Resultats globals: 68 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 33 registres trobats
Documents de recerca, 7 registres trobats
Materials acadèmics, 28 registres trobats
Articles 33 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
5 p, 2.8 MB A simple, robust, and accurate compact model for a wide variety of complementary resistive switching devices / Saludes-Tapia, M. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Suñé, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Complementary Resistive Switching (CRS) using memristive devices has been intensively investigated in the last decade. The objective of CRS is to generate low and high resistance windows in the I-V characteristic of the selector device with the aim of reducing the sneak-path conduction problem in crossbar arrays. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108083
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , art. 108083  
2.
7 p, 1.5 MB An improved analytical model for the statistics of SET emergence point in HfO2 memristive device / Xiang, Dong (Harbin Institute of Technology. School of Mechatronics Engineering (China)) ; Zhang, Rulin (Hubei University. Hubei Key Laboratory of Applied Mathematics (China)) ; Li, Yu (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences. Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integration Technology (China)) ; Ye, Cong (Hubei University. Hubei Key Laboratory of Applied Mathematics (China)) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Long, Shibing (University of Science and Technology of China. School of Microelectronics (China))
In this work, an improved analytical model for the SET switching statistics of HfO2 memristive device is developed from the cell-based percolation model. The statistical results of the SET emergence point related to the beginning stage during SET process are systematically discussed. [...]
2019 - 10.1063/1.5085685
AIP advances, Vol. 9, Issue 2 (February 2019) , art. 025118  
3.
9 p, 2.6 MB Analysis and simulation of the multiple resistive switching modes occurring in HfO x -based resistive random access memories using memdiodes / Petzold, S. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sharath, S.U. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Muñoz Gorriz, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Vogel, T. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Piros, E. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science.) ; Kaiser, N. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Eilhardt, R. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Zintler, A. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Molina-Luna, L. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Suñé, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Alff, L. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science)
In this work, analysis and simulation of all experimentally observed switching modes in hafnium oxide based resistive random access memories are carried out using a simplified electrical conduction model. [...]
2019 - 10.1063/1.5094864
Journal of applied physics, Vol. 125, issue 23 (June 2019) , art. 234503  
4.
18 p, 693.6 KB On the application of a diffusive memristor compact model to neuromorphic circuits / Cisternas Ferri, Agustín (Universidad de Buenos Aires) ; Rapoport, Alan (Universidad de Buenos Aires) ; Fierens, Pablo I. (Instituto Tecnológico de Buenos Aires) ; Patterson, German A. (Instituto Tecnológico de Buenos Aires) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Memristive devices have found application in both random access memory and neuromorphic circuits. In particular, it is known that their behavior resembles that of neuronal synapses. However, it is not simple to come by samples of memristors and adjusting their parameters to change their response requires a laborious fabrication process. [...]
2019 - 10.3390/ma12142260
Materials, Vol. 12, Issue 14 (July 2019) , art. 2260  
5.
22 p, 713.4 KB A new method for estimating the conductive filament temperature in OxRAM devices based on escape rate theory / Rodríguez Fernández, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Muñoz Gorriz, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Because of the atomic nature of the system under study, an estimation of the temperature of the conductive filament (CF) in OxRAM devices as a function of the applied bias can only be obtained by means of indirect methods, usually electrothermal simulations. [...]
2018 - 10.1016/j.microrel.2018.06.120
Microelectronics reliability, Vol. 88-90 (September 2018) , p. 142-146
2 documents
6.
5 p, 647.7 KB Switching Voltage and Time Statistics of Filamentary Conductive Paths in HfO2-Based ReRAM Devices / Rodríguez Fernández, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cagli, Carlo (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França)) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Switching voltage and time statistics of HfO2-based one transistor-one resistor structures are investigated with the aim of clarifying the underlying physical mechanism that governs the formation and rupture of filamentary paths in the insulating layer. [...]
2018 - 10.1109/LED.2018.2822047
IEEE electron device letters, Vol. 39, Issue 5 (May 2018) , p. 656-659  
7.
26 p, 1.0 MB Characterization of HfO2-based devices with indication of second order memristor effects / Rodríguez Fernández, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cagli, Carlo (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França)) ; Perniola, Luca (Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (França)) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Resistive switching is investigated in TiN/Ti/HfO (10 nm)/TiN devices in series with a NMOS transistor as selector in a 1T1R configuration. A complete electrical characterization of the devices is carried out using DC voltage loops, constant-voltage stressed and pulses with varying voltage amplitude and time width. [...]
2018 - 10.1016/j.mee.2018.04.006
Microelectronic engineering, Vol. 195 (August 2018) , p. 101-106
2 documents
8.
6 p, 666.5 KB Simple method for monitoring the switching activity in memristive cross-point arrays with line resistance effects / Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Morell Pérez, Antoni (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Telecomunicació i Enginyeria de Sistemes) ; Muñoz Gorriz, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A simple method for monitoring the switching activity (forming, set, reset events and stuck-at-0/1 faults) in memristive cross-point arrays with line resistance effects is proposed. The method consists in correlating incremental current changes in a four-terminal configuration with the location of the switching cell within the array. [...]
2019 - 10.1016/j.microrel.2019.06.019
Microelectronics reliability, Vol. 100-101 (September 2019) , art. 113327
2 documents
9.
8 p, 3.6 MB Study on the Connection Between the Set Transient in RRAMs and the Progressive Breakdown of Thin Oxides / Aguirre, Fernando Leonel (Universidad Tecnológica Nacional (Buenos Aires, Argentina)) ; Rodríguez Fernández, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pazos, Sebastián Matías (Universidad Tecnológica Nacional (Buenos Aires, Argentina)) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Palumbo, Félix (Universidad Tecnológica Nacional (Buenos Aires, Argentina))
In this paper, the transition rate (TR) from the high-resistance state to the low-resistance state of a HfO-based resistive random access memory (RRAM) is investigated. The TR is statistically characterized by applying constant voltage stresses in the range from 0. [...]
2019 - 10.1109/TED.2019.2922555
IEEE transactions on electron devices, Vol. 66, Issue 8 (August 2019) , p. 3349-3355  
10.
6 p, 1.1 MB Analysis on the filament structure evolution in reset transition of Cu/HfO₂/Pt RRAM device / Zhang, Meiyun (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Long, Shibing (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Li, Yang (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Liu, Qi (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Lv, Hangbing (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Liu, Ming (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing))
The resistive switching (RS) process of resistive random access memory (RRAM) is dynamically correlated with the evolution process of conductive path or conductive filament (CF) during its breakdown (rupture) and recovery (reformation). [...]
2016 - 10.1186/s11671-016-1484-8
Nanoscale Research Letters, Vol. 11 (May 2016) , art. 269  

Articles : 33 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Documents de recerca 7 registres trobats  
1.
151 p, 4.8 MB Resistive memory devices based on complex oxides / Ortega Hernández, Rafael ; Suñé, Jordi, 1963-, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Puig i Molina, Mª Teresa, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Los dispositivos de Memoria Resistiva de Acceso Aleatorio (RRAM) han sido propuestos como posibles candidatos para substituir a las tecnologías actualmente empleadas como dispositivos de memoria no volátil. [...]
Resistive Random Access Memory (RRAM) devices have been proposed as candidates to replace the actual technologies employed as non-volatile memory devices. The origin of this proposal relies on the observation of the extraordinary properties required for the scaling down of this kind of devices. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015  
2.
212 p, 4.3 MB Filamentos conductores de ruptura dieléctrica en aislantes delgados / Saura Mas, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La industria micro y nanoelectrónica requiere de múltiples líneas de investigación para la introducción de continuas mejoras en los dispositivos en términos de rendimiento, funcionalidad y escalabilidad. [...]
Micro and nanoelectronics industry requires multiple lines of research for introducing continuous improvements in electronic devices in terms of performance, functionality and scalability. One of these improvements focuses on the idea of using the dielectric breakdown phenomenon as a principle of operation of these devices. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015  
3.
106 p, 6.1 MB Resistive Switching Statistics in MIM structures for Non-volatile memory applications / Lian, Xiaojuan ; Suñé, Jordi, 1963-, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Las propiedades de conmutación de óxidos de metales de transición y vidrios calcogenuros en estructuras metal-aislante -metal se estudiaron en los años sesenta y setenta. Hoy en día, estas propiedades y materiales se están estudiando con renovado interés debido a que son muy prometedores tanto para dispositivos lógicos como para aplicaciones de memoria. [...]
Switching properties of transition metal oxides and chalcogenide glasses in Metal-Insulator-Metal were studied in the sixties and seventies. Nowadays, these properties and materials are being studied with renewed interest because they are very promising both for logic and memory applications. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
4.
121 p, 3.0 MB Study and modeling of multi-gate transistors in the context of CMOS technology scaling / Chaves Romero, Ferney Alveiro ; Jiménez Jiménez, David, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
L'escalat dels transistors MOSFET convencionals ha portat a aquests dispositius a la nanoescala per incrementar tant les seves prestacions com el nombre de components per xip. En aquest process d'escalat, els coneguts "Short Channel Effects" representen una forta limitació. [...]
The scaling of the conventional MOSFETs has led these devices to the nanoscale to increase both the performance and the number of components per chip. In this process, the so-called "Short Channel Effects" have arisen as a limiting factor. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2012  
5.
14 p, 542.4 KB Estadística de ruptura de dielèctrics nanolaminats / Conde Giménez, Adrià ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
2011
2 documents
6.
7 p, 241.7 KB Diseño y desarrollo de un equipo de caracterización de ISFET para la medida de analitos iónicos / Miró Vicente, Antonio ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
En este proyecto se desarrolla una unidad de medida para investigar la cuantificación de la concentración de analitos iónicos en análisis clínico mediante sensores ISFET. Para su desarrollo se precisa de un elemento que simule el comportamiento de un ISFET por lo que también se desarrolla un simulador de ISFET. [...]
En aquest projecte es desenvolupa una unitat de mesura per investigar la quantificació de la concentració d'analits iònics en anàlisi clínica mitjançant sensors ISFET. Per al seu desenvolupament es necessita un element que simuli el comportament d'un ISFET de manera que també es desenvolupa un simulador d'ISFET. [...]
This project develops a measurement unit intended for the research of the quantification of the concentration of ionic analytes in clinical analysis using ISFET sensors. Its development requires a component simulating the behaviour of an ISFET and therefore the development of a ISFET simulator has been carried out. [...]
Nota: Aquest document conté originàriament altre material i/o programari només consultable a la Biblioteca de Ciència i Tecnologia.

2010
2 documents
7.
60 p, 5.9 MB Quantum Monte Carlo simulation of tunneling devices using wavepackets and Bohm trajectories / Oriols, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Pendent.
Bellaterra: Universitat Autònoma de Barcelona, 2008
2 documents

Materials acadèmics 28 registres trobats  1 - 10següentfinal  anar al registre:
1.
5 p, 105.4 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological drawbacks, the research goals and the main evolution trends. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]

2021-22
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
2.
4 p, 102.5 KB Electrònica [100187] / Suñé Tarruella, Jordi ; Cartoixà Soler, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Adquirir coneixements sobre la física dels semiconductors. Estudiar les característiques físiques i les aplicacions dels dispositius electrònics com a elements de circuit. Entendre els mecanismes físics que en determinen el seu funcionament. [...]
Obtain some basic knowledge of semiconductor physics. Study de physical of electron devices and their applications in electronic circuits. Understand the physics behing the function of electron devices. [...]
Adquirir conocimientos sobre física de semiconductores. Estudiar las características físicas i aplicaciones de dispositivos como elementos de circuito. Comprender los mecanismos físicos que determinan su funcionamiento. [...]

2021-22
Grau en Física [1281]
Grau en Física i Grau en Matemàtiques [1286]
Grau en Física i Grau en Química [1287]
Grau en Física i Grau en Química [1434]
3 documents
3.
5 p, 105.1 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]

2020-21
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
4.
5 p, 105.2 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixà Soler, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
Identificar los límites físicos de las tecnologías actuales de procesado de la información i conocer qué alternativas se proposen desde la nanotecnología. Conocer los fundamentos de las diferentes aproximaciones al transporte electrónico en dispositivos. [...]

2020-21
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]
3 documents
5.
4 p, 102.2 KB Electrònica [100187] / Suñé Tarruella, Jordi ; Cartoixà Soler, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Adquirir coneixements sobre la física dels semiconductors. Estudiar les característiques físiques i les aplicacions dels dispositius electrònics com a elements de circuit. Entendre els mecanismes físics que en determinen el seu funcionament. [...]
Adquirir conocimientos sobre física de semiconductores. Estudiar las características físicas i aplicaciones de dispositivos como elementos de circuito. Comprender los mecanismos físicos que determinan su funcionamiento. [...]

2020-21
Grau en Física i Grau en Química [1104]
Grau en Física [1281]
Grau en Física i Grau en Matemàtiques [1286]
Grau en Física i Grau en Química [1287]
Màster Universitari en Física d'Altes Energies, Astrofísica i Cosmologia / High Energy Physics, Ast [1359]
Màster Universitari en Física d'Altes Energies, Astrofísica i Cosmologia / High Energy Physics, Astrophysics and Cosmology [1410]
Grau en Física i Grau en Química [1434]
Grau en Física i Grau en Matemàtiques [779]
3 documents
6.
5 p, 104.9 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]

2019-20
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documents
7.
5 p, 105.0 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixà Soler, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
Identificar los límites físicos de las tecnologías actuales de procesado de la información i conocer qué alternativas se proposen desde la nanotecnología. Conocer los fundamentos de las diferentes aproximaciones al transporte electrónico en dispositivos. [...]

2019-20
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]
3 documents
8.
4 p, 102.2 KB Electrònica [100187] / Suñé Tarruella, Jordi ; Cartoixà Soler, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Adquirir coneixements sobre la física dels semiconductors. Estudiar les característiques físiques i les aplicacions dels dispositius electrònics com a elements de circuit. Entendre els mecanismes físics que en determinen el seu funcionament. [...]
Adquirir conocimientos sobre física de semiconductores. Estudiar las características físicas i aplicaciones de dispositivos como elementos de circuito. Comprender los mecanismos físicos que determinan su funcionamiento. [...]

2019-20
Grau en Física [1281]
3 documents
9.
4 p, 78.4 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological drawbacks, the research goals and the main evolution trends. [...]
2018-19
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  
10.
5 p, 77.1 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixà Soler, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
2018-19
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]  

Materials acadèmics : 28 registres trobats   1 - 10següentfinal  anar al registre:
Vegeu també: autors amb noms similars
2 Sune, J.
2 Suñe, J.
5 Suñe, Jordi
2 Suñé, J.
54 Suñé, Jordi,
2 Suñé, Jordi, 1963-
Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.