Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Sledzinska, Marianna
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 29 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 26 registres trobats
Documents de recerca, 3 registres trobats
Articles 26 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
24 p, 2.7 MB Excitation and detection of acoustic phonons in nanoscale systems / Ng, Ryan C. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sachat, Alexandros el (National Center for Scientific Research Demokritos) ; Cespedes, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Poblet, Martin (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Madiot, Guilhem (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jaramillo Fernández, Juliana (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Florez, Omar (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Xiao, Peng (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chávez Ángel, Emigdio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Phonons play a key role in the physical properties of materials, and have long been a topic of study in physics. While the effects of phonons had historically been considered to be a hindrance, modern research has shown that phonons can be exploited due to their ability to couple to other excitations and consequently affect the thermal, dielectric, and electronic properties of solid state systems, greatly motivating the engineering of phononic structures. [...]
2022 - 10.1039/d2nr04100f
Nanoscale, Vol. 14, issue 37 (Oct. 2022) , p. 13428-13451  
Registre complet - Creative Commons
2.
7 p, 2.5 MB Exciton tuning and strain imaging in WS2supported on PDMS micropillars / Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Xiao, Peng (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Puig Vilardell, E. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Chávez Ángel, Emigdio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Esplandiu Egido, Maria José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Since the raise of 2D materials, significant research has been dedicated to their strain-dependent electronic and mechanical properties. In this work, we studied exciton energies and low-frequency phonon modes in CVD-grown mono- and few-layer WS2 transferred on PDMS micropillars. [...]
2022 - 10.1063/5.0130927
Applied Physics Letters, Vol. 121, Issue 25 (December 2022) , art. 253101  
Registre complet - Creative Commons
3.
8 p, 3.6 MB Anisotropic thermal conductivity of crystalline layered SnSe2 / Xiao, Peng (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Chávez Ángel, Emigdio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chaitoglou, Stefanos (National Center for Scientific Research Demokritos) ; Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Dimoulas, Athanasios (National Center for Scientific Research Demokritos) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sachat, Alexandros el (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The degree of thermal anisotropy affects critically key device-relevant properties of layered two-dimensional materials. Here, we systematically study the in-plane and cross-plane thermal conductivity of crystalline SnSe2 films of varying thickness (16-190 nm) and uncover a thickness-independent thermal conductivity anisotropy ratio of about ∼8. [...]
2021 - 10.1021/acs.nanolett.1c03018
Nano letters, Vol. 21, issue 21 (Nov. 2021) , p. 9172-9179  
Registre complet - Creative Commons
4.
12 p, 2.2 MB Fabrication and characterization of large-area suspended MoSe2 crystals down to the monolayer / Varghese, Sebin (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Saleta Reig, David (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mehew, Jake D. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Block, Alexander (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sachat, Alexandros el (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chávez Ángel, Emigdio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Ballesteros, Belén (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Tielrooij, Klaas-Jan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Many layered materials, such as graphene and transition metal dichalcogenides, can be exfoliated down to atomic or molecular monolayers. These materials exhibit exciting material properties that can be exploited for several promising device concepts. [...]
2021 - 10.1088/2515-7639/ac2060
JPhys materials, Vol. 4, issue 4 (Oct. 2021) , art. 46001  
Registre complet - Creative Commons
5.
9 p, 2.0 MB Unraveling heat transport and dissipation in suspended MoSe2 from bulk to monolayer / Saleta Reig, David (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Varghese, Sebin (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Farris, Roberta (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Block, Alexander (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mehew, Jake D. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Hellman, Olle (Weizmann Institute of Science (Israel). Department of Molecular Chemistry and Materials Science) ; Woźniak, Pawel (Institut de Ciències Fotòniques) ; Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sachat, Alexandros el (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chávez Ángel, Emigdio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; van Hulst, Niek F. (Institut de Ciències Fotòniques) ; Ordejon, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Zanolli, Zeila (Debye Institute for Nanomaterials Science) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Verstraete, Matthieu J. (European Theoretical Spectroscopy Facility) ; Tielrooij, Klaas-Jan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Understanding heat flow in layered transition metal dichalcogenide (TMD) crystals is crucial for applications exploiting these materials. Despite significant efforts, several basic thermal transport properties of TMDs are currently not well understood, in particular how transport is affected by material thickness and the material's environment. [...]
2022 - 10.1002/adma.202108352
Advanced materials, Vol. 34, issue 10 (March 2022) , art. 2108352  
Registre complet - Creative Commons
6.
9 p, 2.0 MB Effect of crystallinity and thickness on thermal transport in layered PtSe2 / Sachat, Alexandros el (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Xiao, Peng (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Donadio, Davide (University of California. Department of Chemistry) ; Bonell, Frédéric (Université Grenoble Alpes. Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) ; Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Marty, Alain (Université Grenoble Alpes. Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) ; Vergnaud, Céline (Université Grenoble Alpes. Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) ; Boukari, Hervé (Université Grenoble Alpes. Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) ; Jamet, Matthieu (Université Grenoble Alpes. Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) ; Arregui Bravo, Guillermo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chen, Zekun (University of California. Department of Chemistry) ; Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chávez Ángel, Emigdio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We present a comparative investigation of the influence of crystallinity and film thickness on the acoustic and thermal properties of layered PtSe films of varying thickness (1-40 layers) using frequency-domain thermo-reflectance, low-frequency Raman, and pump-probe coherent phonon spectroscopy. [...]
2022 - 10.1038/s41699-022-00311-x
npj 2D Materials and Applications, Vol. 6 (2022) , art. 32  
Registre complet - Creative Commons
7.
21 p, 1.9 MB Thermal transport in nanoporous holey silicon membranes investigated with optically induced transient thermal gratings / Duncan, Ryan A. (Massachusetts Institute of Technology. Department of Chemistry) ; Romano, Giuseppe (Massachusetts Institute of Technology. Department of Mechanical Engineering) ; Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Maznev, Alexei A. (Massachusetts Institute of Technology. Department of Chemistry) ; Péraud, Jean-Philippe M. (Lawrence Berkeley National Laboratory. Computational Research Division) ; Hellman, Olle (California Institute of Technology. Department of Applied Physics and Materials Science) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Nelson, Keith A. (Massachusetts Institute of Technology. Department of Chemistry)
In this study, we use transient thermal gratings-a non-contact, laser-based thermal metrology technique with intrinsically high accuracy-to investigate room-temperature phonon-mediated thermal transport in two nanoporous holey silicon membranes with limiting dimensions of 120 nm and 250 nm, respectively. [...]
2020 - 10.1063/1.5141804
Journal of applied physics, Vol. 128, issue 23 (Dec. 2020) , art. 235106  
Registre complet -
8.
30 p, 705.6 KB Nanoscale mapping of thermal and mechanical properties of bare and metal-covered self-assembled block copolymer thin films / Sachat, Alexandros el (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Spièce, Jean (Lancaster University. Physics Department) ; Evangeli, Charalambos (Lancaster University. Physics Department) ; Robson, Alexander James (Lancaster University. Physics Department) ; Kreuzer, Martin (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Rodríguez Laguna, María del Rocío (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chávez Ángel, Emigdio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Kolosov, Oleg Victor (Lancaster University. Physics Department) ; Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We report on the structural, mechanical, and thermal analysis of 40 nm thick polystyrene-block-poly(ethylene oxide) (PS-b-PEO) block copolymer (BCP) films coated with evaporated chromium layers of different thicknesses (1, 2, and 5 nm). [...]
2020 - 10.1021/acsapm.9b00924
ACS Applied Polymer Materials, Vol. 2, issue 2 (Feb. 2020) , p. 487-496  
Registre complet -
9.
14 p, 961.9 KB Fracturing of Polycrystalline MoS2Nanofilms / Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Jumbert Amblàs, Gil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Placidi, Marcel (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Xiao, Peng (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The possibility of tailoring the critical strain of two-dimensional (2D) materials will be crucial for the fabrication of flexible and stretchable devices. While crystalline MoS2 monolayer shows tensile strength comparable to that of steel, a large concentration of defects and grain boundaries in polycrystalline MoS2 significantly degrades its mechanical properties. [...]
2020 - 10.1021/acsaelm.0c00189
ACS applied electronic materials, Vol. 2, Num. 4 (April 2020) , p. 1169-1175  
Registre complet -
10.
6 p, 646.5 KB Electron beam lithography for direct patterning of MoS2on PDMS substrates / Jumbert Amblàs, Gil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Placidi, Marcel (Institut de Recerca en Energia de Catalunya) ; Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Precise patterning of 2D materials into micro- and nanostructures presents a considerable challenge and many efforts are dedicated to the development of processes alternative to the standard lithography. [...]
2021 - 10.1039/d1ra00885d
RSC advances, Vol. 11, Issue 32 (2021) , p. 19908-19913  
Registre complet - Creative Commons

Articles : 26 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Documents de recerca 3 registres trobats  
1.
12 p, 1.0 MB Heat dissipation in few-layer MoS2 and MoS2/hBN heterostructure / Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Navarro Urrios, Daniel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Watanabe, Kenji (National Institute for Material Science. Advanced Materials Laboratory (Tsukuba, Japó)) ; Taniguchi, Takashi (National Institute for Material Science. Advanced Materials Laboratory (Tsukuba, Japó)) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
State-of-the-art fabrication and characterization techniques have been employed to measure the thermal conductivity of suspended, single-crystalline MoS2 and MoS2/hBN heterostructures. Two-laser Raman scattering thermometry was used combined with real time measurements of the absorbed laser power, which allowed us to determine the thermal conductivities without any assumptions. [...]
2021 - 10.48550/arXiv.2107.06717  
Registre complet - Creative Commons
2.
31.8 MB Layered materials for thermal management and sensing applications / Xiao, Peng ; Sledzinska, Marianna, dir. ; Sotomayor Torres, Clivia M., dir.
Els materials en capes 2D van der Waals s'han explorat àmpliament recentment per a aplicacions d'electrònica, optoelectrònica i detecció. Especialment perquè els transistors d'efecte de camp basats en materials en capes podrien ser una possibilitat per substituir els transistors basats en silici als xips. [...]
Los materiales en capas 2D de van der Waals han sido ampliamente explorados recientemente para aplicaciones electrónicas, optoelectrónicas y de detección. Especialmente porque los transistores de efecto de campo basados en materiales en capas podrían ser una posibilidad para reemplazar los transistores basados en silicio en los chips. [...]
2D van der Waals layered materials have been recently widely explored for electronics, opto-electronics, and sensing applications. Especially as layered materials-based field-effect transistors could be a possibility for replacing silicon-based transistor in chips. [...]
2022  
Registre complet -
3.
130 p, 3.2 MB Carbon nanotube nanoelectromechanical systems / Sledzinska, Marianna ; Bachtold, Adrian, dir. (Centre d'Investigació en Nanociència i Nanotecnologia) ; Rodríguez-Viejo, Javier, tut. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
Desde su descubrimiento los nanotubos de carbono han llamado la atención por sus propiedades únicas. Se esperaba que los nanotubos revolucionaran nuestra tecnología y en parte lo han logrado siendo un material importante para diversas aplicaciones en electrónica y optoelectrónica. [...]
Since the discovery of carbon nanotubes high hopes were placed on their possible applications. They were expected to revolutionize our technology and indeed, CNTs have proven to be a good material for applications in electronics, such as channels in field effect transistor and optoelectronic devices. [...]
Barcelona : Universitat Autònoma de Barcelona, 2012  
Registre complet -

Vegeu també: autors amb noms similars
1 Sledzinska, Marianna,
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem