Results overview: Found 3 records in 0.02 seconds.
Articles, 2 records found
Research literature, 1 records found
Articles 2 records found  
1.
5 p, 939.8 KB Channel-Hot-Carrier degradation of strained MOSFETs : A device level and nanoscale combined approach / Wu, Qian (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Simoen, E. (IMEC. Belgium.)
Strained MOSFETs with SiGe at the source/drain regions and different channel lengths have been studied at the nanoscale with a conductive atomic force microscope (CAFM) and at device level, before and after channel-hot-carrier (CHC) stress. [...]
2015 - 10.1116/1.4913950
Journal of vacuum science and technology B, Vol. 33, Issue 2 (March 2015) , p. 22202  
2.
4 p, 1.6 MB Non-homogeneuos conduction of conductive filaments in Ni/HfO2/Si resistive switching structures observed with CAFM / Claramunt, S. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Wu, Qian (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Maestro, M. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; González, M.B. (Institut de Microelectrònica de Barcelona (CSIC)) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Campabadal Segura, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona (CSIC)) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Conductive filaments (CFs) in Ni/HfO₂/Si resistive switching structures are analysed at the nanoscale by means of Conductive Atomic Force Microscopy (CAFM). Differences in the CF conductivity are measured depending on the resistive state of the device. [...]
2015 - 10.1016/j.mee.2015.04.112
Microelectronic engineering, Vol. 147 (November 2015) , p. 335-338  

Research literature 1 records found  
1.
197 p, 6.7 MB A nanoscale study of MOSFETs reliability and resistive switching in RRAM devices / Wu, Qian, autor ; Porti i Pujal, Marc, supervisor acadèmic ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
El continuo escalado de la tecnología CMOS ha supuesto un gran reto en cuanto a la fiabilidad de dispositivos MOSFET se refiere debido al aumento del campo eléctrico en su interior, el cual ha dado lugar a la aparición de diferentes mecanismos de fallo. [...]
The continuous scaling down of CMOS technology has stood for a big challenge for reliability researchers, mainly due to the persistent increase of the electric fields in nanoscale devices, which can trigger different failure mechanisms. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017  

See also: similar author names
1 Wu, Q.
1 Wu, Qian,
1 Wu, Qinghua
Interested in being notified about new results for this query?
Set up a personal email alert or subscribe to the RSS feed.