Resultados globales: 2 registros encontrados en 0.02 segundos.
Artículos, Encontrados 2 registros
Artículos Encontrados 2 registros  
1.
26 p, 1.0 MB Nanotexturing to Enhance Photoluminescent Response of Atomically Thin Indium Selenide with Highly Tunable Band Gap / Brotons Gisbert, Mauro (Universitat de València) ; Andrés Penares, Daniel (Universitat de València) ; Suh, Joonki (University of California. Department of Materials Science and Engineering) ; Hidalgo, Francisco (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Abargues, Rafael (Intenanomat S.L.) ; Rodríguez Cantó, Pedro J. (Intenanomat S.L.) ; Segura, Alfredo (Universitat de València) ; Cros, Ana (Universitat de València) ; Tobias, Gerard (Institut de Ciencia de Materials de Barcelona) ; Canadell Casanova, Enric (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Ordejón Rontomé, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Wu, Junqiao (University of California. Department of Materials Science and Engineering) ; Martínez Pastor, Juan P. (Universitat de València) ; Sánchez Royo, Juan F. (Universitat de València)
Manipulating properties of matter at the nanoscale is the essence of nanotechnology, which has enabled the realization of quantum dots, nanotubes, metamaterials, and two-dimensional materials with tailored electronic and optical properties. [...]
2016 - 10.1021/acs.nanolett.6b00689
Nano letters, Vol. 16, Issue 5 (April 2016) , p. 3221-3229  
2.
36 p, 2.4 MB Optical and electronic properties of 2H−MoS₂ under pressure : revealing the spin-polarized nature of bulk electronic bands / Brotons Gisbert, Mauro (Universitat de València. Departament de Física Aplicada) ; Segura, Alfredo (Universitat de València. Departament de Física Aplicada) ; Robles, Roberto (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Canadell Enric (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Ordejón Rontomé, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sánchez Royo, Juan F. (Universitat de València. Departament de Física Aplicada)
Monolayers of transition-metal dichalcogenide semiconductors present spin-valley locked electronic bands, a property with applications in valleytronics and spintronics that is usually believed to be absent in their centrosymmetric (as the bilayer or bulk) counterparts. [...]
2018 - 10.1103/PhysRevMaterials.2.054602
Physical review materials, Vol. 2, issue 5 (May 2018) , art. 54602  

Vea también: autores con nombres similares
1 Segura, Alfons
1 Segura, Andreu
1 Segura, Armando
1 Segura, Ángel
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.