Results overview: Found 15 records in 0.02 seconds.
Articles, 10 records found
Research literature, 5 records found
Articles 10 records found  
1.
12 p, 2.7 MB Top-down CMOS-NEMS polysilicon nanowire with piezoresistive transduction / Marigó Ferrer, Eloi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sansa Perna, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Pérez Murano, Francesc (Universitat Autònoma de Barcelona. Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Uranga del Monte, Aránzazu (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A top-down clamped-clamped beam integrated in a CMOS technology with a cross section of 500 nm × 280 nm has been electrostatic actuated and sensed using two different transduction methods: capacitive and piezoresistive. [...]
2015 - 10.3390/s150717036
Sensors, Vol. 15 (July 2015) , p. 17036-17047  
2.
7 p, 3.6 MB CMOS-NEMS Copper Switches Monolithically Integrated Using a 65 nm CMOS Technology / Muñoz Gamarra, Jose Luis (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Enginyeria Electrònica) ; Uranga del Monte, Aránzazu (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This work demonstrates the feasibility to obtain copper nanoelectromechanical (NEMS) relays using a commercial complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology (ST 65 nm) following an intra CMOS-MEMS approach. [...]
2016 - 10.3390/mi7020030
Micromachines, Vol. 7 Núm. 2 (February 2016) , p. 1-7  
3.
15 p, 4.1 MB Enhancement of Frequency Stability Using Synchronization of a Cantilever Array for MEMS-Based Sensors / Torres Canals, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Sobreviela, Guillermo ; Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Uranga del Monte, Aránzazu (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Riverola Borreguero, Martin
Micro and nano electromechanical resonators have been widely used as single or multiple-mass detection sensors. Smaller devices with higher resonance frequencies and lower masses offer higher mass responsivities but suffer from lower frequency stability. [...]
2016 - 10.3390/s16101690
Sensors, Vol. 16 Núm. 10 (October 2016) , art. 1690  
4.
9 p, 5.1 MB Fabrication and Measurement of a Suspended Nanochannel Microbridge Resonator Monolithically Integrated with CMOS Readout Circuitry / Vidal Álvarez, Gabriel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Enginyeria Electrònica) ; Marigó Ferrer, Eloi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Enginyeria Electrònica) ; Torres Canals, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
We present the fabrication and characterization of a suspended microbridge resonator with an embedded nanochannel. The suspended microbridge resonator is electrostatically actuated, capacitively sensed, and monolithically integrated with complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) readout circuitry. [...]
2016 - 10.3390/mi7030040
Micromachines, Vol. 7 N. 3 (March 2016) , p. 1-9  
5.
12 p, 2.7 MB Top-Down CMOS-NEMS Polysilicon Nanowire with Piezoresistive Transduction / Marigó Ferrer, Eloi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Enginyeria Electrònica) ; Sansa Perna Marc (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Pérez Murano, Francesc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Uranga del Monte, Aránzazu (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
A top-down clamped-clamped beam integrated in a CMOS technology with a cross section of 500 nm × 280 nm has been electrostatic actuated and sensed using two different transduction methods: capacitive and piezoresistive. [...]
2015
Sensors, Vol. 15 (2015) , p. 17036-1704  
6.
11 p, 963.5 KB Reversible dielectric breakdown in ultra Hf based high-k stacks under current limited stresses / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The effects of a current-limited breakdown (BD) on the post-BD current of MOS capacitors with a thin high-k dielectric stack have been analysed. A strong current reduction after BD and, consequently, a partial recovery of the insulating properties of the dielectric stack is observed. [...]
2009 - 10.1016/j.microrel.2009.06.029
Microelectronics reliability, Vol. 49, Issue 9-11 (2009) , p. 1024-1028  
7.
3 p, 1.0 MB Recovery of the MOSFET and circuit functionality after the dielectric breakdown of ultra-thin high-k gate stacks / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The reversibility of the gate dielectric breakdown in ultra-thin high-k dielectric stacks is reported and analyzed. The electrical performance of MOSFETs after the dielectric recovery is modeled and introduced in a circuit simulator. [...]
2010 - 10.1109/LED.2010.2045732
IEEE electron device letters, Vol. 31, Issue 6 (June 2010) , p. 543-545  
8.
6 p, 2.0 MB Injected charge to recovery as a parameter to characterize the breakdown reversibility of ultrathin HfSiON gate dielectric / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rothschild, A. (Interuniversity Micro-Electronics Center) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
The injected charge to recovery (QR) is presented as a parameter to characterize the dielectric breakdown (BD)reversibility in MOSFETs with ultrathin high-k hafnium based gate dielectric. The procedure to recover the dielectric is explained and the dependences of QR with the current limit during BD, the polarity of the BD-recovery stresses and the number of stress cycles are analyzed.
2011 - 10.1109/TDMR.2010.2098032
IEEE transactions on device and materials reliability, Vol. 11, Issue 1 (March 2011) , p. 126-130  
9.
41 p, 418.7 KB Dielectric breakdown in ultra-thin Hf based gate stacks : a resistive switching phenomenon / Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the temperature dependence of the resistive switching-related currents (gate and drain) in MOSFETs with ultra-thin Hf based high-k dielectric has been analyzed, for the two dielectric conductivity states. [...]
2012 - 10.1149/2.012206jes
Journal of the Electrochemical Society, Vol. 159 Issue 5 (2012) , p. H529-H535  
10.
3 p, 435.4 KB Monolithic mass sensor fabricated using a conventional technology with attogram resolution in air conditions / Verd Martorell, Jaume (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Uranga del Monte, Aránzazu (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Abadal Berini, Gabriel (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Teva Meroño, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Torres Canals, Francisco (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Pérez Murano, Francesc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Fraxedas i Calduch, Jordi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Esteve Tinto, Jaume (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Enginyeria Electrònica) ; Barniol i Beumala, Núria (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
Monolithic mass sensors for ultrasensitive mass detection in air conditions have been fabricated using a conventional 0. 35 μm complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process. The mass sensors are based on electrostatically excited submicrometer scale cantilevers integrated with CMOS electronics. [...]
2007 - 10.1063/1.2753120
Applied Physics Letters, Vol. 91, Issue 1 (July 2007) , p. 013501/1-013501/3  

Research literature 5 records found  
1.
196 p, 6.6 MB Modelling, design and integration of new differential architectures for M/NEMS resonant sensors / Prache, Pierre, autor. ; Juillard, Jérôme, supervisor acadèmic. ; Barniol i Beumala, Núria, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
Los sensores M/NEMS resonantes, gracias a su pequeño tamaño, a su bajo consumo y a su carácter quasi-digital (siendo generalmente la señal de salida un tono frecuencial), se han convertido en herramientas muy usadas en sistemas embebidos portátiles y de a bordo tales como en telefonía móvil (es decir, en smartphones) o en la industria aeroespacial. [...]
M/NEMS resonant sensors, due to their small size, consumption and quasi-digital output (a frequency most of the time) are useful tools for on-board systems, from smartphones to aeronautic technology. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2017.  
2.
114 p, 18.3 MB CMOS-MEMS para aplicaciones de RF : osciladores / Sobreviela Falces, Guillermo, autor ; Uranga del Monte, Aranzazu, supervisor acadèmic ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
En los últimos años el mercado asociado a los dispositivos MEMS/NEMS para comunicaciones está experimentando un constante aumento debido principalmente al auge en los dispositivos móviles inteligentes que incorporan un gran número de sensores inerciales y que van aumentando en función de las propias exigencias del mercado NEMS. [...]
In recent years the market associated with MEMS / NEMS devices for communications, is experiencing a steady increase mainly due to the popularity of smart mobile devices that incorporate a large number of inertial sensors. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016
3 documents
3.
182 p, 4.6 MB Low-Power and Compact CMOS Circuit Design of Digital Pixel Sensors for X-Ray Imagers / Figueras i Bagué, Roger ; Terés Terés, Lluís, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics) ; Serra Graells, Francesc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Microelectrònica i Sistemes Electrònics
La obtenció d'imatges utilitzant raigs-X ha esdevingut una tecnologia clau per a un ampli rang d'aplicacions tant industrials com mèdiques o científiques, doncs permet estudiar l'interior dels objectes sense necessitat de destruir-los o desmantellar-los. [...]
X-ray imaging has become a key enabling technology for a wide range of industrial, medical and scientific applications since it allows studying the inside of objects without the need to destroy or dismantle them. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015  
4.
236 p, 3.6 MB NEMS/MEMS integration in submicron CMOS Technologies / Muñoz Gamarra, Jose Luis ; Barniol i Beumala, Núria, tutora (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La reducción de los dispositivos MEMS hasta la nano escala (NEMS) ha permitido el acceso a nuevos dominios de la física y promete revolucionar las aplicaciones de sensado. Sin embargo esta miniaturización ha sido conseguida a costa de procesos de fabicración complicados y no reproducibles. [...]
The reduction of MEMS devices dimensions to the nano scale (NEMS) has allowed them to access a host of new physics and promise to revolutionize sensing applications. However this miniaturization has been obtained at an expense of dedicated, difficult and non reproducible fabrication processes. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015  
5.
174 p, 9.8 MB Multiband and Silicon Integrated Antennas for Wireless Sensor Networks / Gemio Valero, Joan (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Telecomunicació i Enginyeria de Sistemes) ; Parrón Granados, Josep, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Telecomunicació i Enginyeria de Sistemes) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Telecomunicació i Enginyeria de Sistemes
Les tecnologies sense fils han provocat una important revolució en el món de les xarxes i serveis de telecomunicació. Han apareguts nous sistemes com els telèfons mòbils d'última generació o les xarxes LAN sense fils que han estat acceptats amb entusiasme per la població. [...]
Las tecnologías inalámbricas han provocado una importante revolución en el mundo de las redes y servicios de telecomunicación. Han aparecidos nuevos sistemas, como los teléfonos móviles de última generación o las redes LAN inalámbricas, que han sido aceptados con entusiasmo por la población. [...]
Wireless technologies have triggered an important revolution in the world of telecommunication networks and services. New systems, such as the latest generation mobile phones or wireless LANs, have appeared being enthusiastically accepted by people. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2012  

Interested in being notified about new results for this query?
Set up a personal email alert or subscribe to the RSS feed.