Results overview: Found 19 records in 0.02 seconds.
Articles, 10 records found
Research literature, 9 records found
Articles 10 records found  
1.
6 p, 4.0 MB Resistive switching in hafnium dioxide layers : local phenomenon at grain Boundaries / Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica)) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Overcoming challenges associated with implementation of resistive random access memory technology for non-volatile information storage requires identifying the material characteristics responsible for resistive switching. [...]
2012 - 10.1063/1.4765342
Applied physics letters, Vol. 101 (2012) , p. 193502-1/193502-5  
2.
5 p, 939.8 KB Channel-Hot-Carrier degradation of strained MOSFETs : A device level and nanoscale combined approach / Wu, Qian (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Simoen, E. (IMEC. Belgium.)
Strained MOSFETs with SiGe at the source/drain regions and different channel lengths have been studied at the nanoscale with a conductive atomic force microscope (CAFM) and at device level, before and after channel-hot-carrier (CHC) stress. [...]
2015 - 10.1116/1.4913950
Journal of vacuum science and technology B, Vol. 33, Issue 2 (March 2015) , p. 22202  
3.
5 p, 1.0 MB Temperature dependence of the resistive switching-related currents in ultra-thin high-k based MOSFETs / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the temperature dependence of the resistive switching phenomenon in metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (MOSFETs) with an ultra-thin Hf-based high-k dielectric is studied through analysis of the gate and drain currents for the two dielectric conductivity states. [...]
2013 - 10.1116/1.4789518
Journal of Vacuum Science and Technology B, Vol. 31 (2013) , p. 22203-22203-5  
4.
6 p, 228.6 KB Resistive switching like-behavior in MOSFETs with ultra-thin HfSiON dielectric gate stack : pMOS and nMOS comparison and reliability implications / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the Resistive Switching (RS) phenomenon in n and pMOSFETs with ultrathin Hf based high-k dielectric is studied. Two different conductive levels, a high (HRS) and a low (LRS) resistance states can be distinguished in the dielectric. [...]
2013 - 10.1016/j.microrel.2013.07.046
Microelectronics reliability, Vol. 53, No. 9–11 (Sep.-Nov. 2013) , p. 1247-1251  
5.
4 p, 1003.7 KB Degradation of polycrystalline HfO2-based gate dielectrics under nanoscale electrical stress / Iglesias Santiso, Vanessa (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Lanza Martínez, Mario (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Zhang, K. (Peking University. Department of Electronics) ; Bayerl, Albin (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aymerich Humet, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Benstetter, G. (University of Applied Sciences Deggendorf. Electrical Engineering Department) ; Shen, Z. Y. (Peking University. Department of Electronics) ; Bersuker, G. (SEMATECH (Austin, Estats Units d'Amèrica))
The evolution of the electrical properties of HfO2/SiO2/Si dielectric stacks under electrical stress has been investigated using atomic force microscope-based techniques. The current through the grain boundaries (GBs), which is found to be higher than thorough the grains, is correlated to a higher density of positively charged defects at the GBs. [...]
2011 - 10.1063/1.3637633
Applied physics letters, Vol. 99, Issue 10 (September 2011) , p. 103510/1-103510/3  
6.
4 p, 238.9 KB Temperature-dependent transition to progressive breakdown in thin silicon dioxide based gate dielectrics / Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; American Physical Society
The transition between well-defined soft and hard breakdown modes to progressive breakdown in ultrathin silicon dioxide based dielectrics is studied by means of the statistics of residual time (the time from first breakdown to device failure). [...]
2005 - 10.1063/1.1925316
Applied physics letters, Vol. 86, Issue 19 (May 2005) , p. 193502/1-193502/3  
7.
4 p, 232.3 KB Effects of high-field electrical stress on the conduction properties of ultra-thin La2O3 films / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Molina, J. (Tokyo Institute of Technology. Frontier Collaborative Research Center) ; Kim, Y. (Tokyo Institute of Technology. Frontier Collaborative Research Center) ; Iwai, H. (Tokyo Institute of Technology. Frontier Collaborative Research Center) ; American Physical Society
Electron transport in high-field stressed metal-insulator-silicon devices with ultrathin (<5nm) lanthanum oxide layers is investigated. We show that the leakage current flowing through the structure prior to degradation is direct and Fowler-Nordheimtunneling conduction, while that after stress exhibits diode-like behavior with series and parallel resistances. [...]
2005 - 10.1063/1.1944890
Applied physics letters, Vol. 86, Issue 23 (June 2005) , p. 232104/1-232104/3  
8.
4 p, 296.7 KB Second harmonic generation in a photonic crystal / Martorell, Jordi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Vilaseca, Ramon (Universitat Politècnica de Catalunya. Department de Física i Enginyeria Nuclear) ; Corbalán, R. (Ramón) (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; American Physical Society
Phase matched second harmonic generation is observed experimentally in a centrosymmetric crystalline lattice of dielectric spheres of optical dimensions. The inversion symmetry is broken locally at the surface of each sphere in such a way that the scattered second harmonic light interferes constructively leading to a nonvanishing macroscopic field. [...]
1997 - 10.1063/1.118244
Applied physics letters, Vol. 70, Issue 6 (February 1997) , p. 702-704  
9.
4 p, 315.4 KB Electron transport through electrically induced nanoconstrictions in HfSiON gate stacks / Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Falbo, P. (University of Calabria. Dipartimento di Elettronica Informatica e Sistemistica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crupi, F. (University of Calabria. Dipartimento di Elettronica Informatica e Sistemistica) ; American Physical Society
A microscopic picture for the progressive leakage current growth in electrically stressed HfxSi1−xON/SiON gate stacks in metal-oxide-semiconductor transistors based on the physics of mesoscopic conductors is proposed. [...]
2008 - 10.1063/1.2949748
Applied physics letters, Vol. 92, Issue 25 (June 2008) , p. 253505/1-253505/3  
10.
4 p, 484.5 KB Strain tuned magnetoelectric coupling in orthorhombic YMnO3 thin films / Martí Rovirosa, Xavier (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fina Martínez, Ignasi (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Skumryev, Vassil (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física) ; Ferrater Martorell, Cèsar (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Varela Fernández, Manuel, 1956- (Universitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica) ; Fábrega Sánchez, Lourdes (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Sánchez Barrera, Florencio (Institut de Ciència de Materials de Barcelona) ; Fontcuberta i Griñó, Josep (Institut de Ciència de Materials de Barcelona)
Orthorhombic YMnO3epitaxialthin films were grown on Nb(0. 5%)-doped SrTiO3(001) substrates. Film's thickness was varied to tune the epitaxial strain. Structural and magnetic properties are well correlated, presenting a more pronounced ferromagnetic behavior as the unit cell becomes more distorted. [...]
2009 - 10.1063/1.3238287
Applied physics letters, Vol. 95, Issue 14 (October 2009) , p. 142903/1-142903/3  

Research literature 9 records found  
1.
177 p, 12.1 MB Analysis and modeling of filamentary conduction in Hf0₂-based structures / Rodríguez Fernández, Alberto, autor. ; Miranda, Enrique Alberto, supervisor acadèmic. ; Bargalló González, Mireia, supervisor acadèmic. ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica.
Actualmente nos enfrentamos a una revolución en los campos de la microelectrónica y las tecnologías de la información y la comunicación, que seguramente afectaran nuestra forma de vida en los años venideros. [...]
We are currently facing a revolution in the fields of microelectronics and information technologies that will surely affect our way of life in the years to come. In this regard, the proposal of a memory device based on the combined action of ions and electrons is considered to be a breakthrough of our time. [...]

[Bellaterra] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2018.
2 documents
2.
110 p, 3.0 MB Flexoelectricity in single crystals / Narvaez Morales, Jackeline ; Catalan Bernabé, Gustau, dir. ; Domingo, Neus ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament de Física
En términos generales, la flexoelectricidad es la respuesta de la polarización a un gradiente de deformación. A diferencia del efecto piezoeléctrico, este efecto está presente en todos los materiales independientemente de su estructura cristalina. [...]
In general terms, flexoelectricity is the response of polarization to a strain gradient. In contrast to the piezoelectric effect, this effect is present in all materials regardless of their crystal structure. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2016  
3.
212 p, 4.3 MB Filamentos conductores de ruptura dieléctrica en aislantes delgados / Saura Mas, Xavier ; Suñé, Jordi, 1963- , dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique Alberto (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La industria micro y nanoelectrónica requiere de múltiples líneas de investigación para la introducción de continuas mejoras en los dispositivos en términos de rendimiento, funcionalidad y escalabilidad. [...]
Micro and nanoelectronics industry requires multiple lines of research for introducing continuous improvements in electronic devices in terms of performance, functionality and scalability. One of these improvements focuses on the idea of using the dielectric breakdown phenomenon as a principle of operation of these devices. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2015  
4.
149 p, 4.9 MB Variability and reliability at the nanoscale of gate dielectrics of MOS devices and graphene based structures / Bayerl, Albin ; Porti i Pujal, Marc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
In the first chapter of this thesis, the MOSFET transistor and an overview of the implications of ongoing device shrinking will be given. Possible alternatives to allow the scaling down such as the introduction of high-k dielectrics and the potential of graphene for nanoelectronic applications are also explained. [...]
En el primer capítulo de ésta tesis, se les dará un resumen del transistor MOSFET y de las consecuencias del escalado de dispositivos electrónicos. También se explican las alternativas posibles para permitir mantener dicha tendencia, como la introducción de dieléctricos high-k y el potencial del grafeno para aplicaciones en nanoelectrónica. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
5.
154 p, 4.1 MB Estudio de la reversibilidad de la ruptura dieléctrica en dispositivos MOS con dieléctrico de puerta high-k ultra delgado / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martín Martínez, Javier, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
Resums pendents.
[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
6.
148 p, 16.4 MB CAFM nanoscale electrical properties and reliability of HfO₂ based gate dielectrics in electron devices : impact of the polycrystallization and resistive switching / Iglesias Santiso, Vanessa ; Porti i Pujal, Marc, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica
La evolución de los dispositivos MOS ha conllevado una reducción de tamaño de los mismos con el fin de mejorar sus prestaciones. Sin embargo, este continuo escalado se ha topado con un límite físico: la delgada capa aislante de SiO2 (entre otros), que fuerza la búsqueda de nuevas alternativas que permitan abastecer al exigente mercado tecnológico. [...]
The evolution of MOS devices has involved an important shrinking in the transistor size with the aim of improve their benefits. However, this continuous miniaturization has found its physical limits in the thin SiO2 dielectric layer with current sizes at nanometric scale. [...]

[Barcelona] : Universitat Autònoma de Barcelona, 2013  
7.
14 p, 542.4 KB Estadística de ruptura de dielèctrics nanolaminats / Conde Giménez, Adrià ; Suñé, Jordi, 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria
2011
2 documents
8.
64 p, 4.0 MB Caracterització elèctrica de dielèctrics de porta de dispositius MOS amb CAFM : SiO2 i dielèctrics d'alta permitivitat / Blasco Jiménez, Xavier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Des dels seus inicis fa unes quatre dècades, la tecnologia microelectrònica ha anat reduint contínuament les dimensions dels dispositius, per tal d'oferir millors prestacions. Actualment les dimensions d'interès dels dispositius han entrat profundament en el rang nanomètric. [...]
Desde sus inicios hace unas cuatro décadas, la tecnología microelectrónica ha ido reduciendo continuamente las dimensiones de los dispositivos, para ofrecer mejores prestaciones. Actualmente las dimensiones de interés de los dispositivos han entrado profundamente en el rango nanométrico. [...]
Since its early days, microelectronics has always searched for smaller devices in order to increase the performance of its products. At present, this means that the dimensions of the electronic devices have deeply entered into the nanometric range. [...]

Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2006
2 documents
9.
205 p, 7.9 MB Novel materials and processes for gate dielectrics on silicon carbide / Pérez Tomàs, Amador ; Godignon, Philippe, dir. (Institut de Microelectrònica de Barcelona)
There is considerable evidence of the need for a semiconductor technology which exceeds the limitations imposed by silicon across a wide spectrum of industrial applications. Wide bandgap semiconductor, such as silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN) and diamond, offer the potential to overcome both the temperature and voltage blocking limitations of Si. [...]
Bellaterra : Universitat Autònoma de Barcelona, 2007  

Interested in being notified about new results for this query?
Set up a personal email alert or subscribe to the RSS feed.