Resultados globales: 41 registros encontrados en 0.02 segundos.
Artículos, Encontrados 34 registros
Documentos de investigación, Encontrados 7 registros
Artículos Encontrados 34 registros  1 - 10siguientefinal  ir al registro:
1.
10 p, 2.3 MB Large-Area Synthesis of Ferromagnetic Fe5−xGeTe2/Graphene van der Waals Heterostructures with Curie Temperature above Room Temperature / Lv, Hua (Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V) ; da Silva, Alessandra (Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V) ; Figueroa García, Adriana Isabel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Guillemard, Charles (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Fernández Aguirre, Iván (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Camosi, Lorenzo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Aballe, Lucía (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Valvidares, Manuel (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Schubert, Jürgen (Jülich-Aachen Research Alliance) ; Schmidbauer, Martin (Leibniz-Institut für Kristallzüchtung) ; Herfort, Jens (Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V) ; Hanke, Michael (Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V) ; Trampert, Achim (Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V) ; Engel-Herbert, Roman (Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V) ; Ramsteiner, Manfred (Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V) ; Lopes, Joao Marcelo Jordao (Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V)
Van der Waals (vdW) heterostructures combining layered ferromagnets and other 2D crystals are promising building blocks for the realization of ultracompact devices with integrated magnetic, electronic, and optical functionalities. [...]
2023 - 10.1002/smll.202302387
Small, Vol. 19, Issue 39 (September 2023) , art. 2302387  
2.
10 p, 5.6 MB Experimental Demonstration of a Magnetically Induced Warping Transition in a Topological Insulator Mediated by Rare-Earth Surface Dopants / Muñiz Cano, Beatriz (IMDEA Nanociencia) ; Ferreiros, Yago (IMDEA Nanociencia) ; Pantaleón, Pierre A. (IMDEA Nanociencia) ; Dai, Ji (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Tallarida, Massimo (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Figueroa García, Adriana Isabel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Marinova, Vera (Institute of Optical Materials and Technologies Acad. G. Bontchev) ; García-Díez, Kevin (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Mugarza, Aitor (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Miranda, Rodolfo (Universidad Autónoma de Madrid) ; Camarero, Julio (Universidad Autónoma de Madrid. Departamento de Física de la Materia Condensada) ; Guinea, Francisco (IMDEA Nanociencia) ; Silva-Guillén, Jose Angel (IMDEA Nanociencia) ; Valbuena, Miguel Ángel (IMDEA Nanociencia)
Magnetic topological insulators constitute a novel class of materials whose topological surface states (TSSs) coexist with long-range ferromagnetic order, eventually breaking time-reversal symmetry. The subsequent bandgap opening is predicted to co-occur with a distortion of the TSS warped shape from hexagonal to trigonal. [...]
2023 - 10.1021/acs.nanolett.3c00587
Nano letters, Vol. 23, Issue 13 (July 2023) , p. 6249-6258  
3.
20 p, 950.6 KB Spin communication over 30 μm long channels of chemical vapor deposited graphene on SiO2 / Gebeyehu, Zewdu M. (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Parui, S. (K.U. Leuven) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Timmermans, Matias (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Esplandiu Egido, Maria José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Brems, S. (Imec) ; Huyghebaert, C. (Imec) ; Garello, Kevin (Imec) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
We demonstrate a high-yield fabrication of non-local spin valve devices with room-temperature spin lifetimes of up to 3 ns and spin relaxation lengths as long as 9 μm in platinum-based chemical vapor deposition (Pt-CVD) synthesized single-layer graphene on SiO/Si substrates. [...]
2019 - 10.1088/2053-1583/ab1874
2D Materials, Vol. 6, Num. 3 (July 2019) , p. 034003  
4.
7 p, 891.3 KB Passivation of Bi2Te3 topological insulator by transferred CVD-graphene : toward intermixing-free interfaces / Galceran, Regina (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Bonell, Frédéric (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Camosi, Lorenzo (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sauthier, Guillaume (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Gebeyehu, Zewdu M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Esplandiu Egido, Maria José (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fernández Aguirre, Iván (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Figueroa García, Adriana Isabel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The investigation, and ultimate application, of topological insulators, typically involve exposure to ambient conditions or their integration with metals, which lead to surface oxidation or material intermixing. [...]
2022 - 10.1002/admi.202201997
Advanced materials interfaces, Vol. 9, issue 36 (Des. 2022) , art. 2201997  
5.
39 p, 1.5 MB Two-dimensional materials prospects for non-volatile spintronic memories / Yang, Hyunsoo (National University of Singapore. Department of Electrical and Computer Engineering) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Chshiev, Mairbek (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ; Couet, Sébastien (Imec) ; Dieny, Bernard (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ; Dlubak, Bruno (Unité Mixte de Physique. CNRS. Thales. Université Paris-Saclay) ; Fert, Albert (Université Paris-Saclay. Unité Mixte de Physique) ; Garello, Kevin (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ; Jamet, Matthieu (SPINtronique et TEchnologie des Composants) ; Jeong, Dae-Eun (Samsung Electronics Co.) ; Lee, Kangho (Samsung Electronics Co.) ; Lee, Taeyoung (GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.) ; Martin, Marie-Blandine (Université Paris-Saclay. Unité Mixte de Physique) ; Kar, Gouri Sankar (Imec) ; Sénéor, Pierre (Université Paris-Saclay. Unité Mixte de Physique) ; Shin, Hyeon-Jin (Samsung Advanced Institute of Technology) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Non-volatile magnetic random-access memories (MRAMs), such as spin-transfer torque MRAM and next-generation spin-orbit torque MRAM, are emerging as key to enabling low-power technologies, which are expected to spread over large markets from embedded memories to the Internet of Things. [...]
2022 - 10.1038/s41586-022-04768-0
Nature, Vol. 606, issue 7915 (June 2022) , p. 663-673  
6.
41 p, 1.9 MB Van der Waals heterostructures for spintronics and opto-spintronics / Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fabian, Jaroslav (University of Regensburg. Institute for Theoretical Physics) ; Kawakami, Roland (Ohio State University. Department of Physics) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The large variety of 2D materials and their co-integration in van der Waals heterostructures enable innovative device engineering. In addition, their atomically thin nature promotes the design of artificial materials by proximity effects that originate from short-range interactions. [...]
2021 - 10.1038/s41565-021-00936-x
Nature Nanotechnology, Vol. 16, issue 8 (August 2021) , p. 856-868  
7.
21 p, 7.4 MB Control of spin-charge conversion in van der Waals heterostructures / Galceran, Regina (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Tian, Bo (King Abdullah University of Science and Technology) ; Li, Junzhu (King Abdullah University of Science and Technology) ; Bonell, Frédéric (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Jamet, Matthieu (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Vergnaud, Céline (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Marty, Alain (University of Grenoble Alpes. Spintec) ; Garcia, José H. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Manchon, Auréliene (Aix-Marseille Université) ; Zhang, Xixiang (King Abdullah University of Science and Technology) ; Schwingenschlögl, Udo (King Abdullah University of Science and Technology)
The interconversion between spin and charge degrees of freedom offers incredible potential for spintronic devices, opening routes for spin injection, detection, and manipulation alternative to the use of ferromagnets. [...]
2021 - 10.1063/5.0054865
APL materials, Vol. 9, issue 10 (Oct. 2021) , art. 100901  
8.
9 p, 1.5 MB Large-area van der Waals epitaxy and magnetic characterization of Fe3GeTe2films on graphene / Lopes, Joao Marcelo Jordao (Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik) ; Czubak, Dietmar (Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik) ; Zallo, Eugenio (Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik) ; Figueroa García, Adriana Isabel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Guillemard, Charles (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Valvidares, Manuel (ALBA Laboratori de Llum de Sincrotró) ; Rubio-Zuazo, Juan (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid) ; López-Sanchéz, J. (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Hanke, Michael (Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik) ; Ramsteiner, Manfred (Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik)
Scalable fabrication of magnetic 2D materials and heterostructures constitutes a crucial step for scaling down current spintronic devices and the development of novel spintronic applications. Here, we report on van der Waals (vdW) epitaxy of the layered magnetic metal Fe3GeTe2 (FGT) - a 2D crystal with highly tunable properties and a high prospect for room temperature ferromagnetism (FM) - directly on graphene by employing molecular beam epitaxy. [...]
2021 - 10.1088/2053-1583/ac171d
2D Materials, Vol. 8, issue 4 (Oct. 2021) , art. 41001  
9.
9 p, 750.9 KB Low-symmetry topological materials for large charge-to-spin interconversion : the case of transition metal dichalcogenide monolayers / Vila Tusell, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Hsu, Chuang-Han (National University of Singapore. Department of Electrical and Computer Engineering) ; Garcia, José H. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Benítez, L. Antonio (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Waintal, Xavier (Université Grenoble Alpes. Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Pereira, Víctor M. (National University of Singapore. Centre for Advanced 2D Materials and Graphene Research Centre) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
The spin polarization induced by the spin Hall effect (SHE) in thin films typically points out of the plane. This is rooted on the specific symmetries of traditionally studied systems, not in a fundamental constraint. [...]
2021 - 10.1103/PhysRevResearch.3.043230
Physical Review Research, Vol. 3, issue 4 (Dec. 2021) , art. 43230  
10.
60 p, 7.3 MB The 2021 quantum materials roadmap / Giustino, Feliciano (The University of Texas at Austin. Department of Physics) ; Lee, Jin Hong (Centre national de la recherche scientifique. Unité Mixte de Physique) ; Trier, Felix (Centre national de la recherche scientifique. Unité Mixte de Physique) ; Bibes, Manuel (Centre national de la recherche scientifique. Unité Mixte de Physique) ; Winter, Stephen M. (Goethe-Universität Frankfurt. Institut für Theoretische Physik) ; Valentí, Roser (Goethe-Universität Frankfurt. Institut für Theoretische Physik) ; Son, Young-Woo (Korea Institute for Advanced Study) ; Taillefer, Louis (Université de Sherbrooke. Département de physique) ; Heil, Christoph (Graz University of Technology. Institute of Theoretical and Computational Physics) ; Figueroa García, Adriana Isabel (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Plaçais, Bernard (Université PSL. Laboratoire de Physique de l'Ecole normale supérieure) ; Wu, QuanSheng (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Institute of Physics) ; Yazyev, Oleg V. (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Institute of Physics) ; Bakkers, Erik P. A. M (Eindhoven University of Technology) ; Nygård, Jesper (University of Copenhagen. Niels Bohr Institute) ; Forn-Díaz, Pol (Institut de Física d'Altes Energies) ; De Franceschi, Silvano (University Grenoble Alpes) ; McIver, J.W. (Max Planck Institute for the Structure and Dynamics of Matter) ; Foa Torres, L.E.F. (Universidad de Chile. Departamento de Física) ; Low, Tony (University of Minnesota. Department of Electrical and Computer Engineering) ; Kumar, Anshuman (Indian Institute of Technology Bombay. Physics Department) ; Galceran, Regina (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Manchon, Aurélien (Aix-Marseille Université. CINaM) ; Kim, Eun-Ah (Cornell University. Department of Physics) ; Schleder, Gabriel R . (Brazilian Nanotechnology National Laboratory) ; Fazzio, Adalberto (Brazilian Nanotechnology National Laboratory) ; Roche, Stephan (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
In recent years, the notion of 'Quantum Materials' has emerged as a powerful unifying concept across diverse fields of science and engineering, from condensed-matter and coldatom physics to materials science and quantum computing. [...]
2020 - 10.1088/2515-7639/abb74e
JPhys materials, Vol. 3, issue 4 (Oct. 2020) , art. 42006  

Artículos : Encontrados 34 registros   1 - 10siguientefinal  ir al registro:
Documentos de investigación Encontrados 7 registros  
1.
12 p, 1.0 MB Heat dissipation in few-layer MoS2 and MoS2/hBN heterostructure / Arrighi, Aloïs (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Del Corro, Elena (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Navarro Urrios, Daniel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Costache, Marius Vasile (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sierra, Juan F. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Watanabe, Kenji (National Institute for Material Science. Advanced Materials Laboratory (Tsukuba, Japó)) ; Taniguchi, Takashi (National Institute for Material Science. Advanced Materials Laboratory (Tsukuba, Japó)) ; Garrido, Jose (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Valenzuela, Sergio O. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sotomayor Torres, Clivia M. (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Sledzinska, Marianna (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
State-of-the-art fabrication and characterization techniques have been employed to measure the thermal conductivity of suspended, single-crystalline MoS2 and MoS2/hBN heterostructures. Two-laser Raman scattering thermometry was used combined with real time measurements of the absorbed laser power, which allowed us to determine the thermal conductivities without any assumptions. [...]
2021 - 10.48550/arXiv.2107.06717  
2.
129 p, 6.4 MB Thermal and thermoelectric properties of two-dimensional materials / Arrighi, Aloïs ; Valenzuela, Sergio O., dir. ; Sotomayor-Torres, Clivia, dir.
La gestió tèrmica és un problema crític en el disseny de dispositius nanoelectrònics. Les solucions de refredament avançades i la recol·lecció eficient d'energia són clau per mantenir la tendència de productes electrònics cada vegada més petits i ràpids. [...]
La gestión térmica es un problema crítico en el diseño de dispositivos nanoelectrónicos. Las soluciones de enfriamiento avanzadas y la recolección eficiente de energía son clave para mantener la tendencia de productos electrónicos cada vez más pequeños y rápidos. [...]
Thermal management is becoming a critical issue in the packaging and design of nanoelectronics. Advanced cooling solutions and efficient energy harvesting are key aspects to help keep the trend for ever smaller and faster electronics. [...]

2020  
3.
139 p, 7.1 MB Spin-orbit coupling in graphene/transition metal dichalcogenides devices / Benítez, L. Antonio ; Valenzuela, Sergio O, dir. ; Roche, Stephan Jean Louis, dir. ; Costache, Marius Vasile, dir. ; Mompart Penina, Jordi, dir.
Aquest treball s'emmarca dins els camps de l'espintrònica i la spin-orbitrònica, l'objectiu final del qual és controlar el grau de llibertat de l'espín de l'electró mitjançant l'acoblament spin-òrbita (SOC) en sistemes d'estat sòlid. [...]
El presente trabajo se encuentra dentro de los campos de la espintrónica y la espín-orbitrónica, cuyo objetivo final es controlar el grado de libertad de espín del electrón mediante el acoplamiento espín-órbita (SOC) en sistemas de estado sólido. [...]
The presented work is within the fields of spintronics and spin-orbitronics, whose final aim is to control the electron's spin degree of freedom via the spin-orbit coupling (SOC) in solid-state systems. [...]

2020  
4.
201 p, 31.4 MB Theoretical Study of Spin Dynamics in Two-Dimensional Quantum Materials / Vila Tusell, Marc ; Roche, Stephan Jean Louis, dir. ; Cummings, Aron, dir. ; Valenzuela, Sergio O, dir. ; Navau Ros, Carles, dir.
El camp de l'espintrònica té l'objectiu d'utilitzar el grau de llibertat d'espín de l'electró per emmagatzemar, transportar i manipular informació en dispositius electrònics de nova generació. [...]
El campo de la espintrónica tiene como objetivo utilizar el grado de libertad de espín para almacenar, transportar y manipular información en dispositivos electrónicos de próxima generación. En esta tesis, utilizo metodologías de transporte cuántico para simular la dinámica de espín en dispositivos hechos de materiales bidimensionales. [...]
The field of spintronics aims at using the spin degree of freedom to store, transport and manipulate information in next-generation electronic devices. In this thesis, I use quantum transport methodologies to simulate spin dynamics in devices made of two-dimensional materials. [...]

2020  
5.
158 p, 4.7 MB High-quality CVD graphene for spintronic applications / Gebeyehu, Zewdu Messele ; Valenzuela, Sergio O, dir. ; Esplandiu Egido, Maria José, dir. ; Costache, Marius Vasile, dir. ; Badosa, Josep R., dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Química
Aquesta tesi s'ha basat en la síntesi i el processament del grafè per tal d'obtenir les condicions òptimes per a la seva utilització en aplicacions d'espintrònica. La tesi està emmarcada en dos camps de recerca punters: el món del grafè amb la seva riquesa de propietats úniques i el camp de l'espintrònica que explora el grau de llibertat de l'espí de l'electró de cara a noves aplicacions en informàtica i tecnologia de comunicacions (com és ara els dispositius de lògica i d'emmagatzematge d'informació). [...]
Esta tesis se ha basado en ajustar la síntesis y el procesamiento de grafeno para el desarrollo de dispositivos espintrónicos optimizados. La tesis está enmarcada en dos temáticas punteras: el mundo del grafeno con su riqueza de propiedades únicas y el campo de la espintrónica que explora el grado de libertad del espín de los electrones para nuevas aplicaciones en tecnología de la información y la comunicación (por ejemplo, dispositivos de lógica y almacenamiento de información). [...]
"This thesis has focused on tuning the synthesis and processing of graphene to achieve optimized spintronic applications. Thus the thesis is framed in two cut-edging topics: the graphene world with its richness of unique properties and the field of spintronics which explores the spin degree of freedom of the electrons for novel applications in information and communication technology (e. [...]

2019  
6.
145 p, 4.0 MB Magnetic metal-organic / topological insulator heterostructures / González Cuxart, Marc ; Mugarza, Aitor, dir. ; Valenzuela, Sergio O., dir. ; Moreno, Cesar, dir. ; Sort Viñas, Jordi, dir. ; Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia
Topological Insulators (TIs) have become one of the wonder materials of condensed matter physics over the last decade due to their novel properties, possessing an insulating bulk in coexistence with metallic boundaries. [...]
: Universitat Autònoma de Barcelona, 2019.  
7.
145 p, 1.8 MB Electronic spin transport and thermoelectric effects in graphene / Neumann, Ingmar ; Valenzuela, Sergio O., dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Pascual i Gainza, Jordi, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
La espintrónica y la espín caloritronica en grafeno son campos de investigación muy activos, y esta tesis es una contribución a ambos campos. El tema principal es el estudio de la corriente de espín a través de métodos de inyección y detección eléctrica en válvulas de espín no locales de grafeno. [...]
Spintronics and spin caloritronics in graphene are recently very active fields of research, and this thesis is a contribution to both. The main topic is the study of spin currents in graphene non local spin valves via means of electrical spin injection and detection. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2014  

Vea también: autores con nombres similares
2 Valenzuela, S. O.
2 Valenzuela, Santiago
1 Valenzuela, Sergio O
3 Valenzuela, Sergio O,
3 Valenzuela, Sergio O.,
1 Valenzuela, Siscu
1 Valenzuela, SÍlvia
1 Valenzuela, Sílvia
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.