Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Salvador Aguilera, Emili
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 3 registres trobats en 0.01 segons.
Articles, 3 registres trobats
Articles 3 registres trobats  
1.
10 p, 8.6 MB Assessment of the variability of the I-V characteristic of HfO2-based resistive switching devices and its simulation using the quasi-static memdiode model / Salvador Aguilera, Emili (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin-Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodriguez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Variability of the conduction characteristics of filamentary-type resistive switching devices or resistive RAMs (RRAMs) is a hot research topic both in academia and industry because it is currently considered one of the major showstoppers for the successful development and application of this technology. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108667
Solid-state electronics, Vol. 206 (August 2023) , art. 108667  
Registre complet - Creative Commons
2.
6 p, 6.4 MB SPICE modeling of cycle-to-cycle variability in RRAM devices / Salvador Aguilera, Emili (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, we investigated how to include uncorrelated cycle-to-cycle (C2C) variability in the LTSpice quasi-static memdiode model for RRAM devices. Variability in the I-V curves is first addressed through an in-depth study of the experimental data using the fitdistrplus package for the R language. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108040
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , art. 108040  
Registre complet - Creative Commons
3.
6 p, 706.8 KB Power-efficient noise-induced reduction of reram cell's temporal variability effects / Ntinas, Vasileios (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rubio, Antonio 1954- (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sirakoulis, Georgios Ch (Democritus University of Thrace. Department of Electrical and Computer Engineering) ; Salvador Aguilera, Emili (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pedro, Marta (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Resistive Random Access Memory (ReRAM) is a promising novel memory technology for non-volatile storing, with low-power operation and ultra-high area density. However, ReRAM memories still face issues through commercialization, mainly owing to the fact that the high fabrication variations and the stochastic switching of the manufactured ReRAM devices cause high Bit Error Rate (BER). [...]
2021 - 10.1109/TCSII.2020.3026950
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Vol. 68, issue 4 (April 2021) , p. 1378-1382  
Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem