Resultats globals: 6 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 5 registres trobats
Documents de recerca, 1 registres trobats
Articles 5 registres trobats  
1.
8 p, 3.0 MB Unveiling the multiradical character of the biphenylene network and its anisotropic charge transport / Alcón, Isaac (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Calogero, Gaetano (CNR Institute for Microelectronics and Microsystems) ; Papior, Nick (Technical University of Denmark) ; Antidormi, Aleandro (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Song, Kenan (King Abdullah University of Science and Technology) ; Cummings, Aron (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Brandbyge, Mads (Center for Nanostructured Graphene) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Recent progress in the on-surface synthesis and characterization of nanomaterials is facilitating the realization of new carbon allotropes, such as nanoporous graphenes, graphynes, and 2D π-conjugated polymers. [...]
2022 - 10.1021/jacs.2c02178
Journal of the American Chemical Society, Vol. 144, Issue 18 (April 2022) , p. 8278-8285  
2.
12 p, 1.6 MB Spin Proximity Effects in Graphene/Topological Insulator Heterostructures / Song, Kenan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Soriano, David (QuantaLab and International Iberian Nanotechnology Laboratory) ; Cummings, Aron (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Robles, Roberto (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Ordejon, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Enhancing the spin-orbit interaction in graphene, via proximity effects with topological insulators, could create a novel 2D system that combines nontrivial spin textures with high electron mobility. [...]
2018 - 10.1021/acs.nanolett.7b05482
Nano letters, Vol. 18, Issue 3 (March 2018) , p. 2033-2039  
3.
9 p, 1.0 MB Tailoring emergent spin phenomena in Dirac material heterostructures / Khokhriakov, Dmitrii (Chalmers University of Technology) ; Cummings, Aron (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Song, Kenan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Vila Tusell, Marc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Karpiak, Bogdan (Chalmers University of Technology) ; Dankert, André (Chalmers University of Technology) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Dash, Saroj P. (Chalmers University of Technology)
Dirac materials such as graphene and topological insulators (TIs) are known to have unique electronic and spintronic properties. We combine graphene with TIs in van der Waals heterostructures to demonstrate the emergence of a strong proximity-induced spin-orbit coupling in graphene. [...]
2018 - 10.1126/sciadv.aat9349
Science advances, Vol. 4, Núm. 9 (September 2018) , art. aat9349  
4.
12 p, 6.0 MB How disorder affects topological surface states in the limit of ultrathin Bi2Se3 films / Song, Kenan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Robles, Roberto (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Soriano, David (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Ordejon, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We present a first-principles study of electronic properties of ultrathin films of topological insulators (TIs) and scrutinize the role of disorder on the robustness of topological surface states, which can be analysed through their spin textures. [...]
2016 - 10.1088/2053-1583/3/4/045007
2D Materials, Vol. 3, Núm. 4 (December 2016) , art. 045007  
5.
26 p, 1.8 MB Growth of Twin-Free and Low-Doped Topological Insulators on BaF2(111) / Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; González Cuxart, Marc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Song, Kenan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Robles, Roberto (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Ordejon, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mugarza, Aitor (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Universitat Autònoma de Barcelona
We demonstrate the growth of twin-free BiTe and SbTe topological insulators by molecular beam epitaxy and a sizable reduction of the twin density in BiSe on lattice-matched BaF(111) substrates. Using X-ray diffraction, electron diffraction and atomic force microscopy, we systematically investigate the parameters influencing the formation of twin domains and the morphology of the films, and show that Se- and Te-based alloys differ by their growth mechanism. [...]
2017 - 10.1021/acs.cgd.7b00525
Crystal Growth and Design, Vol. 17, Núm. 9 (September 2017) , p. 4655-4660  

Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
189 p, 5.9 MB Theoretical study of disorder and proximity effects in three-dimensional models of topological insulators / Song, Kenan ; Chulkov, Evgueni, dir. ; Casanova i Fernàndez, Fèlix, dir. ; Cartoixà Soler, Xavier, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
Aquest doctorat. El projecte cobreix les investigacions sobre aïllants topològics (TI) de la família Bi2Se3 amb diferents defectes i l'estudi d'efectes de proximitat de TI a la heteroestructura de grafè amb TI. [...]
Este doctorado. El proyecto cubre las investigaciones sobre aislantes topológicos (TI) de la familia Bi2Se3 con diferentes defectos y el estudio de efectos de proximidad de TI en la heteroestructura de grafeno con TI. [...]
This PhD. project covers the researches on the Bi2Se3-family topological insulators (TIs) with different defects and the study of the proximity effects of TI in the heterostructure of graphene with TI. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.  

Vegeu també: autors amb noms similars
1 Song, KW
1 Song, Kijoung
1 Song, Kyoung-Ho
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.