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21 p, 746.1 KB Nanoscale conductive pattern of the homoepitaxial AlGaN/GaN transistor / Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Catalan, Gustau (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fontserè Recuenco, Abel (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria) ; Chen, H. (University of Warwick. School of Engineering) ; Gammon, Peter (University of Warwick. School of Engineering) ; Jennings, M. R. (University of Warwick. School of Engineering) ; Thomas, M. (University of Warwick. School of Engineering) ; Fisher, C. A. (University of Warwick. School of Engineering) ; Sharma, Y. K. (University of Warwick. School of Engineering) ; Placidi, Marcel (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Chmielowska, M. (Centre National de la Recherche Scientifique (França). Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications) ; Chenot, S. (Centre National de la Recherche Scientifique (França). Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria) ; Cordier, Y. (Centre National de la Recherche Scientifique (França). Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications)
The gallium nitride (GaN)-based buffer/barrier mode of growth and morphology, the transistor electrical response (25-310°C) and the nanoscale pattern of a homoepitaxial AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) have been investigated at the micro and nanoscale. [...]
2015 - 10.1088/0957-4484/26/11/115203
Nanotechnology, Vol. 26, Issue 11 (March 2015) , art. 115203  
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1 Sharma, Y.
3 Sharma, Y. K.
2 Sharma, Yogesh
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