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1.
14 p, 731.4 KB Assessment of large critical electric field in ultra-wide bandgap p-type spinel ZnGa2O4 / Chi, Zeyu (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Tchelidze, Tamar (Ivane Javakhishvili Tbilisi State University. Department of Physics) ; Sartel, Corinne (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Gamsakhurdashvili, Tsotne (Ivane Javakhishvili Tbilisi State University. Department of Physics) ; Madaci, Ismail (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Yamano, Hayate (Danube University Krems. Department for Integrated Sensor Systems) ; Sallet, Vincent (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Dumont, Yves (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Medjdoub, Farid (Centre national de la recherche scientifique (França). Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie) ; Chikoidze, Ekaterine (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée)
The spinel zinc gallate ZnGaO stands out among the emerging ultra-wide bandgap (∼5 eV) semiconductors as the ternary complex oxide with the widest gap where bipolar conductivity has been demonstrated. [...]
2023 - 10.1088/1361-6463/acbb14
Journal of Physics D: Applied Physics, Vol. 56, núm. 10 (March 2023) , art. 105102  
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2.
13 p, 1.5 MB Enhancing the intrinsic p-type conductivity of the ultra-wide bandgap Ga₂O₃ semiconductor / Chikoidze, Ekaterine (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Sartel, Corinne (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Mohamed, Hagar (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Madaci, Ismail (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Tchelidze, Tamar (Ivane Javakhishvili Tbilisi State University. Department of Physics) ; Modreanu, Myrcea (University College Cork. Tyndall National Institute) ; Vales Castro, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Rubio, Carles (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Arnold, Christophe (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Sallet, Vincent (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Dumont, Yves. (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
While there are several n-type transparent semiconductor oxides (TSO) for optoelectronic applications (e. g. LEDs, solar cells or display TFTs), their required p-type counterpart oxides are known to be more challenging. [...]
2019 - 10.1039/c9tc02910a
Journal of Materials Chemistry C, Vol. 7, issue 33 (Sep. 2019) , p. 10231-10239  
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3.
19 p, 775.1 KB Ultra-high critical electric field of 13.2 MV/cm for Zn-doped p-type β-Ga₂O₃ / Chikoidze, Ekaterine (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Tchelidze, Tamar (Ivane Javakhishvili Tbilisi State University. Department of Physics) ; Sartel, Corinne (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Chi, Zeyu (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Kabouche, R. (Centre national de la recherche scientifique (França). Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie) ; Madaci, Ismail (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Rubio, Carles (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mohamed, Hagar (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Sallet, Vincent (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée) ; Medjdoub, Farid (Centre national de la recherche scientifique (França). Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Dumont, Yves. (Université Paris-Saclay. Groupe d'Etude de la Matière Condensée)
Which the actual critical electrical field of the ultra-wide bandgap semiconductor β-Ga₂O₃ is? Even that it is usual to find in the literature a given value for the critical field of wide and ultra-wide semiconductors such as SiC (3 MV/cm), GaN (3. [...]
2020 - 10.1016/j.mtphys.2020.100263
Materials today physics, Vol. 15 (Dec. 2020) , art. 100263  
Registro completo - Creative Commons
4.
19 p, 1.0 MB P-type β-gallium oxide : a new perspective for power and optoelectronic devices / Chikoidze, Ekaterine (Université de Versailles Saint Quentin en Yvelines - CNRS) ; Fellous, Adel (Université de Versailles Saint Quentin en Yvelines - CNRS) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Tchelidze, Tamar (Ivane Javakhishvili Tbilisi State University. Department of Physics) ; Ton-That, C. (University of Technology Sydney) ; Huynh, Tung Thanh (University of Technology Sydney) ; Phillips, Matthew (University of Technology Sydney) ; Russell, Stephen A. O. (University of Warwick) ; Jennings, M. R. (University of Warwick) ; Berini, Bruno (Université de Versailles Saint Quentin en Yvelines - CNRS) ; Jomard, François (Université de Versailles Saint Quentin en Yvelines - CNRS) ; Dumont, Yves (Université de Versailles Saint Quentin en Yvelines - CNRS)
Wide-bandgap semiconductors (WBG) are expected to be applied to solid-state lighting and power devices, supporting a future energy-saving society. Here we present evidence of p-type conduction in the undoped WBG β-Ga O . [...]
2017 - 10.1016/j.mtphys.2017.10.002
Materials today physics, Vol. 3 (December 2017) , p. 118-126  
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5.
22 p, 880.5 KB Puzzling robust 2D metallic conductivity in undoped β-Ga2O3 thin films / Chikoidze, Ekaterine (Université de Versailles Saint Quentin en Yvelines - CNRS) ; Rogers, David J. (Nanovation) ; Teherani, Féréchteh Hosseini (Nanovation) ; Rubio Lorente, Carles (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Von Bardeleben, Hans Jürgen (Institut des Nanosciences de Paris) ; Tchelidze, Tamar (Ivane Javakhishvili Tbilisi State University. Department of Physics) ; Ton-That, C. (University of Technology Sydney) ; Fellous, Adel (Université de Versailles Saint Quentin en Yvelines - CNRS) ; Bove, Philippe (Nanovation) ; Sandana, Éric V. (Nanovation) ; Dumont, Yves (Université de Versailles Saint Quentin en Yvelines - CNRS) ; Perez-Tomas, Amador (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Here, we report the analogy of an extremely stable topological-like ultra-wide bandgap insulator, a solid that is a pure insulator in its bulk but has a metallic conductive surface, presenting a two-dimensional conductive channel at its surface that challenges our current thinking about semiconductor conductivity engineering. [...]
2019 - 10.1016/j.mtphys.2018.11.006
Materials today physics, Vol. 8 (March 2019) , p. 10-17  
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