Pàgina inicial > Resultats de la cerca: Chemical interdiffusion
  Consells de cerca
Cerca avançada
Cerca col·leccions:
Ordena'ls per: Mostrar els resultats: Format de visualizació:
Resultats globals: 2 registres trobats en 0.02 segons.
Articles, 2 registres trobats
Articles 2 registres trobats  
1.
4 p, 307.5 KB Hydrogen desorption in SiGe films : a diffusion limited process / Vizoso San Segundo, Jesús (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín, Ferran, (Martín Antolín) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
A model to explain the hydrogen desorption kinetics in SiGe alloys is presented. This is an extension of a previous desorption model of hydrogen from Si, that considers the presence of three dimer types in the surface in which hydrogen atoms tend to pair before the desorptionreaction. [...]
1997 - 10.1063/1.118429
Applied physics letters, Vol. 70, Issue 24 (June 1997) , p. 3287-3289  
Registre complet -
2.
4 p, 383.6 KB Density control on self-assembling of Ge islands using carbon-alloyed strained SiGe layers / Bernardi, Alessandro (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Alonso Carmona, Maria Isabel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Goñi, Alejandro (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Ossó Torné, J. Oriol (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Garriga, Miquel (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; American Physical Society
The authors show that by deposition of 0. 1 ML of carbon prior to the self-assembledgrowth of Gequantum dots on a strained Si1−xGexbuffer layer a striking decrease in dot density by two orders of magnitude from about 1011to109cm−2 occurs when the Ge content of the buffer layer increases from 0% to 64%. [...]
2006 - 10.1063/1.2349317
Applied physics letters, Vol. 89, Issue 10 (September 2006) , p. 101921/1-101921/3  
Registre complet -

Us interessa rebre alertes sobre nous resultats d'aquesta cerca?
Definiu una alerta personal via correu electrònic o subscribiu-vos al canal RSS.
Dipòsit Digital de Documents de la UAB :: Cerca :: Lliura :: Personalitza :: Ajuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantingut per ddd.bib@uab.cat  :: Metadades subjectes a:
Col·laborem