|
1.
|
|
20 p, 950.6 KB |
Spin communication over 30 μm long channels of chemical vapor deposited graphene on SiO2
/
Gebeyehu, Zewdu M. (Universitat Autònoma de Barcelona) ;
Parui, S. (K.U. Leuven) ;
Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Timmermans, Matias (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Esplandiu Egido, Maria José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Brems, S. (Imec) ;
Huyghebaert, C. (Imec) ;
Garello, Kevin (Imec) ;
Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We demonstrate a high-yield fabrication of non-local spin valve devices with room-temperature spin lifetimes of up to 3 ns and spin relaxation lengths as long as 9 μm in platinum-based chemical vapor deposition (Pt-CVD) synthesized single-layer graphene on SiO/Si substrates. [...]
2019 -  10.1088/2053-1583/ab1874
2D Materials, Vol. 6, Num. 3 (July 2019) , p. 034003
|
|
|
2.
|
|
7 p, 891.3 KB |
Passivation of Bi2Te3 topological insulator by transferred CVD-graphene : toward intermixing-free interfaces
/
Galceran, Regina (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Camosi, Lorenzo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Gebeyehu, Zewdu M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Esplandiu Egido, Maria José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Fernández Aguirre, Iván (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Figueroa García, Adriana Isabel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The investigation, and ultimate application, of topological insulators, typically involve exposure to ambient conditions or their integration with metals, which lead to surface oxidation or material intermixing. [...]
2022 - 10.1002/admi.202201997
Advanced materials interfaces, Vol. 9, issue 36 (Des. 2022) , art. 2201997
|
|
|
3.
|
|
39 p, 1.5 MB |
Two-dimensional materials prospects for non-volatile spintronic memories
/
Yang, Hyunsoo (National University of Singapore. Department of Electrical and Computer Engineering) ;
Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Chshiev, Mairbek (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ;
Couet, Sébastien (Imec) ;
Dieny, Bernard (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ;
Dlubak, Bruno (Unité Mixte de Physique. CNRS. Thales. Université Paris-Saclay) ;
Fert, Albert (Université Paris-Saclay. Unité Mixte de Physique) ;
Garello, Kevin (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ;
Jamet, Matthieu (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ;
Jeong, Dae-Eun (Samsung Electronics Co.) ;
Lee, Kangho (Samsung Electronics Co.) ;
Lee, Taeyoung (GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.) ;
Martin, Marie-Blandine (Université Paris-Saclay. Unité Mixte de Physique) ;
Kar, Gouri Sankar (Imec) ;
Sénéor, Pierre (Université Paris-Saclay. Unité Mixte de Physique) ;
Shin, Hyeon-Jin (Samsung Advanced Institute of Technology) ;
Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Non-volatile magnetic random-access memories (MRAMs), such as spin-transfer torque MRAM and next-generation spin-orbit torque MRAM, are emerging as key to enabling low-power technologies, which are expected to spread over large markets from embedded memories to the Internet of Things. [...]
2022 - 10.1038/s41586-022-04768-0
Nature, Vol. 606, issue 7915 (June 2022) , p. 663-673
|
|
|
4.
|
|
41 p, 1.9 MB |
Van der Waals heterostructures for spintronics and opto-spintronics
/
Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Fabian, Jaroslav (University of Regensburg. Institute for Theoretical Physics) ;
Kawakami, Roland (Ohio State University. Department of Physics) ;
Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The large variety of 2D materials and their co-integration in van der Waals heterostructures enable innovative device engineering. In addition, their atomically thin nature promotes the design of artificial materials by proximity effects that originate from short-range interactions. [...]
2021 - 10.1038/s41565-021-00936-x
Nature Nanotechnology, Vol. 16, issue 8 (August 2021) , p. 856-868
|
|
|
5.
|
|
21 p, 7.4 MB |
Control of spin-charge conversion in van der Waals heterostructures
/
Galceran, Regina (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Tian, Bo (King Abdullah University of Science and Technology) ;
Li, Junzhu (King Abdullah University of Science and Technology) ;
Bonell, Frédéric (University of Grenoble Alpes. Spintec) ;
Jamet, Matthieu (University of Grenoble Alpes. Spintec) ;
Vergnaud, Céline (University of Grenoble Alpes. Spintec) ;
Marty, Alain (University of Grenoble Alpes. Spintec) ;
Garcia, José H. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Manchon, Auréliene (Aix-Marseille Université) ;
Zhang, Xixiang (King Abdullah University of Science and Technology) ;
Schwingenschlögl, Udo (King Abdullah University of Science and Technology)
The interconversion between spin and charge degrees of freedom offers incredible potential for spintronic devices, opening routes for spin injection, detection, and manipulation alternative to the use of ferromagnets. [...]
2021 - 10.1063/5.0054865
APL Materials, Vol. 9, issue 10 (Oct. 2021) , art. 100901
|
|
|
6.
|
|
9 p, 1.5 MB |
Large-area van der Waals epitaxy and magnetic characterization of Fe3GeTe2films on graphene
/
Lopes, Joao Marcelo Jordao (Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik) ;
Czubak, Dietmar (Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik) ;
Zallo, Eugenio (Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik) ;
Figueroa García, Adriana Isabel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Guillemard, Charles (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ;
Valvidares, Manuel (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ;
Rubio-Zuazo, Juan (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid) ;
López-Sanchéz, J. (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid) ;
Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Hanke, Michael (Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik) ;
Ramsteiner, Manfred (Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik)
Scalable fabrication of magnetic 2D materials and heterostructures constitutes a crucial step for scaling down current spintronic devices and the development of novel spintronic applications. Here, we report on van der Waals (vdW) epitaxy of the layered magnetic metal Fe3GeTe2 (FGT) - a 2D crystal with highly tunable properties and a high prospect for room temperature ferromagnetism (FM) - directly on graphene by employing molecular beam epitaxy. [...]
2021 - 10.1088/2053-1583/ac171d
2D Materials, Vol. 8, issue 4 (Oct. 2021) , art. 41001
|
|
|
7.
|
|
9 p, 750.9 KB |
Low-symmetry topological materials for large charge-to-spin interconversion : the case of transition metal dichalcogenide monolayers
/
Vila Tusell, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ;
Hsu, Chuang-Han (National University of Singapore. Department of Electrical and Computer Engineering) ;
Garcia, José H. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Benítez, L. Antonio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Waintal, Xavier (Université Grenoble Alpes. Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) ;
Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Pereira, Víctor M. (National University of Singapore. Centre for Advanced 2D Materials and Graphene Research Centre) ;
Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The spin polarization induced by the spin Hall effect (SHE) in thin films typically points out of the plane. This is rooted on the specific symmetries of traditionally studied systems, not in a fundamental constraint. [...]
2021 - 10.1103/PhysRevResearch.3.043230
Physical Review Research, Vol. 3, issue 4 (Dec. 2021) , art. 43230
|
|
|
8.
|
|
60 p, 7.3 MB |
The 2021 quantum materials roadmap
/
Giustino, Feliciano (The University of Texas at Austin. Department of Physics) ;
Lee, Jin Hong (Centre national de la recherche scientifique. Unité Mixte de Physique) ;
Trier, Felix (Centre national de la recherche scientifique. Unité Mixte de Physique) ;
Bibes, Manuel (Centre national de la recherche scientifique. Unité Mixte de Physique) ;
Winter, Stephen M. (Goethe-Universität Frankfurt. Institut für Theoretische Physik) ;
Valentí, Roser (Goethe-Universität Frankfurt. Institut für Theoretische Physik) ;
Son, Young-Woo (Korea Institute for Advanced Study) ;
Taillefer, Louis (Université de Sherbrooke. Département de physique) ;
Heil, Christoph (Graz University of Technology. Institute of Theoretical and Computational Physics) ;
Figueroa García, Adriana Isabel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Plaçais, Bernard (Université PSL. Laboratoire de Physique de l'Ecole normale supérieure) ;
Wu, QuanSheng (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Institute of Physics) ;
Yazyev, Oleg V. (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Institute of Physics) ;
Bakkers, Erik P. A. M (Eindhoven University of Technology) ;
Nygård, Jesper (University of Copenhagen. Niels Bohr Institute) ;
Forn-Díaz, Pol (Institut de Física d'Altes Energies) ;
De Franceschi, Silvano (University Grenoble Alpes) ;
McIver, J.W. (Max Planck Institute for the Structure and Dynamics of Matter) ;
Foa Torres, L.E.F. (Universidad de Chile. Departamento de Física) ;
Low, Tony (University of Minnesota. Department of Electrical and Computer Engineering) ;
Kumar, Anshuman (Indian Institute of Technology Bombay. Physics Department) ;
Galceran, Regina (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Manchon, Aurélien (Aix-Marseille Université. CINaM) ;
Kim, Eun-Ah (Cornell University. Department of Physics) ;
Schleder, Gabriel R . (Brazilian Nanotechnology National Laboratory) ;
Fazzio, Adalberto (Brazilian Nanotechnology National Laboratory) ;
Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
In recent years, the notion of 'Quantum Materials' has emerged as a powerful unifying concept across diverse fields of science and engineering, from condensed-matter and coldatom physics to materials science and quantum computing. [...]
2020 - 10.1088/2515-7639/abb74e
JPhys materials, Vol. 3, issue 4 (Oct. 2020) , art. 42006
|
|
|
9.
|
|
8 p, 803.6 KB |
Milliwatt terahertz harmonic generation from topological insulator metamaterials
/
Tielrooij, Klaas-Jan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Principi, Alessandro (University of Manchester. School of Physics and Astronomy) ;
Saleta Reig, David (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Block, Alexander (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Varghese, Sebin (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Schreyeck, Steffen (Universität Würzburg. Physikalisches Institut) ;
Brunner, Karl (Universität Würzburg. Physikalisches Institut) ;
Karczewski, Grzegorz (Universität Würzburg. Physikalisches Institut) ;
Ilyakov, Igor (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf) ;
Ponomaryov, Oleksiy (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf) ;
de Oliveira, Thales V. A. G. (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf) ;
Chen, Min (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf) ;
Deinert, Jan-Christoph (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf) ;
Gómez Carbonell, Carmen (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Molenkamp, Laurens W. (Universität Würzburg. Physikalisches Institut) ;
Kiessling, Tobias (Universität Würzburg. Physikalisches Institut) ;
Astakhov, Georgy V. (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf) ;
Kovalev, Sergey (Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf)
Achieving efficient, high-power harmonic generation in the terahertz spectral domain has technological applications, for example, in sixth generation (6G) communication networks. Massless Dirac fermions possess extremely large terahertz nonlinear susceptibilities and harmonic conversion efficiencies. [...]
2022 - 10.1038/s41377-022-01008-y
Light, Science & Applications, Vol. 11 (2022)
|
|
|
10.
|
|
9 p, 2.0 MB |
Unraveling heat transport and dissipation in suspended MoSe2 from bulk to monolayer
/
Saleta Reig, David (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Varghese, Sebin (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Farris, Roberta (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Block, Alexander (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Mehew, Jake D. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Hellman, Olle (Weizmann Institute of Science (Israel). Department of Molecular Chemistry and Materials Science) ;
Woźniak, Pawel (Institut de Ciències Fotòniques) ;
Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Sachat, Alexandros el (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Chávez Ángel, Emigdio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
van Hulst, Niek F. (Institut de Ciències Fotòniques) ;
Ordejon, Pablo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Zanolli, Zeila (Debye Institute for Nanomaterials Science) ;
Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ;
Verstraete, Matthieu J. (European Theoretical Spectroscopy Facility) ;
Tielrooij, Klaas-Jan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Understanding heat flow in layered transition metal dichalcogenide (TMD) crystals is crucial for applications exploiting these materials. Despite significant efforts, several basic thermal transport properties of TMDs are currently not well understood, in particular how transport is affected by material thickness and the material's environment. [...]
2022 - 10.1002/adma.202108352
Advanced materials, Vol. 34, issue 10 (March 2022) , art. 2108352
|
|
visitant ::
identificació
alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al 
canal RSS.
