Resultados globales: 63 registros encontrados en 0.01 segundos.
Artículos, Encontrados 30 registros
Documentos de investigación, Encontrados 7 registros
Materiales académicos, Encontrados 26 registros
Artículos Encontrados 30 registros  1 - 10siguientefinal  ir al registro:
1.
18 p, 693.6 KB On the application of a diffusive memristor compact model to neuromorphic circuits / Cisternas Ferri, Agustín (Universidad de Buenos Aires) ; Rapoport, Alan (Universidad de Buenos Aires) ; Fierens, Pablo I. (Instituto Tecnológico de Buenos Aires) ; Patterson, German A. (Instituto Tecnológico de Buenos Aires) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Memristive devices have found application in both random access memory and neuromorphic circuits. In particular, it is known that their behavior resembles that of neuronal synapses. However, it is not simple to come by samples of memristors and adjusting their parameters to change their response requires a laborious fabrication process. [...]
2019 - 10.3390/ma12142260
Materials, Vol. 12, Issue 14 (July 2019) , art. 2260  
2.
22 p, 713.4 KB A new method for estimating the conductive filament temperature in OxRAM devices based on escape rate theory / Rodríguez Fernández, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Muñoz Gorriz, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Because of the atomic nature of the system under study, an estimation of the temperature of the conductive filament (CF) in OxRAM devices as a function of the applied bias can only be obtained by means of indirect methods, usually electrothermal simulations. [...]
2018 - 10.1016/j.microrel.2018.06.120
Microelectronics reliability, Vol. 88-90 (September 2018) , p. 142-146
2 documentos
3.
5 p, 647.7 KB Switching Voltage and Time Statistics of Filamentary Conductive Paths in HfO2-Based ReRAM Devices / Rodríguez Fernández, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cagli, Carlo (CEA (Grenoble, França)) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Switching voltage and time statistics of HfO2-based one transistor-one resistor structures are investigated with the aim of clarifying the underlying physical mechanism that governs the formation and rupture of filamentary paths in the insulating layer. [...]
2018 - 10.1109/LED.2018.2822047
IEEE electron device letters, Vol. 39, Issue 5 (May 2018) , p. 656-659  
4.
26 p, 1.0 MB Characterization of HfO2-based devices with indication of second order memristor effects / Rodríguez Fernández, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Cagli, Carlo (CEA (Grenoble, França)) ; Perniola, Luca (CEA (Grenoble, França)) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Resistive switching is investigated in TiN/Ti/HfO (10 nm)/TiN devices in series with a NMOS transistor as selector in a 1T1R configuration. A complete electrical characterization of the devices is carried out using DC voltage loops, constant-voltage stressed and pulses with varying voltage amplitude and time width. [...]
2018 - 10.1016/j.mee.2018.04.006
Microelectronic engineering, Vol. 195 (August 2018) , p. 101-106
2 documentos
5.
6 p, 666.5 KB Simple method for monitoring the switching activity in memristive cross-point arrays with line resistance effects / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Morell Pérez, Antoni (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Telecomunicació i Enginyeria de Sistemes) ; Muñoz Gorriz, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A simple method for monitoring the switching activity (forming, set, reset events and stuck-at-0/1 faults) in memristive cross-point arrays with line resistance effects is proposed. The method consists in correlating incremental current changes in a four-terminal configuration with the location of the switching cell within the array. [...]
2019 - 10.1016/j.microrel.2019.06.019
Microelectronics reliability, Vol. 100-101 (September 2019) , art. 113327
2 documentos
6.
8 p, 3.6 MB Study on the Connection Between the Set Transient in RRAMs and the Progressive Breakdown of Thin Oxides / Aguirre, Fernando Leonel (Universidad Tecnológica Nacional (Buenos Aires, Argentina)) ; Rodríguez Fernández, Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pazos, Sebastián Matías (Universidad Tecnológica Nacional (Buenos Aires, Argentina)) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Palumbo, Félix (Universidad Tecnológica Nacional (Buenos Aires, Argentina))
In this paper, the transition rate (TR) from the high-resistance state to the low-resistance state of a HfO-based resistive random access memory (RRAM) is investigated. The TR is statistically characterized by applying constant voltage stresses in the range from 0. [...]
2019 - 10.1109/TED.2019.2922555
IEEE transactions on electron devices, Vol. 66, Issue 8 (August 2019) , p. 3349-3355  
7.
6 p, 1.1 MB Analysis on the filament structure evolution in reset transition of Cu/HfO₂/Pt RRAM device / Zhang, Meiyun (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Long, Shibing (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Li, Yang (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Liu, Qi (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Lv, Hangbing (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Liu, Ming (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing))
The resistive switching (RS) process of resistive random access memory (RRAM) is dynamically correlated with the evolution process of conductive path or conductive filament (CF) during its breakdown (rupture) and recovery (reformation). [...]
2016 - 10.1186/s11671-016-1484-8
Nanoscale Research Letters, Vol. 11 (May 2016) , art. 269  
8.
30 p, 3.6 MB Conductance quantization in resistive random access memory / Li, Yang (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Long, Shibing (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Liu, Yang (University of Science and Technology Beijing. Department of Materials Physics and Chemistry) ; Hu, Chen (University of Science and Technology Beijing. Department of Materials Physics and Chemistry) ; Teng, Jiao (University of Science and Technology Beijing. Department of Materials Physics and Chemistry) ; Liu, Qi (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Lv, Hangbing (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing)) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Liu, Ming (Chinese Academy of Sciences. Institute of Microelectronics (Beijing))
The intrinsic scaling-down ability, simple metal-insulator-metal (MIM) sandwich structure, excellent performances, and complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology-compatible fabrication processes make resistive random access memory (RRAM) one of the most promising candidates for the next-generation memory. [...]
2015 - 10.1186/s11671-015-1118-6
Nanoscale Research Letters, Vol. 10 (December 2015) , art. 420  
9.
8 p, 1.2 MB Voltage and power-controlled regimes in the progressive unipolar RESET transition of HfO₂-based RRAM / Long, Shibing (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Perniola, Luca (Laboratoire d'électronique des technologies de l'information. MINATEC) ; Cagli, Carlo (Laboratoire d'électronique des technologies de l'information. MINATEC) ; Buckley, Julien (Laboratoire d'électronique des technologies de l'information. MINATEC) ; Lian, Xiaojuan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pan, Feng (Tsinghua University. Laboratory of Advanced Materials) ; Liu, Ming (Chinese Academy of Sciences. Lab of Nanofabrication and Novel Device Integration) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Resistive switching (RS) based on the formation and rupture of conductive filament (CF) is promising in novel memory and logic device applications. Understanding the physics of RS and the nature of CF is of utmost importance to control the performance, variability and reliability of resistive switching memory (RRAM). [...]
2013 - 10.1038/srep02929
Scientific reports, Vol. 3, (October 2013) , art. 2929  
10.
5 p, 1.3 MB Modeling of hysteretic Schottky diode-like conduction in Pt/BiFeO3/SrRuO3 switches / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Tsurumaki-Fukuchi, A. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)) ; Blasco, J. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Yamada, H. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sawa, A. (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST))
The hysteresis current-voltage (I-V) loops in Pt/BiFeO3/SrRuO3 structures are simulated using a Schottky diode-like conduction model with sigmoidally varying parameters, including series resistance correction and barrier lowering. [...]
2014 - 10.1063/1.4894116
Applied physics letters, Vol. 105 (August 2014) , p. 82904-01/82904-04  

Artículos : Encontrados 30 registros   1 - 10siguientefinal  ir al registro:
Documentos de investigación Encontrados 7 registros  
1.
151 p, 4.8 MB Resistive memory devices based on complex oxides / Ortega Hernández, Rafael ; Suñé, Jordi, 1963-, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Puig i Molina, Mª Teresa, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Los dispositivos de Memoria Resistiva de Acceso Aleatorio (RRAM) han sido propuestos como posibles candidatos para substituir a las tecnologías actualmente empleadas como dispositivos de memoria no volátil. [...]
Resistive Random Access Memory (RRAM) devices have been proposed as candidates to replace the actual technologies employed as non-volatile memory devices. The origin of this proposal relies on the observation of the extraordinary properties required for the scaling down of this kind of devices. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015  
2.
212 p, 4.3 MB Filamentos conductores de ruptura dieléctrica en aislantes delgados / Saura Mas, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La industria micro y nanoelectrónica requiere de múltiples líneas de investigación para la introducción de continuas mejoras en los dispositivos en términos de rendimiento, funcionalidad y escalabilidad. [...]
Micro and nanoelectronics industry requires multiple lines of research for introducing continuous improvements in electronic devices in terms of performance, functionality and scalability. One of these improvements focuses on the idea of using the dielectric breakdown phenomenon as a principle of operation of these devices. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015  
3.
106 p, 6.1 MB Resistive Switching Statistics in MIM structures for Non-volatile memory applications / Lian, Xiaojuan ; Suñé, Jordi, 1963-, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Las propiedades de conmutación de óxidos de metales de transición y vidrios calcogenuros en estructuras metal-aislante -metal se estudiaron en los años sesenta y setenta. Hoy en día, estas propiedades y materiales se están estudiando con renovado interés debido a que son muy prometedores tanto para dispositivos lógicos como para aplicaciones de memoria. [...]
Switching properties of transition metal oxides and chalcogenide glasses in Metal-Insulator-Metal were studied in the sixties and seventies. Nowadays, these properties and materials are being studied with renewed interest because they are very promising both for logic and memory applications. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  
4.
121 p, 3.0 MB Study and modeling of multi-gate transistors in the context of CMOS technology scaling / Chaves Romero, Ferney Alveiro ; Jiménez Jiménez, David, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
L'escalat dels transistors MOSFET convencionals ha portat a aquests dispositius a la nanoescala per incrementar tant les seves prestacions com el nombre de components per xip. En aquest process d'escalat, els coneguts "Short Channel Effects" representen una forta limitació. [...]
The scaling of the conventional MOSFETs has led these devices to the nanoscale to increase both the performance and the number of components per chip. In this process, the so-called "Short Channel Effects" have arisen as a limiting factor. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2012  
5.
14 p, 542.4 KB Estadística de ruptura de dielèctrics nanolaminats / Conde Giménez, Adrià ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
2011
2 documentos
6.
7 p, 241.7 KB Diseño y desarrollo de un equipo de caracterización de ISFET para la medida de analitos iónicos / Miró Vicente, Antonio ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
En este proyecto se desarrolla una unidad de medida para investigar la cuantificación de la concentración de analitos iónicos en análisis clínico mediante sensores ISFET. Para su desarrollo se precisa de un elemento que simule el comportamiento de un ISFET por lo que también se desarrolla un simulador de ISFET. [...]
En aquest projecte es desenvolupa una unitat de mesura per investigar la quantificació de la concentració d'analits iònics en anàlisi clínica mitjançant sensors ISFET. Per al seu desenvolupament es necessita un element que simuli el comportament d'un ISFET de manera que també es desenvolupa un simulador d'ISFET. [...]
This project develops a measurement unit intended for the research of the quantification of the concentration of ionic analytes in clinical analysis using ISFET sensors. Its development requires a component simulating the behaviour of an ISFET and therefore the development of a ISFET simulator has been carried out. [...]
Nota: Aquest document conté originàriament altre material i/o programari només consultable a la Biblioteca de Ciència i Tecnologia.

2010
2 documentos
7.
60 p, 5.9 MB Quantum Monte Carlo simulation of tunneling devices using wavepackets and Bohm trajectories / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Pendent.
Bellaterra: Universitat Autònoma de Barcelona, 2008
2 documentos

Materiales académicos Encontrados 26 registros  1 - 10siguientefinal  ir al registro:
1.
5 p, 120.2 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo Guerro, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]

2020-21
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documentos
2.
5 p, 105.2 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixa Soler, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
Identificar los límites físicos de las tecnologías actuales de procesado de la información i conocer qué alternativas se proposen desde la nanotecnología. Conocer los fundamentos de las diferentes aproximaciones al transporte electrónico en dispositivos. [...]

2020-21
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]
3 documentos
3.
4 p, 102.2 KB Electrònica [100187] / Suñé Tarruella, Jordi ; Cartoixa Soler, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Adquirir coneixements sobre la física dels semiconductors. Estudiar les característiques físiques i les aplicacions dels dispositius electrònics com a elements de circuit. Entendre els mecanismes físics que en determinen el seu funcionament. [...]
Adquirir conocimientos sobre física de semiconductores. Estudiar las características físicas i aplicaciones de dispositivos como elementos de circuito. Comprender los mecanismos físicos que determinan su funcionamiento. [...]

2020-21
Grau en Física [1281]
3 documentos
4.
5 p, 104.9 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo Guerro, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Adquirir una visió general sobre la situació actual de la nanoelectrònica a partir principalment del International Technology reoadmap for Semiconductors, incloent-hi les dificultats i reptes de recerca i les principals tendències evolutives. [...]
1) Adquirir una visión general sobre la situación actual de la nanoelectrónica a partir principalmente del International Technology reoadmap for Semiconductors. Se incluye la comprensión de las principales barreras tecnológicas, los retos de investigación y las principales tendencias evolutivas. [...]

2019-20
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]
3 documentos
5.
5 p, 105.0 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixa Soler, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
Identificar los límites físicos de las tecnologías actuales de procesado de la información i conocer qué alternativas se proposen desde la nanotecnología. Conocer los fundamentos de las diferentes aproximaciones al transporte electrónico en dispositivos. [...]

2019-20
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]
3 documentos
6.
4 p, 102.2 KB Electrònica [100187] / Suñé Tarruella, Jordi ; Cartoixa Soler, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Adquirir coneixements sobre la física dels semiconductors. Estudiar les característiques físiques i les aplicacions dels dispositius electrònics com a elements de circuit. Entendre els mecanismes físics que en determinen el seu funcionament. [...]
Adquirir conocimientos sobre física de semiconductores. Estudiar las características físicas i aplicaciones de dispositivos como elementos de circuito. Comprender los mecanismos físicos que determinan su funcionamiento. [...]

2019-20
Grau en Física [1281]
3 documentos
7.
4 p, 78.4 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Feijoo Guerro, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David ; Miranda, Enrique Alberto ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological drawbacks, the research goals and the main evolution trends. [...]
2018-19
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  
8.
5 p, 77.1 KB Nanotecnologia per a la Informació i les Comunicacions [103295] / Cartoixa Soler, Xavier ; Suñé Tarruella, Jordi ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Identificar els límits físics de la tecnologies actuals de processat de la informació i conèixer quines alternatives es proposen des de la nanotecnologia. Conèixer els fonaments de les diferents aproximacions al transport electrònic en dispositius. [...]
2018-19
Grau en Nanociència i Nanotecnologia [983]  
9.
4 p, 76.2 KB Electrònica [100187] / Suñé Tarruella, Jordi ; Cartoixa Soler, Xavier ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
Adquirir coneixements sobre la física dels semiconductors. Estudiar les característiques físiques i les aplicacions dels dispositius electrònics com a elements de circuit. Entendre els mecanismes físics que en determinen el seu funcionament. [...]
2018-19
Grau en Física [1281]  
10.
4 p, 78.4 KB Dispositius Nanoelectrònics [43430] / Oriols Pladevall, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Feijoo Guerro, Pedro Carlos ; Jiménez Jiménez, David (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Facultat de Ciències
1) Get a general vision about the state-of-the-art in nanoelectronics. This will include the understanding of the most important technological barriers, the research goals and the main evolution trends. [...]
2017-18
Màster Universitari en Nanociència i Nanotecnologia Avançades/ Advanced Nanoscience and Nanotechnology [1360]  

Materiales académicos : Encontrados 26 registros   1 - 10siguientefinal  ir al registro:
Vea también: autores con nombres similares
4 Sune, J.
4 Suñe, J.
3 Suñe, Jordi
4 Suñé, J.
52 Suñé, Jordi,
2 Suñé, Jordi, 1963-
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.