Resultados globales: 2 registros encontrados en 0.02 segundos.
Artículos, Encontrados 2 registros
Artículos Encontrados 2 registros  
1.
8 p, 1.2 MB Localized thinning for strain concentration in suspended germanium membranes and optical method for precise thickness measurement / Vaccaro, Pablo Oscar (Institució Catalana de Recerca i Estudis Avançats (ICREA)) ; Alonso Carmona, Maria Isabel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC)) ; Garriga, Miquel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC)) ; Gutiérrez, Joffre (Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC)) ; Peró, Damià (Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC)) ; Wagner, Markus R,. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Reparaz, Juan Sebastián (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Vidal, Xavier (Macquarie University. Department of Physics and Astronomy) ; Carter, E.A. (University Sydney. School of Chemistry and Sydney Analytical) ; Lay, P.A. (University Sydney. School of Chemistry and Sydney Analytical) ; Yoshimoto, M. (Kyoto Institute of Technology. Department of Electronics) ; Goñi, Alejandro R. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC))
We deposited Ge layers on (001) Si substrates by molecular beam epitaxy and used them to fabricate suspended membranes with high uniaxial tensile strain. We demonstrate a CMOS-compatible fabrication strategy to increase strain concentration and to eliminate the Ge buffer layer near the Ge/Si hetero-interface deposited at low temperature. [...]
2018 - 10.1063/1.5050674
AIP advances, Vol. 8, issue 11 (November 2018) , art. 115131  
2.
11 p, 2.2 MB Thermal transport in epitaxial Si1-xGe x alloy nanowires with varying composition and morphology / Sachat, Alexandros el (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Reparaz, Juan Sebastián (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Spiece, J. (Lancaster University) ; Alonso Carmona, Maria Isabel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Goñi, Alejandro R. (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Garriga, Miquel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Vaccaro, Pablo Oscar (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Wagner, Markus R. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Kolosov, O. V. (Lancaster University) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Alzina, Francesc (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
We report on structural, compositional, and thermal characterization of self-assembled in-plane epitaxial SiGe alloy nanowires grown by molecular beam epitaxy on Si (001) substrates. The thermal properties were studied by means of scanning thermal microscopy (SThM), while the microstructural characteristics, the spatial distribution of the elemental composition of the alloy nanowires and the sample surface were investigated by transmission electron microscopy and energy dispersive x-ray microanalysis. [...]
2017 - 10.1088/1361-6528/aa9497
Nanotechnology, Vol. 28, Núm. 50 (December 2017) , art. 505704  

Vea también: autores con nombres similares
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.