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Documentos de investigación, Encontrados 5 registros
Documentos de investigación Encontrados 5 registros  
1.
202 p, 5.2 MB Dificultades de las exportaciones mexicanas al amparo del tratado de libre comercio México-Unión Europea: el caso de las exportaciones mexicanas de carburo de silicio (2002-2006) / Sosa Carpenter, Rafael ; Bacaria i Colom, Jordi, 1952-, dir. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Dret Públic i de Ciències Historicojurídiques
La presente investigación analiza la problemática de una empresa exportadora mexicana y sus clientes quienes recibieron oficios de las administraciones tributarias de Bélgica, España y Reino Unido, en los que se les informa el cobro de impuestos y multas, porque las importaciones de carburo de silicio amparadas bajo un certificado de origen EUR. [...]
This thesis analyzes the problems of a Mexican exporting company and its customers who received offices of the tax administrations of Belgium, Spain and the United Kingdom, which informed the collection of taxes and fines, because imports of silicon carbide covered under a certificate of origin EUR. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016  
2.
205 p, 7.9 MB Novel materials and processes for gate dielectrics on silicon carbide / Perez-Tomas, Amador ; Godignon, Philippe, dir. (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
There is considerable evidence of the need for a semiconductor technology which exceeds the limitations imposed by silicon across a wide spectrum of industrial applications. Wide bandgap semiconductor, such as silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN) and diamond, offer the potential to overcome both the temperature and voltage blocking limitations of Si. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2007  
3.
116 p, 1.8 MB Optimisation de l'implantation ionique et du recuit thermique pour SiC / Blanqué, Servane ; Camassell, J., dir. (Université des sciences et techniques du Languedoc-Montpellier II) ; Godignon, Philippe, dir. (Université des sciences et techniques du Languedoc-Montpellier II)
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2005
3 documentos
4.
234 p, 3.2 MB Planar edge terminations and related manufacturing process technology for high power 4H-SiC diodes / Pérez Rodríguez, Raúl ; Mestres i Andreu, Narcís, dir. (Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Espanya)) ; Godignon, Philippe, dir. (Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Espanya))
Els dispositius semiconductors de potència es requereixen per transmetre o rebre gairebé qualsevol tipus de senyal elèctrica i energia electromagnètica. En temps de constant augment del consum energètic i de la sensibilitat medi-ambiental, aquests petits dispositius poden dura a terme un gran paper. [...]
Power semiconductor devices are required whenever sending, transmitting or receiving almost any type of electrical and electromagnetic energy or signal/information. In times of escalating power consumption and increasing environmental awareness, these small electronic devices can play a big role. [...]

Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2006  
5.
141 p, 1.4 MB Theoretical studies of defects in silicon carbide / Rurali, Riccardo ; Hernández, Eduardo Rafael, dir. (Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Espanya)) ; Godignon, Philippe, dir. (Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Espanya))
Cálculos de estructura electrónica han sido utilizados para el estudio de la estructura, de la difusividad y de la actividad eléctrica de defectos puntuales en carburo de silicio. En particular, se han considerado impurezas de tipo n y de tipo p, boro, nitrógeno y fósforo, juntas con defectos intrínsecos, como las vacantes del cristal. [...]
Electronic structure calculations have been used to study the structure, the diffusivity and the electrical activity of point defects in silicon carbide. Particularly, p-type and n-type impurities have been considered, namely boron, nitrogen and phosphorus, together with intrinsic defects, specifically vacancies of the host crystal. [...]

Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2004  

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