Zintler, A. - Resultats de la cerca - Dipòsit Digital de Documents de la UAB

Cerca col·leccions:

Ordena'ls per:	Mostrar els resultats:	Format de visualizació:

Resultats globals: 1 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 1 registres trobats

Articles	1 registres trobats

9 p, 2.6 MB

Analysis and simulation of the multiple resistive switching modes occurring in HfO x -based resistive random access memories using memdiodes / Petzold, S. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sharath, S. U. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Muñoz Gorriz, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Vogel, Tobias (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Piros, E. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science.) ; Kaiser, Nico (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Eilhardt, R. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Zintler, A. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Molina-Luna, L. (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Alff, Lambert (Technische Universität Darmstadt. Institute of Materials Science)
In this work, analysis and simulation of all experimentally observed switching modes in hafnium oxide based resistive random access memories are carried out using a simplified electrical conduction model. [...]
2019 - DOI (Digital Object Identifier)

10.1063/1.5094864
Journal of applied physics, Vol. 125, issue 23 (June 2019) , art. 234503

Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.