Resultats globals: 46 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 22 registres trobats
Documents de recerca, 7 registres trobats
Materials acadèmics, 17 registres trobats
Articles 22 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
5 p, 1.3 MB Modeling of hysteretic Schottky diode-like conduction in Pt/BiFeO3/SrRuO3 switches / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Tsurumaki-Fukuchi, A. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)) ; Blasco, J. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Yamada, H. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sawa, A. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST))
The hysteresis current-voltage (I-V) loops in Pt/BiFeO3/SrRuO3 structures are simulated using a Schottky diode-like conduction model with sigmoidally varying parameters, including series resistance correction and barrier lowering. [...]
2014 - 10.1063/1.4894116
Applied physics letters, Vol. 105 (August 2014) , p. 82904-01/82904-04  
2.
4 p, 238.9 KB Temperature-dependent transition to progressive breakdown in thin silicon dioxide based gate dielectrics / Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
The transition between well-defined soft and hard breakdown modes to progressive breakdown in ultrathin silicon dioxide based dielectrics is studied by means of the statistics of residual time (the time from first breakdown to device failure). [...]
2005 - 10.1063/1.1925316
Applied Physics Letters, Vol. 86, Issue 19 (May 2005) , p. 193502/1-193502/3  
3.
4 p, 503.9 KB Nondestructive multlple breakdown events in very thin SI02 films / Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Farrés i Berenguer, Esteve (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Placencia Millan, Iolanda (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; American Physical Society
Several breakdown events and multilevel current fluctuations have been observed when ultrathin SiO2 films are subjected to constant‐voltage stresses. These breakdown events are sometimes reversible, and consist in a local change of conduction mechanism. [...]
1989 - 10.1063/1.102396
Applied Physics Letters, Vol. 55, Issue 2 (July 1989) , p. 128-130  
4.
4 p, 307.5 KB Hydrogen desorption in SiGe films : a diffusion limited process / Vizoso San Segundo, Jesús (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
A model to explain the hydrogen desorption kinetics in SiGe alloys is presented. This is an extension of a previous desorption model of hydrogen from Si, that considers the presence of three dimer types in the surface in which hydrogen atoms tend to pair before the desorptionreaction. [...]
1997 - 10.1063/1.118429
Applied Physics Letters, Vol. 70, Issue 24 (June 1997) , p. 3287-3289  
5.
4 p, 309.7 KB Soft breakdown fluctuation events in ultrathin SiO2 layers / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
When an ultrathin (<5 nm) oxide is subjected to electrical stress, several soft-breakdown events can occur prior to the final dielectric breakdown. After the occurrence of such failure events, the current–voltage (I–V)characteristic corresponds to the superposition of highly conductive spots and background conduction through the undegraded capacitor area. [...]
1998 - 10.1063/1.121910
Applied Physics Letters, Vol. 73, Issue 4 (July 1998) , p. 490-492  
6.
4 p, 330.0 KB Quantum Monte Carlo simulation of resonant tunneling diodes based on the Wigner distribution function formalism / García García, Juan José (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
A tool for the simulation of resonant tunneling diodes (RTDs) has been developed. This is based on the solution of the quantum Liouville equation in the active region of the device and the Boltzman transport equation in the regions adjacent to the contacts by means of a Monte Carlo algorithm. [...]
1998 - 10.1063/1.122800
Applied Physics Letters, Vol. 73, Num. 24 (December 1998) , p. 3539-3541  
7.
4 p, 339.1 KB Bohm trajectories for the Monte Carlo simulation of quantum-based devices / Oriols Pladevall, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d’Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
A generalization of the classical ensemble Monte Carlo(MC) device simulation technique is proposed to simultaneously deal with quantum-mechanical phase-coherence effects and scattering interactions in quantum-based devices. [...]
1998 - 10.1063/1.120899
Applied Physics Letters, Vol. 72, Issue 7 (February 1998) , p. 806-808  
8.
4 p, 288.8 KB Modeling the breakdown spots in silicon dioxide films as point contacts / Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
Experiments and simulations are combined to demonstrate that the hard dielectric breakdown of thin SiO2 films in polycrystaline silicon/oxide/semiconductor structures leads to the formation of conduction paths with atomic-size dimensions which behave as point contacts between the silicon electrodes. [...]
1999 - 10.1063/1.124566
Applied Physics Letters, Vol. 75, Issue 7 (June 1999) , p. 959-961  
9.
4 p, 300.2 KB Post-radiation-induced soft breakdown conduction properties as a function of temperature / Cester, Andrea (Universitá di Padova. Dipartimento di Elettronica e Informatica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
When a thin oxide is subjected to heavy ion irradiation, a large leakage current similar to the soft breakdown can be produced. In this work, we have studied the radiation soft breakdown (RSB) after 257 MeV Ag and I irradiation by using a quantum point contact (QPC) model, which also applies to hard and soft breakdown produced by electrical stresses. [...]
2001 - 10.1063/1.1398329
Applied Physics Letters, Vol. 79, Issue 9 (July 2001) , p. 1336-1338  
10.
4 p, 298.4 KB Mesoscopic approach to the soft breakdown failure mode in ultrathin SiO2 films / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
We present an analytic model for the soft breakdown failure mode in ultrathin SiO2 films based on the conduction theory through quantum point contacts. The breakdown path across the oxide is represented by a three-dimensional constriction in which, due to the lateral confinement of the electron wave functions, discrete transverse energy levels arise. [...]
2001 - 10.1063/1.1339259
Applied Physics Letters, Vol. 78, Issue 2 (November 2001) , p. 225-227  

Articles : 22 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Documents de recerca 7 registres trobats  
1.
151 p, 4.8 MB Resistive memory devices based on complex oxides / Ortega Hernández, Rafael ; Suñé, Jordi, 1963-, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Puig i Molina, Mª Teresa, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Los dispositivos de Memoria Resistiva de Acceso Aleatorio (RRAM) han sido propuestos como posibles candidatos para substituir a las tecnologías actualmente empleadas como dispositivos de memoria no volátil. [...]
Resistive Random Access Memory (RRAM) devices have been proposed as candidates to replace the actual technologies employed as non-volatile memory devices. The origin of this proposal relies on the observation of the extraordinary properties required for the scaling down of this kind of devices. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015  
2.
212 p, 4.3 MB Filamentos conductores de ruptura dieléctrica en aislantes delgados / Saura Mas, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La industria micro y nanoelectrónica requiere de múltiples líneas de investigación para la introducción de continuas mejoras en los dispositivos en términos de rendimiento, funcionalidad y escalabilidad. [...]
Micro and nanoelectronics industry requires multiple lines of research for introducing continuous improvements in electronic devices in terms of performance, functionality and scalability. One of these improvements focuses on the idea of using the dielectric breakdown phenomenon as a principle of operation of these devices. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015  
3.
106 p, 6.1 MB Resistive Switching Statistics in MIM structures for Non-volatile memory applications / Lian, Xiaojuan ; Suñé, Jordi, 1963-, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Las propiedades de conmutación de óxidos de metales de transición y vidrios calcogenuros en estructuras metal-aislante -metal se estudiaron en los años sesenta y setenta. Hoy en día, estas propiedades y materiales se están estudiando con renovado interés debido a que son muy prometedores tanto para dispositivos lógicos como para aplicaciones de memoria. [...]
Switching properties of transition metal oxides and chalcogenide glasses in Metal-Insulator-Metal were studied in the sixties and seventies. Nowadays, these properties and materials are being studied with renewed interest because they are very promising both for logic and memory applications. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
4.
121 p, 3.0 MB Study and modeling of multi‐gate transistors in the context of CMOS technology scaling / Chaves Romero, Ferney Alveiro ; Jiménez Jiménez, David, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
L'escalat dels transistors MOSFET convencionals ha portat a aquests dispositius a la nanoescala per incrementar tant les seves prestacions com el nombre de components per xip. En aquest process d'escalat, els coneguts "Short Channel Effects" representen una forta limitació. [...]
The scaling of the conventional MOSFETs has led these devices to the nanoscale to increase both the performance and the number of components per chip. In this process, the so-called “Short Channel Effects” have arisen as a limiting factor. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2012  
5.
14 p, 542.4 KB Estadística de ruptura de dielèctrics nanolaminats / Conde Giménez, Adrià ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
2011
2 documents
6.
7 p, 241.7 KB Diseño y desarrollo de un equipo de caracterización de ISFET para la medida de analitos iónicos / Miró Vicente, Antonio ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
En este proyecto se desarrolla una unidad de medida para investigar la cuantificación de la concentración de analitos iónicos en análisis clínico mediante sensores ISFET. Para su desarrollo se precisa de un elemento que simule el comportamiento de un ISFET por lo que también se desarrolla un simulador de ISFET. [...]
En aquest projecte es desenvolupa una unitat de mesura per investigar la quantificació de la concentració d'analits iònics en anàlisi clínica mitjançant sensors ISFET. Per al seu desenvolupament es necessita un element que simuli el comportament d'un ISFET de manera que també es desenvolupa un simulador d'ISFET. [...]
This project develops a measurement unit intended for the research of the quantification of the concentration of ionic analytes in clinical analysis using ISFET sensors. Its development requires a component simulating the behaviour of an ISFET and therefore the development of a ISFET simulator has been carried out. [...]
Nota: Aquest document conté originàriament altre material i/o programari només consultable a la Biblioteca de Ciència i Tecnologia.

2010
2 documents
7.
60 p, 5.9 MB Quantum Monte Carlo simulation of tunneling devices using wavepackets and Bohm trajectories / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Pendent.
Bellaterra: Universitat Autònoma de Barcelona, 2008
2 documents

Materials acadèmics 17 registres trobats  1 - 10següent  anar al registre:
1.
4 p, 78.4 KB Nanoelectronic Devices [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Feijoo Guerro, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological barriers, the research goals and the main evolution trends. [...]
2017-18
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  
2.
5 p, 77.1 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixà Soler, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
2017-18
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]  
3.
3 p, 98.0 KB Nanoelectronic Devices [43430] / Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Obtain a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics mainly from the anallysis of the International Technology reoadmap for Semiconductors. This will include the understanding of the most important technological barriers, the research goals and the main evolution trends. [...]

2014-15
Nanociència i Nanotecnologia Avançades / Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1276]
3 documents
4.
5 p, 105.8 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
2014-15
Nanociència i Nanotecnologia [983]  
5.
5 p, 106.8 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
2013-14  
6.
1 p, 160.2 KB Electricitat i Electrònica [20338] / Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bausells Roige, Joan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martínez, Ll. Miquel ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1995-96
Enginyer en Informàtica [57]  
7.
2 p, 1.3 MB Instrumentació [20523] / Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1994-95
Enginyer Electrònic [87]  
8.
3 p, 305.3 KB Electrònica I [24964] / Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bausells Roige, Joan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zabala, Miguel ; Cabruja i Casas, Enric ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
2000-01
Enginyer en Informàtica [176]  
9.
3 p, 202.3 KB Electrònica física [25144] / Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
2000-01
Llicenciat en Física [173]  
10.
4 p, 14.2 KB Dispositius electrònics [27825] / Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria
2007-08
Enginyer en Electrònica [445]  

Materials acadèmics : 17 registres trobats   1 - 10següent  anar al registre:
Vegeu també: autors amb noms similars
46 Suñé, Jordi,
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.