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1.
10 p, 3.8 MB GaAs nanoscale membranes : prospects for seamless integration of III-Vs on silicon / Raya, Andrés M. (Instituto de Micro y Nanotecnología) ; Friedl, Martin (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Dubrovskii, Vladimir G. (ITMO University) ; Francaviglia, Luca (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Alén, Benito (Instituto de Micro y Nanotecnología) ; Morgan, Nicholas (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Tütüncüoglu, Gözde (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Laboratoire des Matériaux Semiconducteurs) ; Ramasse, Quentin (University of Leeds. School of Physics) ; Fuster, David (Instituto de Micro y Nanotecnología) ; Llorens, José M. (Instituto de Micro y Nanotecnología) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fontcuberta i Morral, Anna (École Polytechnique Fédérale de Lausanne. Institute of Physics)
The growth of compound semiconductors on silicon has been widely sought after for decades, but reliable methods for defect-free combination of these materials have remained elusive. Recently, interconnected GaAs nanoscale membranes have been used as templates for the scalable integration of nanowire networks on III-V substrates. [...]
2020 - 10.1039/c9nr08453c
Nanoscale, Vol. 12, issue 2 (2020) , p. 815-824  
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2.
22 p, 2.5 MB Optimizing the yield of A-polar GaAs nanowires to achieve defect-free zinc blende structure and enhanced optical functionality / Zamani, Mahdi (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Tütüncüoglu, Gözde (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Martí-Sánchez, Sara (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Francaviglia, Luca (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Güniat, Lucas (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Ghisalberti, Lea (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Potts, Heidi A. (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Friedl, Martin (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Markov, Edoardo. (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Kim, Wonjong (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Leran, Jean-Baptiste (École Polytechnique Fédérale de Lausanne) ; Dubrovskii, Vladimir G. (ITMO University) ; Arbiol i Cobos, Jordi (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) ; Fontcuberta i Morral, Anna (École Polytechnique Fédérale de Lausanne)
Compound semiconductors exhibit an intrinsic polarity, as a consequence of the ionicity of their bonds. Nanowires grow mostly along the (111) direction for energetic reasons. Arsenide and phosphide nanowires grow along (111)B, implying a group V termination of the (111) bilayers. [...]
2018 - 10.1039/c8nr05787g
Nanoscale, Vol. 10, Issue 36 (September 2018) , p. 17080-17091  
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