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Artículos Encontrados 4 registros  
1.
14 p, 731.4 KB Assessment of large critical electric field in ultra-wide bandgap p-type spinel ZnGa2O4 / Chi, Zeyu (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Tchelidze, Tamar (Ivane Javakhishvili Tbilisi State University. Department of Physics) ; Sartel, Corinne (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Gamsakhurdashvili, Tsotne (Ivane Javakhishvili Tbilisi State University. Department of Physics) ; Madaci, Ismail (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Yamano, Hayate (Danube University Krems. Department for Integrated Sensor Systems) ; Sallet, Vincent (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Dumont, Yves (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Medjdoub, Farid (Centre national de la recherche scientifique (França). Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie) ; Chikoidze, Ekaterine (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée)
The spinel zinc gallate ZnGaO stands out among the emerging ultra-wide bandgap (∼5 eV) semiconductors as the ternary complex oxide with the widest gap where bipolar conductivity has been demonstrated. [...]
2023 - 10.1088/1361-6463/acbb14
Journal of Physics D: Applied Physics, Vol. 56, núm. 10 (March 2023) , art. 105102  
Registro completo - Creative Commons
2.
13 p, 1.5 MB Enhancing the intrinsic p-type conductivity of the ultra-wide bandgap Ga₂O₃ semiconductor / Chikoidze, Ekaterine (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Sartel, Corinne (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Mohamed, Hagar (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Madaci, Ismail (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Tchelidze, Tamar (Ivane Javakhishvili Tbilisi State University. Department of Physics) ; Modreanu, Myrcea (University College Cork. Tyndall National Institute) ; Vales Castro, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Rubio, Carles (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Arnold, Christophe (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Sallet, Vincent (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Dumont, Yves. (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
While there are several n-type transparent semiconductor oxides (TSO) for optoelectronic applications (e. g. LEDs, solar cells or display TFTs), their required p-type counterpart oxides are known to be more challenging. [...]
2019 - 10.1039/c9tc02910a
Journal of Materials Chemistry C, Vol. 7, issue 33 (Sep. 2019) , p. 10231-10239  
Registro completo -
3.
43 p, 1.9 MB P-type ultrawide-band-gap spinel ZnGa2O4 : new perspectives for energy electronics / Chikoidze, Ekaterine (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Sartel, Corinne. (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Madaci, Ismail (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Mohamed, Hagar (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Vilar, Christele (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Ballesteros, Belén (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Belarre Triviño, Francisco Javier (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Vales Castro, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Li, Lijie (Swansea University. College of Engineering) ; Jennings, Mike (Swansea University. College of Engineering) ; Sallet, Vincent (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Dumont, Yves (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The family of spinel compounds is a large and important class of multifunctional materials of general formulation ABX with many advanced applications in energy and optoelectronic areas such as fuel cells, batteries, catalysis, photonics, spintronics, and thermoelectricity. [...]
2020 - 10.1021/acs.cgd.9b01669
Crystal Growth and Design, Vol. 20 Núm. 4 (April 2020) , p. 2535-2546  
Registro completo -
4.
19 p, 775.1 KB Ultra-high critical electric field of 13.2 MV/cm for Zn-doped p-type β-Ga₂O₃ / Chikoidze, Ekaterine (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Tchelidze, Tamar (Ivane Javakhishvili Tbilisi State University. Department of Physics) ; Sartel, Corinne (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Chi, Zeyu (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Kabouche, R. (Centre national de la recherche scientifique (França). Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie) ; Madaci, Ismail (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Rubio, Carles (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mohamed, Hagar (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Sallet, Vincent (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Medjdoub, Farid (Centre national de la recherche scientifique (França). Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Dumont, Yves. (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée)
Which the actual critical electrical field of the ultra-wide bandgap semiconductor β-Ga₂O₃ is? Even that it is usual to find in the literature a given value for the critical field of wide and ultra-wide semiconductors such as SiC (3 MV/cm), GaN (3. [...]
2020 - 10.1016/j.mtphys.2020.100263
Materials today physics, Vol. 15 (Dec. 2020) , art. 100263  
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3 Sartel, Corinne
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