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Artículos Encontrados 2 registros  
1.
8 p, 971.0 KB Does carrier velocity saturation help to enhance f in graphene field-effect transistors? / Feijoo, Pedro Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Pasadas, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Bonmann, Marlene (Chalmers University of Technology) ; Asad, Muhammad (Chalmers University of Technology) ; Yang, Xinxin (Chalmers University of Technology) ; Generalov, Andrey (Aalto University) ; Vorobiev, Andrei (Chalmers University of Technology) ; Banszerus, Luca (RWTH Aachen University) ; Stampfer, Christoph (RWTH Aachen University) ; Otto, Martin (Advanced Microelectronic Center Aachen) ; Neumaier, Daniel (Advanced Microelectronic Center Aachen) ; Stake, Jan (Chalmers University of Technology) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona)
It has been argued that current saturation in graphene field-effect transistors (GFETs) is needed to get optimal maximum oscillation frequency (f ). This paper investigates whether velocity saturation can help to get better current saturation and if that correlates with enhanced f . [...]
2020 - 10.1039/c9na00733d
Nanoscale advances, Vol. 2, Issue 9 (July 2020) , p. 4179-4186  
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2.
11 p, 4.3 MB Hot-carrier cooling in high-quality graphene is intrinsically limited by optical phonons / Pogna, Eva A. A. (Politecnico di Milano. Dipartimento di Fisica) ; Jia, Xiaoyu (Max-Planck-Institut für Polymerforschung) ; Principi, Alessandro (University of Manchester. School of Physics and Astronomy) ; Block, Alexander (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Banszerus, Luca (RWTH Aachen University) ; Zhang, Jincan (Beijing Graphene Institute) ; Liu, Xiaoting (Beijing Graphene Institute) ; Sohier, Thibault (Université de Liège. CESAM) ; Forti, Stiven (Center for Nanotechnology Innovation (Pisa, Itàlia)) ; Soundarapandian, Karuppasamy (Institut de Ciències Fotòniques) ; Terrés, Bernat (Institut de Ciències Fotòniques) ; Mehew, Jake D. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Trovatello, Chiara (Politecnico di Milano. Dipartimento di Fisica) ; Coletti, Camilla (Center for Nanotechnology Innovation (Pisa, Itàlia)) ; Koppens, Frank (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; Bonn, Mischa (Max-Planck-Institut für Polymerforschung) ; Wang, Hai I. (Max-Planck-Institut für Polymerforschung) ; van Hulst, Niek F.. (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats) ; Verstraete, Matthieu J. (Université de Liège. CESAM) ; Peng, Hailin (Beijing Graphene Institute) ; Liu, Zhongfan (Beijing Graphene Institute) ; Stampfer, Christoph (RWTH Aachen University) ; Cerullo, Giulio (Politecnico di Milano. Dipartimento di Fisica) ; Tielrooij, Klaas-Jan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Many promising optoelectronic devices, such as broadband photodetectors, nonlinear frequency converters, and building blocks for data communication systems, exploit photoexcited charge carriers in graphene. [...]
2021 - 10.1021/acsnano.0c10864
ACS nano, Vol. 15, issue 7 (July 2021) , p. 11285-11295  
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2 Stampfer, C.
2 Stampfer, Cristoph
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