MB (001) and (110) La⅔Ca⅓MnO₃ epitaxial ferromagnetic electrodes : : un estudi comparatiu / : / Cañero Infante, Ingrid ; Fontcuberta i Griñó, Josep, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio, dir. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Vegeu iciresum1de1. pdf.
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2009
2 documents

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.