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Research literature, 1 records found
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1.
211 p, 9.7 MB Resistive Switching in Hf0.5Zr0.5O2 ferroelectric tunnel junctions / Sulzbach, Milena Cervo ; Fontcuberta, Josep, dir. ; Sort Viñas, Jordi, dir.
El requisit de sistemes informàtics i d'emmagatzematge de dades d'alt rendiment en l'era de l'Internet de les coses (IOT) aconsegueix els límits de la tecnologia actual. Les memòries flaix DRAM i NAND presenten importants desavantatges com la volatilitat de les dades i limitacions de velocitat. [...]
El requisito de sistemas informáticos y de almacenamiento de datos de alto rendimiento en la era del Internet de las cosas (IoT) alcanza los límites de la tecnología actual. Las memorias flash DRAM y NAND presentan importantes desventajas como la volatilidad de los datos y limitaciones de velocidad. [...]
The requirement for high-performance data storage and computing systems in the Internet of Things (IoT) era reaches the limits of the current technology. DRAM and NAND flash memories show significant drawbacks as data volatility and limitations of speed. [...]
2021  
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