Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Urquiza Toledo, María Laura
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 1 registres trobats en 0.02 segons.
Documents de recerca, 1 registres trobats
Documents de recerca 1 registres trobats  
1.
141 p, 8.7 MB Structural effects on the performance of 2D metal/semiconductor contacts and RRAM devices : first-principles and molecular dynamics studies / Urquiza Toledo, María Laura ; Cartoixà Soler, Xavier, dir.
A la present tesi s'han estudiat propietats de transport electrònic en unions laterals metall-semiconductor de MoS2, utilizant funcions de Green de no equilibri, destinades a contactar canals 2D en transistors. [...]
En la presente tesis se estudiaron propiedades de transporte electrónico en uniones laterales metal-semiconductor de MoS2, usando funciones de Green de no equilibrio, destinadas a contactar canales 2D en transistores. [...]
In this theis, finite bias transport properties of 2D MoS2 lateral metal-semiconductor junctions were studied through non-equilibrium Green's functions calculations, aimed at contacting the 2D channel in a field effect transistor. [...]
2020  
Registre complet - Creative Commons

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem